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2024秋最新国家开放大学国开电大机考期末光伏检测与分析06机考期末试卷参考试题

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光伏检测与分析-016关注公众号【飞鸟搜题】,回复【试题】获取试卷答案文档说明:本人针对该科精心汇总了历年题库及答案,形成一个完整的题库,并且每年都在更新。该题库对考生的复习、作业和考试起着非常重要的

光伏检测与分析-016

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文档说明:本人针对该科精心汇总了历年题库及答案,形成一个完整的题库,并且每年都在更新。该题库对考生的复习、作业和考试起着非常重要的作用,会给您节省大量的时间。做考题时,利用本文档中的查找工具,把考题中的关键字输到查找工具的查找内容框内,就可迅速查找到该题答案。本文库还有期末考核试题、其他网核及教学考一体化、一网一平台复习试题与答案,敬请查看。

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一 、单选题

1. 半导体硅的常用液体试剂腐蚀剂中HCL的浓度大致为( )。

A. 49%

B. 70%

C. 30%

D. 36%

答案:D
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2. 三探针法属于利用半导体的( )来测量导电类型的方法。

A. 温差电效应

B. 整流效应

C. 以上二种皆可

D. 以上二种皆不可

答案:B
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3. 双光束光栅红外分光光度计,测碳的分辨率应不大于( )。

A. 4cm-1

B. 3cm-1

C. 2cm-1

D. 1cm-1

答案:C
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4. 气相色谱法测定干法H2的组分岗位存在的环境因素是( )。

A. 液氮低温冻伤

B. 潜在氢气泄露引起的爆炸

C. 温度过高

D. 没有明显危险源

答案:B
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5. 光图定向法结果直观,操作( ),误差( )。

A. 简单 较大

B. 复杂 较大

C. 简单 较小

D. 复杂 较小

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6. 晶面指数最低的晶面总是具有( )的晶面间距。

A. 最小

B. 相等

C. 最大

D. 无法判断

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7. 以下表示晶面指数最恰当的是( )。

A. (664)

B. (463)

C. (333)

D. (246)

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8. 直拉单晶中氧含量头部与尾部相比( )。

A. 较高

B. 相同

C. 较低

D. 无法判断

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9. 以下那一项不是三氯氢硅中痕量磷的气象色谱测定步骤中,在温度680度和石英石的催化作用下,样品及其含磷杂质分别被氢还原产物( )。

A. 混合氯代硅烷

B. 氯化氢

C. 磷化氢

D.

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10. RO反渗透技术是利用( )为动力的膜分离过滤技术。

A. 吸附力

B. 离子交换

C. 电力

D. 压力差

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11. 当RO系统暂停使用一周以上时,系统应以( )浸泡,防止细菌在膜表面繁殖。

A. 5%盐酸

B. 1.0%浓度的亚硫酸氢纳

C. 4%氢氧化钠

D. 1%富尔马林溶液

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12. 下列哪一项不是天然水的三大杂质之一( )。

A. 悬浮物质

B. 挥发物质

C. 胶体物质

D. 溶解物质

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13. 对三氯氢硅中痕量杂质的分析采用蒸发法使用微量高纯水和SiHCL3作用产生少量( )水解物,对痕量杂质元素有吸附作用。

A. SiO2

B. SiH

C. HCL

D. Si

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14. 纯水是电阻率达到( )左右的水。

A. 8

B. 9

C. 10

D. 11

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15. 位错密度通常采用( )来表示,可在金相显微镜下测定。

A. 体密度

B. 面密度

C. 线密度

D. 以上皆不是

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16. ( )是影响硅器件的成品率的一个重要因素,也是影响器件性能的稳定性和可靠性的重要因素。

A. 点缺陷

B. 线缺陷

C. 面缺陷

D. 微缺陷

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17. 直拉单晶中氧含量头部与尾部相比( )。

A. 较高

B. 相同

C. 较低

D. 无法判断

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18. X射线定向法的误差可以控制在( )范围内,准确度高。

A. ±10'

B. ±15'

C. ±20'

D. ±30'

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19. 放射线同位素的量越多,放出的γ射线的强度( )。

A. 越小

B. 不变

C. 越大

D. 随机变化

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20. X射线定向法的误差可以控制在( )范围内,准确度高。

A. ±10'

B. ±15'

C. ±20'

D. ±30'

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二 、多选题

1. 半导体硅的常用腐蚀剂主要有( )。

A. Sirtl腐蚀液

B. Dash腐蚀液

C. Wright腐蚀液

D. Shimmel腐蚀液

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2. 目前常用的测量非平衡少数载流子寿命的方法,一般主要有( )。

A. 瞬态法

B. 直接法

C. 稳态法

D. 间接法

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3. 某样品受到红外线照射时,会产生以下( )现象。

A. 反射

B. 折射

C. 吸收

D. 透过

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4. X射线的衍射法精确度高,它受以下( )因素影响。

A. X射线束的发散性

B. X射线束准直性

C. 转角鼓轮读数轮刻度的精度

D. 天气温度

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5. 影响树脂再生的主要因素有( )。

A. 再生剂的类型、强度、浓度、流速、酸、碱液与离子交换树脂接触的时间等

B. 终点PH值的大小

C. 离子交换树脂的分离、反洗效果、混合程度、清洁卫生等

D. 杂质量的多少

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三 、问答题

1. 简述离子交换法制备纯水交换、再生过程。

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2. 简述用分析法对三氯氢硅中痕量杂质的化学光谱测定的方法原理。

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3. 简述在立方晶系中,一个晶面的晶面指数是如何决定的。

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四 、配伍题

1. 将下列RO膜污染原因与适应药液一一对应。

A. 1.5%EDTA溶液

B. 碳酸盐结垢

C. 1%富尔马林溶液

D. 有机物污染及硫酸盐结构

E. 3%柠檬酸溶液

F. 细菌污染

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2. 将下列自动软化系统工艺过程一一对应。

A. 再生用盐液在一定浓度、流量下,流经失效的树脂层,使其恢复原有的交换能力

B. 反洗

C. 向再生剂箱中注入溶液再生一次所需盐量的水

D. 再生吸盐+慢洗

E. 再生剂箱注水

F. 树脂失效后,在进行再生之前,先用水自上而下流出

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3. 硅中氧吸收峰的强弱与波长关系,请一一对应。

A. 1105.0cm-1

B.

C. 515.0cm-1

D.

E. 1205.0cm-1

F.

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4. 将下列测量电阻率方法及公式一一对应。

A. 两探针法

B.

C. 四探针法

D.

E.

F. 直流四探针法(直线排列)

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5. 将以下X射线定向仪主要构成部分一一对应。

A. 吸盘

B. X射线发生部分

C. X射线检测部分

D. X射线管

E. 样品台

F. 盖革计数管和计数时率计

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