2024秋最新国家开放大学国开电大机考期末光伏检测与分析09机考期末试卷参考试题

光伏检测与分析-019

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一 、单选题

1. 三探针法属于利用半导体的（ ）来测量导电类型的方法。

A. 温差电效应

B. 整流效应

C. 以上二种皆可

D. 以上二种皆不可

答案：B
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2. 用冷热探笔法测量导电类型时，热探笔的温度要适当，以（ ）为宜。

A. 30～50℃

B. 40～60℃

C. 50～70℃

D. 60～80℃

答案：B
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3. 光图定向法结果直观，操作（ ），误差（ ）。

A. 简单 较大

B. 复杂 较大

C. 简单 较小

D. 复杂 较小

答案：A
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4. 悬浮区熔法检验硅多晶中基磷含量时，采用快速区熔法的工艺，第一次区熔时，第一次熔区停留挥发时间（ ）左右。

A. 3min

B. 5min

C. 10min

D. 20min

答案：C
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5. 气相色谱法测定干法H2的组分岗位存在的环境因素是（ ）。

A. 液氮低温冻伤

B. 潜在氢气泄露引起的爆炸

C. 温度过高

D. 没有明显危险源

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6. 晶面指数最低的晶面总是具有（ ）的晶面间距。

A. 最小

B. 相等

C. 最大

D. 无法判断

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7. 以下表示晶面指数最恰当的是（ ）。

A. （664）

B. （463）

C. （333）

D. （246）

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8. 直拉单晶中氧含量头部与尾部相比（ ）。

A. 较高

B. 相同

C. 较低

D. 无法判断

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9. 露点法测定气体中的水分时，本岗位存在的危险源是（ ）。

A. 液氮低温冻伤

B. 潜在氢气泄露引起的爆炸

C. 温度过高

D. 没有明显危险源

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10. 三氯氢硅中痕量磷的气相色谱法的基本原则是（ ）法。

A. 自然挥发法

B. 基于时间的差别进行分离

C. 过滤

D. 化学分离

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11. RO反渗透技术是利用（ ）为动力的膜分离过滤技术。

A. 吸附力

B. 离子交换

C. 电力

D. 压力差

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12. 超纯水是电阻率达到（ ）左右的水。

A. 16

B. 17

C. 18

D. 19

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13. 树脂失效表明离子交换树脂可供交换的（ ）大为减少。

A. CL-

B. Na

C. H+和OH-

D. Ca

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14. 纯水是电阻率达到（ ）左右的水。

A. 8

B. 9

C. 10

D. 11

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15. （ ）是影响硅器件的成品率的一个重要因素，也是影响器件性能的稳定性和可靠性的重要因素。

A. 点缺陷

B. 线缺陷

C. 面缺陷

D. 微缺陷

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16. （ ）是影响硅器件的成品率的一个重要因素，也是影响器件性能的稳定性和可靠性的重要因素。

A. 点缺陷

B. 线缺陷

C. 面缺陷

D. 微缺陷

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17. 露点法测定气体中的水分时，本岗位存在的危险源是（ ）。

A. 液氮低温冻伤

B. 潜在氢气泄露引起的爆炸

C. 温度过高

D. 没有明显危险源

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18. 放射线同位素的量越多，放出的γ射线的强度（ ）。

A. 越小

B. 不变

C. 越大

D. 随机变化

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19. X射线定向法的误差可以控制在（ ）范围内，准确度高。

A. ±10'

B. ±15'

C. ±20'

D. ±30'

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20. X射线定向法的误差可以控制在（ ）范围内，准确度高。

A. ±10'

B. ±15'

C. ±20'

D. ±30'

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二 、多选题

1. 由于硅晶体经历了各种温度的热处理，过饱和的间隙氧会在硅晶体中偏聚和沉淀，形成了（ ）。

A. 氧施主

B. 氧沉淀

C. 二次缺陷

D. 氧分离

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2. 测量少数载流子寿命时注入比控制的方法主要有（ ）方面。

A. 控制氙灯的闪光电压

B. 加滤光片

C. 加光阑

D. 加热硅单晶

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3. X射线的衍射法精确度高，它受以下（ ）因素影响。

A. X射线束的发散性

B. X射线束准直性

C. 转角鼓轮读数轮刻度的精度

D. 天气温度

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4. 由于硅晶体经历了各种温度的热处理，过饱和的间隙氧会在硅晶体中偏聚和沉淀，形成了（ ）。

A. 氧施主

B. 氧沉淀

C. 二次缺陷

D. 氧分离

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5. 离子交换法制备纯水时，新树脂的预处理方式是（ ）。

A. 膨胀处理

B. 混合处理

C. 变形处理

D. 稀释处理

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三 、问答题

1. 简述离子交换法制备纯水交换、再生过程。

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2. 简述用分析法对三氯氢硅中痕量杂质的化学光谱测定的方法原理。

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3. 为什么测量半导体硅单晶导电类型时，要对单晶的被测表面进行喷砂处理？

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四 、配伍题

1. 将下列分析项目与分析方法一一对应。

A. 基于时间的差别进行分离

B. 三氯氢硅中硼的分析

C. 三氯氢硅中痕量磷的气相色谱测定

D. 自然挥发法

E. 异常透射法

F. X射线形貌技术

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2. 将下列混床再生中操作步骤一一对应。

A. 再生剂为5%的NaOH，用量为树脂体积的3-5倍， 从上口进入，控制一定流速，维持液面顺流通过

B. 逆洗分层

C. 强碱性阴离子交换树脂再生

D. 水从底部进入，上口排出，树脂均匀地松弛蓬松开来，可加大水流速以冲不出树脂为原则，洗至出水清高度

E. 再生剂为5%盐酸，用酸量为阳离子交换树脂体积的2-3倍

F. 强酸性阳离子交换树脂再生

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3. 多晶硅中基硼含量式：，请将以下变量物理意义一一对应。

A. P型电阻率

B. ρB

C. 电子电荷

D. e

E. 空穴迁移率

F. μp

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4. 将下列半导体硅的常用腐蚀剂液体试剂的浓度一一对应。

A. 冰醋酸

B. HCL

C. HAc

D. 36%

E. H2O2

F. 30%

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5. 在实际测量中，求可用如下公式，，请将以下变量物理意义一一对应。

A.

B. 从吸收峰到零透射线的测量值

C. 从氧峰所对应的波数值横坐标的垂线与基线的交点到零透射线的测量值

D. I

E. I0

F. 吸收系数

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