【国开搜题】国家开放大学 一网一平台 光伏电池材料卷包007 期末考试押题试卷与答案

光伏电池材料卷包-007

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一 、单选题

1. 利用温差电效应来测量晶体硅导电类型的方法称为（ ）。

A. 冷热探针法

B. 整流法

C. 双电源动态电导法

D. 霍尔效应法

答案：A
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2. 用于测试硅片中少数载流子类型的测试是（ ）。

A. 四探针法国开一网一平台

B. 整流法

C. X射线法

D. 显微镜观察法

答案：B
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3. 最常用于测试硅片电阻率的方法是（ ）。

A. 扩展电阻法

B. 四探针法

C. 两探针法

D. 范德堡法

答案：B
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4. 关于硅的化学性质说法错误的是（ ）。

A. 硅单质在常温下化学性质十分稳定

B. 硅单质在常温下能与氢氟酸和硝酸的混合物反应

C. 在高温下，硅几乎与所有物质发生化学反应

D. 硅材料的一个重要优点就是硅表面很不容易氧化

答案：D
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5. 自然界中硅有三种同位素28Si，28Si，

28Si，存量最多的是（ ）。

A. 28Si

B. 29Si

C. 30Si渝粤教育

D. 不能确定

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6. 非晶硅具有大量的结构缺陷，主要是（ ）。

A. 悬挂键

B. 杂质

C. 位错

D. C-Si弱键

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7. 以下太阳电池成本（单位：美元/W）最低的是（ ）。

A. 非晶硅薄膜

B. 多晶硅

C. 铜铟镓硒

D. 微晶硅薄膜

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8. 硅片中磷扩散进行掺杂的原料是（ ）。

A. PH3

B. PH5

C. POCl3

D. B2O3

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9. 相平衡条件要求平衡相的（ ）相等。

A. 温度

B. 压强

C. 体积

D. 化学势

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10. 关于采用区域提纯法去除硅中硼杂质描述正确的是（ ）。

A. 几乎无效果

B. 效果明显

C. 取决于温度国开搜题

D. 取决于硼的含量

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11. 生产直拉单晶硅时，单晶炉内需要通入（ ）作为保护气体。

A. 空气

B. 氧气

C. 氩气

D. 氢气

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12. 生产直拉单晶硅时，单晶炉内需要通入（ ）作为保护气体。

A. 空气渝粤教育

B. 氧气

C. 氩气

D. 氢气

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13. 适用于制备高阻单晶硅和探测器高纯单晶硅的方法为（ ）。

A. 直拉法

B. 区熔法

C. 西门子法

D. 热交换法

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14. GaAs属于（ ）。

A. 面心立方结构渝粤教育

B. 体心立方结构

C. 闪锌矿结构

D. 金刚石结构

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15. 硅晶胞中的原子数为（ ）。

A. 1

B. 8

C. 14国开一网一平台

D. 4

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16. 关于染料敏化太阳电池中的纳米晶要求错误的是（ ）。

A. 高的比表面积和大量的孔隙

B. 尽可能多的吸附染料

C. 晶粒越大越好

D. 最大限度的与电解质紧密接触

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17. 以下太阳电池成本（单位：美元/W）最低的是（ ）。

A. 非晶硅薄膜

B. 多晶硅

C. 铜铟镓硒

D. 微晶硅薄膜

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18. 关于四氯化硅以下说法错误的是（ ）。

A. 无色而有刺鼻气味的液体

B. 熔点-70℃，沸点57.6℃

C. 可以经吸入、食入、经皮吸收，对眼睛及上呼吸道有强烈刺激作用

D. 不溶于苯、氯仿、石油醚等多数有机溶剂

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19. 关于四氯化硅以下说法错误的是（ ）。

A. 无色而有刺鼻气味的液体

B. 熔点-70℃，沸点57.6℃

C. 可以经吸入、食入、经皮吸收，对眼睛及上呼吸道有强烈刺激作用

D. 不溶于苯、氯仿、石油醚等多数有机溶剂

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20. 改良西门子法所采用的提纯工艺是（ ）。国开一网一平台

A. 吸附

B. 精馏

C. 物理提纯法

D. 区域提纯

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二 、多选题

1. 硅片的平整度一般用（ ）参数来表示。

A. BOW

B. TTV

C. TIR国开搜题

D. FPD

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2. 硅片清洗的作用是（ ）。

A. 提高绝缘性能

B. 去除边缘腐蚀时的油污、水气、灰尘

C. 降低杂质离子对P-N结性能的影响

D. 降低杂质的存在带来的硅片的电阻率不稳定渝粤教育

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3. 磷在硅中很容易去除，在于（ ）。

A. 磷在硅熔液中很快得到蒸发

B. 磷的密度小

C. 磷在硅中的分配系数小于1

D. 磷的熔点低

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4. 磷在硅中很容易去除，在于（ ）。

A. 磷在硅熔液中很快得到蒸发

B. 磷的密度小

C. 磷在硅中的分配系数小于1

D. 磷的熔点低

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5. 浇铸法的缺点在于（ ）。

A. 熔融和结晶使用不同的坩埚，会导致二次污染

B. 有坩埚翻转机构及引锭机构，使得其结构相对较复杂

C. 生产效率低

D. 能耗高

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6. 石英坩埚喷涂氮化硅的作用是（ ）。

A. 隔离硅熔体与石英坩埚，减少杂质渝粤搜题

B. 绝热，保温

C. 降低热应力

D. 有效较少碎裂，使坩埚能重复利用

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7. 目前工业生产中由高纯多晶硅生长单晶硅基本上以（ ）方法为主。

A. 区熔法

B. 热交换法

C. 直拉法

D. 浇铸法

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8. 改良西门子法生产多晶硅的主要优点有（ ）。

A. 节能

B. 降低物耗

C. 减少污染

D. 生长速度快

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9. 有机太阳电池基本的结构模型有（ ）。

A. PIN结构

B. 单层同异质结结构

C. 双层异质结结构

D. 单层混合膜异质结结构渝粤搜题

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10. 常用的多晶硅薄膜的制备方法有（ ）。

A. 利用化学气相沉积直接制备多晶硅薄膜

B. 非晶硅晶化制备

C. 将多晶硅片切薄

D. 对多晶硅片进行热处理

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三 、问答题

1. 晶体缺陷根据缺陷的空间几何图像的分类及各自代表性缺陷。

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2. 单晶硅生长和加工过程中，往往不可避免的会引入一些杂质，如氧、碳、氮等非金属杂质和某些金属杂质，这些杂质对硅材料的性能往往会有很大的影响。与氧、碳杂质相比，硅中杂质氮的浓度通常较低。简单叙述硅中氮的来源、存在形式及其对单晶硅的性能影响？

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