2024秋最新国家开放大学国开电大机考期末光伏检测与分析7机考期末试卷参考试题

光伏检测与分析-007

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一 、单选题

1. 用冷热探笔法测量（ ）半导体时，冷端带正电，热端带负电。

A. P型

B. N型

C. PN型

D. 以上皆不是

答案：A
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2. 半导体硅的常用液体试剂腐蚀剂中HCL的浓度大致为（ ）。

A. 49%

B. 70%

C. 30%

D. 36%

答案：D
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3. 光图定向法结果直观，操作（ ），误差（ ）。

A. 简单 较大

B. 复杂 较大

C. 简单 较小

D. 复杂 较小

答案：A
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4. 质谱的定量分析是在质谱图上，谱线的峰值所对应的离子流强度即谱线的黑度代表了（ ）从而进行杂质分析。

A. 离子的质量

B. 离子的浓度

C. 离子的运动

D. 离子的温度

答案：B
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5. 硅晶体中，氧的分凝系数（ ）1，碳的分凝系数（ ）1。

A. 大于 小于

B. 大于 大于

C. 小于 小于

D. 小于 大于

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6. 以下表示晶面指数最恰当的是（ ）。

A. （664）

B. （463）

C. （333）

D. （246）

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7. 直拉单晶中氧含量头部与尾部相比（ ）。

A. 较高

B. 相同

C. 较低

D. 无法判断

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8. 晶面指数最低的晶面总是具有（ ）的晶面间距。

A. 最小

B. 相等

C. 最大

D. 无法判断

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9. 露点法测定气体中的水分时，本岗位存在的危险源是（ ）。

A. 液氮低温冻伤

B. 潜在氢气泄露引起的爆炸

C. 温度过高

D. 没有明显危险源

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10. 当RO系统暂停使用一周以上时，系统应以（ ）浸泡，防止细菌在膜表面繁殖。

A. 5%盐酸

B. 1.0%浓度的亚硫酸氢纳

C. 4%氢氧化钠

D. 1%富尔马林溶液

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11. 以下那一项不是三氯氢硅中痕量磷的气象色谱测定步骤中，在温度680度和石英石的催化作用下，样品及其含磷杂质分别被氢还原产物（ ）。

A. 混合氯代硅烷

B. 氯化氢

C. 磷化氢

D. 水

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12. 对三氯氢硅中痕量杂质的分析采用蒸发法使用微量高纯水和SiHCL3作用产生少量（ ）水解物，对痕量杂质元素有吸附作用。

A. SiO2

B. SiH

C. HCL

D. Si

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13. 树脂失效表明离子交换树脂可供交换的（ ）大为减少。

A. CL-

B. Na

C. H+和OH-

D. Ca

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14. 制取高纯水时一般采用（ ）交换树脂和（ ）交换树脂。

A. 强酸型阳离子 强碱型阴离子

B. 强碱型阴离子 强酸型阳离子

C. 强酸型阳离子 强酸型阴离子

D. 强碱型阳离子 强碱型阳离子

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15. 漩涡缺陷是晶体中（ ）的局部聚集。

A. 点缺陷

B. 线缺陷

C. 面缺陷

D. 微缺陷

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16. 硅单晶样品对红外光的反射率越（ ），吸收系数越（ ），那么红外光的透射率就越小。

A. 高 大

B. 高 小

C. 低 大

D. 低 小

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17. 直拉单晶中氧含量头部与尾部相比（ ）。

A. 较高

B. 相同

C. 较低

D. 无法判断

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18. X射线定向法的误差可以控制在（ ）范围内，准确度高。

A. ±10'

B. ±15'

C. ±20'

D. ±30'

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19. X射线定向法的误差可以控制在（ ）范围内，准确度高。

A. ±10'

B. ±15'

C. ±20'

D. ±30'

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20. 放射线同位素的量越多，放出的γ射线的强度（ ）。

A. 越小

B. 不变

C. 越大

D. 随机变化

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二 、多选题

1. 由于硅晶体经历了各种温度的热处理，过饱和的间隙氧会在硅晶体中偏聚和沉淀，形成了（ ）。

A. 氧施主

B. 氧沉淀

C. 二次缺陷

D. 氧分离

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2. 国内外半导体硅单晶导电类型的测量具体方法有（ ）。

A. 冷热探笔法

B. 三探针法

C. 单探针点接触整流法

D. 冷探笔法

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3. 露点法测定气体中水分的过程控制表述正确有（ ）。

A. 用金属导管将被测气体导入露点瓶，出口气体经石蜡液封瓶放空测定前要赶气1h

B. 测定时，在封底铜管内加入制冷剂，在插入一直-80℃低温温度计小心搅拌，使温度下降，注意观察，当喷口所对的铜管表面出现露斑，即读出温度值，这就是测得的露点温度

C. 测定流速控制在250—300ml/min

D. 通常测-34℃以下气体观察到的是霜点，根据实验测得霜点和露点相应温度差约4℃

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4. X射线的衍射法精确度高，它受以下（ ）因素影响。

A. X射线束的发散性

B. X射线束准直性

C. 转角鼓轮读数轮刻度的精度

D. 天气温度

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5. 硅单晶光点定向测试中运用的仪器设备有以下（ ）。

A. 光点定向仪

B. 光源

C. 光屏

D. X光

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三 、问答题

1. 简述离子交换法制备纯水交换、再生过程。

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2. 简述用分析法对三氯氢硅中痕量杂质的化学光谱测定的方法原理。

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3. 高频光电导衰退法测量非平衡少数载流子寿命的基本原理是什么？

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四 、配伍题

1. 将下列气相色谱法测定干法H2的组分时样品测试各恒温系统与温度一一对应。

A. 层析室

B. 80℃±5℃

C. 70℃±5℃

D. 检测室

E. 气化室

F. 100℃±5℃

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2. 将下列混床树脂再生步骤与内容一一对应。

A. 逆流分层

B. 由入酸口将6%-10%的盐酸溶液，流入柱内，严格控制流过阳离子交换树脂层的流速，使其在0.5-1h内流完

C. 碱液再生阴离子交换树脂

D. 对树脂进行短时间的强烈反冲，使阴阳离子交换树脂充分分层

E. 酸液再生阴离子交换树脂

F. 由入碱口或入水口将2-3倍阴离子交换树脂体积的4%-6%的NaOH溶液注入柱内，控制流速，使其在15-30min流完

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3. 多晶硅中基硼含量式：，请将以下变量物理意义一一对应。

A. P型电阻率

B. ρB

C. 电子电荷

D. e

E. 空穴迁移率

F. μp

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4. 将以下X射线定向仪主要构成部分一一对应。

A. 吸盘

B. X射线发生部分

C. X射线检测部分

D. X射线管

E. 样品台

F. 盖革计数管和计数时率计

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5. 将下列半导体硅的常用腐蚀剂液体试剂的浓度一一对应。

A. 70%

B. HF

C. 49%

D. HNO3

E. H2O2

F. 30%

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