【国开搜题】国家开放大学 一网一平台 光伏检测与分析011 期末考试押题试卷与答案

光伏检测与分析-011渝粤题库

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一 、单选题

1. 用冷热探笔法测量（ ）半导体时，冷端带正电，热端带负电。

A. P型

B. N型

C. PN型

D. 以上皆不是

答案：A
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2. 用冷热探笔法测量导电类型时，热探笔的温度要适当，以（ ）为宜。

A. 30～50℃

B. 40～60℃

C. 50～70℃

D. 60～80℃

答案：B
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3. 气相色谱法测定干法H2的组分岗位存在的环境因素是（ ）。

A. 液氮低温冻伤

B. 潜在氢气泄露引起的爆炸

C. 温度过高

D. 没有明显危险源

答案：B
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4. 气相色谱法测定干法H2的组分岗位存在的环境因素是（ ）。

A. 液氮低温冻伤渝粤教育

B. 潜在氢气泄露引起的爆炸

C. 温度过高

D. 没有明显危险源

答案：B
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5. 光图定向法结果直观，操作（ ），误差（ ）。

A. 简单 较大

B. 复杂 较大

C. 简单 较小

D. 复杂 较小

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6. 晶面指数最低的晶面总是具有（ ）的晶面间距。

A. 最小

B. 相等

C. 最大

D. 无法判断

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7. 直拉单晶中氧含量头部与尾部相比（ ）。

A. 较高

B. 相同渝粤搜题

C. 较低

D. 无法判断

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8. 以下表示晶面指数最恰当的是（ ）。

A. （664）

B. （463）

C. （333）

D. （246）

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9. 三氯氢硅中痕量磷的气相色谱法的基本原则是（ ）法。

A. 自然挥发法

B. 基于时间的差别进行分离

C. 过滤

D. 化学分离

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10. 露点法测定气体中的水分时，本岗位存在的危险源是（ ）。

A. 液氮低温冻伤

B. 潜在氢气泄露引起的爆炸

C. 温度过高

D. 没有明显危险源

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11. 当RO系统暂停使用一周以上时，系统应以（ ）浸泡，防止细菌在膜表面繁殖。

A. 5%盐酸

B. 1.0%浓度的亚硫酸氢纳渝粤搜题

C. 4%氢氧化钠

D. 1%富尔马林溶液国开搜题

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12. 树脂失效表明离子交换树脂可供交换的（ ）大为减少。

A. CL-

B. Na

C. H+和OH-

D. Ca

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13. 超纯水是电阻率达到（ ）左右的水。

A. 16

B. 17

C. 18

D. 19国开一网一平台

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14. 对三氯氢硅中痕量杂质的分析采用蒸发法使用微量高纯水和SiHCL3作用产生少量（ ）水解物，对痕量杂质元素有吸附作用。国开一网一平台

A. SiO2国开一网一平台

B. SiH

C. HCL

D. Si

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15. 直拉单晶中氧含量头部与尾部相比（ ）。渝粤教育

A. 较高

B. 相同

C. 较低渝粤搜题

D. 无法判断

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16. （ ）是影响硅器件的成品率的一个重要因素，也是影响器件性能的稳定性和可靠性的重要因素。

A. 点缺陷

B. 线缺陷

C. 面缺陷

D. 微缺陷

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17. 露点法测定气体中的水分时，本岗位存在的危险源是（ ）。

A. 液氮低温冻伤

B. 潜在氢气泄露引起的爆炸

C. 温度过高

D. 没有明显危险源

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18. 放射线同位素的量越多，放出的γ射线的强度（ ）。

A. 越小

B. 不变

C. 越大

D. 随机变化

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19. X射线定向法的误差可以控制在（ ）范围内，准确度高。

A. ±10'

B. ±15'

C. ±20'

D. ±30'

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20. X射线定向法的误差可以控制在（ ）范围内，准确度高。

A. ±10'

B. ±15'

C. ±20'

D. ±30'

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二 、多选题

1. 影响半导体单晶电化学腐蚀速度的因素主要有（ ）。

A. 腐蚀液的成分

B. 电极电位

C. 缓冲剂的影响

D. 腐蚀处理的温度和搅拌的影响

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2. 四探针法测量电阻率的测准条件主要有（ ）。

A. 样品的厚度必须大于3倍针距

B. 一般采用1～2mm左右的针距较适宜

C. 四根探针应处于同一平面的同一条直线上

D. 电流通过样品不应引起样品的电导率发生变化

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3. 自动软化系统出现下述情况之一（ ）就必须进行化学清洗。

A. 装置的纯水量比初期投运时或上一次清洗后降低5%-10%

B. 装置的单次的浓缩比比初期投运时或上一次清洗后降低10%-20%时渝粤题库，我们的目标是要做全覆盖、全正确的答案搜索服务。

C. 装置各段的压力差值为初期投运时或上一次清洗后的1-2倍

D. 装置需要长期停运时用保护溶液保护前

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4. 硅单晶光点定向测试中运用的仪器设备有以下（ ）。

A. 光点定向仪

B. 光源

C. 光屏

D. X光

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5. 质谱分析造成其误差较高的因素有（ ）。国开搜题

A. 杂质在样品中的不均匀分布

B. 元素本身的性质、样品中元素的选择及离子源火花条件对电离效率的影响

C. 离子质量影响用谱线黑度来反映强度

D. 主元素谱线的干扰

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三 、问答题

1. 简述离子交换法制备纯水交换、再生过程。

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2. 简述用分析法对三氯氢硅中痕量杂质的化学光谱测定的方法原理。

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3. 高频光电导衰退法测量非平衡少数载流子寿命的基本原理是什么？

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四 、配伍题

1. 将下列RO膜污染原因与适应药液一一对应。

A. 1.5%EDTA溶液

B. 碳酸盐结垢

C. 1%富尔马林溶液

D. 有机物污染及硫酸盐结构

E. 3%柠檬酸溶液

F. 细菌污染

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2. 将下列活性炭过滤器工作原理一一对应。

A. 向下穿过过滤料层，经下布水器收集返回中心管。国开一网一平台

B. 反洗

C. 原水由进水口进入控制阀，从阀芯的上部经阀体内，并由顶部进入罐体

D. 运行

E. 正洗

F. 水从底部进入活性炭过滤层后由上部排出

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3. 将下列半导体晶体缺陷类型一一对应。

A. 杂质沉淀渝粤题库

B. 宏观缺陷

C. 微观缺陷

D. 星形结构

E. 加工损伤

F. 表面机械损伤

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4. 红外线通过样品时可根据能量不灭定律表示为I0=IR+IK+IT ，请将以下变量物理意义一一对应。

A. R

B. 透射率

C. 吸收率

D. K

E. 反射率

F. T

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5. 将下列硅的腐蚀剂与腐蚀时间一一对应。

A. Sirtl腐蚀液

B. 10～15min

C. 20 min以上

D. Dash腐蚀液

E. 1～16h

F. Secco腐蚀液

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