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题目：300K时，在本征半导体中掺入施主杂质形成N型半导体，欲使得锗中的费米能级低于导带底能量0.15eV，施主掺杂浓度ND为（）。
A.
B.
C.
D.
题目：PN结中的总的电子电流计算公式为（）。
A.
B.
C.
D.
题目：PN结中的总的空穴电流计算公式为（）。
A.
B.
C.
D.
题目：单晶一般是（）。
A.凸多面体
B.凹多面体
C.圆球体
D.立方体
题目：电子的扩散电流为（）。
A.
B.
C.
D.
题目：电子的漂移电流为（）。
A.
B.
C.
D.
题目：空间点阵可分为（）晶系。
A.四种
B.五种
C.六种
D.七种
题目：空穴的扩散电流为（）。
A.
B.
C.
D.
题目：空穴的漂移电流为（）。
A.
B.
C.
D.
题目：面心立方密堆积空间利用率最大为（）。
A.70%
B.72%
C.74%
D.76%
题目：七大晶系共有（）种布喇菲原胞。
A.11
B.12
C.13
D.14
题目：体心立方堆积空间利用率为（）。
A.68%
B.67%
C.66%
D.65%
题目：体心立方晶格的倒格子是面心立方结构，它的第一布里渊区为（）。
A.截角八面体
B.菱形十二面体
C.正八面体
D.菱形十六体
题目：下列哪项不属于配位数的可能值（）。
A.1200%
B.900%
C.800%
D.600%
题目：以下（）为价带的有效状态密度计算公式。
A.
B.
C.
D.
题目：在105个硅原子中掺入一个硼原子，可以使硅的电导增加（）。
A.102
B.103
C.104
D.105
题目：在PN结中施主掺杂浓度为，受主掺杂浓度为，在300K时Si突变结的接触电势差VD为（）
A.0.736V
B.0.976V
C.0.686V
D.0.876V
题目：在下列公式中计算本征半导体费米能级的是（）
A.
B.
C.
D.
题目：正四面体四个共价键之间的夹角是（）
A.109°30'
B.109°28'
C.109°
D.109°25'
题目：自然界的晶体结构只有（）种。
A.200
B.210
C.220
D.230
题目：常用的酸性腐蚀液配方中硝酸与氢氟酸与醋酸之比为（）。
A.6:03:03
B.5:03:03
C.5:01:01
D.6:01:01
题目：单晶硅锭的两种常见生产工艺有（）。
A.浇铸法
B.直拉法
C.直熔法
D.区熔法
题目：电池的输出功率受以下哪些因素所影响（）。
A.栅覆盖面积
B.抗反射层的吸收和反射
C.光子能量小于禁带宽度引起的损耗
D.光子能量大于禁带宽度的能量损耗
题目：多晶硅锭的两种常见生产方法有（）。
A.浇铸法
B.直拉法
C.直熔法
D.区熔法
题目：多晶硅绒面制备时采用的酸腐蚀液主要由（）组成。
A.HN03
B.HF
C.H20
D.CH3CH2OH
题目：固态氮化硼扩散与液态硼扩散比较，其有如下的特点（）。
A.设备复杂、操作麻烦
B.扩散效率高，更适于大批量生产
C.扩散后硅片的均匀性、重复性和表面质量都较好
D.产品的合格率较高
题目：光伏电池广泛应用于当今社会，以下哪些选项是其典型应用（）。
A.无线电通信系统电源
B.抽水系统
C.室内电子器件
D.电池充电器
题目：硅材料的选料主要包括（）。
A.导电类型
B.电阻率
C.晶向、位错、寿命
D.形状、尺寸、厚度
题目：硅片表面污染的杂质分类有（）。
A.分子型杂质
B.离子型杂质
C.原子型杂质
D.质子型杂质
题目：碱腐蚀法的酸腐蚀法对比，其优点是（）。
A.成本较低
B.对环境的污染小
C.外观平整
D.光亮度高
题目：离子注入法具有的特点主要有（）。
A.精确的剂量控制
B.均匀性好
C.掺杂深度小
D.不受固溶度限制
题目：太阳电池的测试方法包括（）。
A.阳极氧化法测结深
B.四探针法测薄层电阻
C.少子寿命的测试
D.太阳电池负载特性的测试
题目：太阳电池的光电转换效率哪些因素有关（）。
A.结构
B.材料性质
C.工作温度
D.环境变化
题目：以下哪些选项对太阳电池性能有直接的影响（）。
A.电池片厚度
B.温度和光强度
C.辐射
D.颜色
题目：在太阳电池的扩散工艺中，影响扩散的重要因素有（）。
A.扩散温度
B.扩散深度
C.扩散气氛
D.扩散时间
题目：直拉单晶硅制备工艺一般包括（）。
A.装料和熔化
B.种晶和引细颈
C.放肩和等径生长
D.收尾
题目：制备PN结的主要方法有以下几种（）。
A.扩散法
B.离子注入法
C.合金法
D.分离法
题目：制备背电场电池较常用的方法还有硼扩散法，硼扩散法的优点是（）。
A.分配系数比铝大
B.结均匀
C.电极牢度好
D.所需温度低
题目：制作电极的方法主要有（）。
A.真空蒸镀法
B.化学镀膜法
C.印刷烧结法
D.加热氧化法
题目：作为减反射层的薄膜材料，通常要求有很好的（）。
A.透光性
B.耐化学腐蚀性
C.硅片粘接性
D.导电性
题目：N型半导体的特征是电子是少数载流子，空穴是多数载流子。
题目：本征半导体的特征是电子的浓度与空穴的浓度相等。
题目：单晶没有规则的外形。
题目：对一定的晶体，杂质原子是形成替位式杂质还是间隙式杂质，主要取决于杂质原子与基质原子几何尺寸的相对大小及其电负性。
题目：对于结构相同的晶体，滑移方向和滑移面通常不相同。
题目：对于一定的晶格，结点所占的体积是一定的，面间距大的晶面上，格点的面密度小。
题目：多晶由很多细小的取向不同的单晶组成。
题目：非晶体内部的原子、分子排列整齐，有周期性规律。
题目：晶体加热至熔点开始熔化，熔化过程中温度保持不变，熔化成液态后温度才继续上升；而非晶体熔化时，随着温度升高，粘度逐渐变小，变成流动性较大的液体。
题目：晶体内的位错滑移是使临界切应力大为减小的主要原因。
题目：晶体缺陷是固体物理中的重要研究领域。
题目：晶体在不同方向上具有相同的周期性。
题目：理想晶体的主要特征是原子（或分子）严格按照规则排列，具有完整的周期性。
题目：密勒指数小的晶面，面间距较大。
题目：七大晶系共有十五种布喇菲原胞。
题目：色心是一种化学计量比引起的空位缺陷。
题目：同一品种的晶体，两个对应晶面间的夹角恒定不变。
题目：位错为面缺陷，位错的基本类型有刃型位错和螺旋位错两种。
题目：由于内建电场作用，电子要从P区漂移运动到N区，空穴要从N区漂移运动到P区，它们的漂移形成了电流，电流方向也是P指
题目：由于浓度梯度作用，电子和空穴的扩散会形成电子扩撒电流和空穴扩散电流，它们的电流方向是相同的，都是P指向N。
题目：由于生长条件不同，同一品种的晶体其外形可能不同，这是晶体的本质特征。
题目：在不同的带轴方向上，晶体中原子排列情况不同，晶体性质也不同。
题目：在晶体中，位于晶格点阵上的原子是静止不动的。
题目：在熔化过程中，晶体的长程序解体时对应着一定的熔点，非晶体也有固定的熔点。
题目：在一定温度下，原子热振动的振幅和平均能量是不断变化的。
题目：组成缺陷包括替位式杂质原子和填隙式杂质原子。
题目：当热平衡PN结不加偏压时，将下列求解公式一一对应。（1）PN结区空间电荷区的总的宽度 A.
（2）N型区空间电荷区的宽度 B.
（3）P型区空间电荷区的宽度 C.
1). PN结区空间电荷区的总的宽度一一 (1)
2). N型区空间电荷区的宽度一一 (2)
3). P型区空间电荷区的宽度一一 (3)
题目：将倒格子三个基矢与其定义一一对应。（1）b1 A. （2）b2 B. （3）b3 C.
1). b1
(1)
2). b2
(2)
3). b3
(3)
题目：将下列PN结理论常用函数式一一对应。（1）费米分布函数 A.
（2）玻尔兹曼分布函数 B.
（3）状态密度函数 C.
1). 费米分布函数
(1)
2). 玻尔兹曼分布函数
(2)
3). 状态密度函数
(3)
题目：将下列不同半导体的费米能级求解公式一一对应。（1）本征半导体费米能级 A. （2）N型半导体费米能级 B. （3）P型半导体费米能级 C.
1). 本征半导体费米能级
(1)
2). N型半导体费米能级
(2)
3). P型半导体费米能级
(3)
题目：将下列定义与其计算公式一一对应
（1）导带的有效状态密度 A.
（2） 导带中电子浓度 B.
（3） 价带中空穴浓度 C.
1). 导带的有效状态密度一一 (1)
2). 导带中电子浓度一一 (2)
3). 价带中空穴浓度一一 (3)
题目：将以下物质室温下的本征载流子浓度一一对应。
（1）Si A.
（2）GaAs B.
（3）Ge C.
1). Si
(1)
2). GaAs
(2)
3). Ge
(3)
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