2024秋最新国家开放大学国开电大机考期末光伏检测与分析3机考期末试卷参考试题

光伏检测与分析-003

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一 、单选题

1. 冷热探笔法属于利用半导体的（ ）来测量导电类型的方法。

A. 温差电效应

B. 整流效应

C. 以上二种皆可

D. 以上二种皆不可

答案：A
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2. 半导体硅的常用液体试剂腐蚀剂中HCL的浓度大致为（ ）。

A. 49%

B. 70%

C. 30%

D. 36%

答案：D
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3. 硅晶体中，氧的分凝系数（ ）1，碳的分凝系数（ ）1。

A. 大于 小于

B. 大于 大于

C. 小于 小于

D. 小于 大于

答案：A
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4. 悬浮区熔法检验硅多晶中基磷含量时，采用快速区熔法的工艺，第一次区熔时，第一次熔区停留挥发时间（ ）左右。

A. 3min

B. 5min

C. 10min

D. 20min

答案：C
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5. 质谱的定量分析是在质谱图上，谱线的峰值所对应的离子流强度即谱线的黑度代表了（ ）从而进行杂质分析。

A. 离子的质量

B. 离子的浓度

C. 离子的运动

D. 离子的温度

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6. 直拉单晶中氧含量头部与尾部相比（ ）。

A. 较高

B. 相同

C. 较低

D. 无法判断

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7. 晶面指数最低的晶面总是具有（ ）的晶面间距。

A. 最小

B. 相等

C. 最大

D. 无法判断

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8. 以下表示晶面指数最恰当的是（ ）。

A. （664）

B. （463）

C. （333）

D. （246）

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9. 露点法测定气体中的水分时，本岗位存在的危险源是（ ）。

A. 液氮低温冻伤

B. 潜在氢气泄露引起的爆炸

C. 温度过高

D. 没有明显危险源

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10. 当RO系统暂停使用一周以上时，系统应以（ ）浸泡，防止细菌在膜表面繁殖。

A. 5%盐酸

B. 1.0%浓度的亚硫酸氢纳

C. 4%氢氧化钠

D. 1%富尔马林溶液

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11. 三氯氢硅中痕量磷的气相色谱法的基本原则是（ ）法。

A. 自然挥发法

B. 基于时间的差别进行分离

C. 过滤

D. 化学分离

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12. 纯水是电阻率达到（ ）左右的水。

A. 8

B. 9

C. 10

D. 11

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13. 超纯水是电阻率达到（ ）左右的水。

A. 16

B. 17

C. 18

D. 19

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14. 下列哪一项不是天然水的三大杂质之一（ ）。

A. 悬浮物质

B. 挥发物质

C. 胶体物质

D. 溶解物质

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15. （ ）是影响硅器件的成品率的一个重要因素，也是影响器件性能的稳定性和可靠性的重要因素。

A. 点缺陷

B. 线缺陷

C. 面缺陷

D. 微缺陷

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16. 位错密度通常采用（ ）来表示，可在金相显微镜下测定。

A. 体密度

B. 面密度

C. 线密度

D. 以上皆不是

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17. 漩涡缺陷是晶体中（ ）的局部聚集。

A. 点缺陷

B. 线缺陷

C. 面缺陷

D. 微缺陷

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18. 放射线同位素的量越多，放出的γ射线的强度（ ）。

A. 越小

B. 不变

C. 越大

D. 随机变化

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19. X射线定向法的误差可以控制在（ ）范围内，准确度高。

A. ±10'

B. ±15'

C. ±20'

D. ±30'

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20. X射线定向法的误差可以控制在（ ）范围内，准确度高。

A. ±10'

B. ±15'

C. ±20'

D. ±30'

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二 、多选题

1. 构成电化学腐蚀需要具备的条件主要有（ ）。

A. 被腐蚀的半导体各个部分或区域之间存在电位差

B. 具有不同电极电位的半导体各部分要互相接触

C. 半导体电极电位的不同部分处于互相连通的电解质溶液中

D. 电解质腐蚀液可以是各种酸性或碱性的

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2. 用接触法测量半导体单晶电阻率的方法主要有（ ）。

A. 两探针法

B. 四探针法

C. 扩展电阻法

D. 范德堡法

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3. 自动软化系统出现下述情况之一（ ）就必须进行化学清洗。

A. 装置的纯水量比初期投运时或上一次清洗后降低5%-10%

B. 装置的单次的浓缩比比初期投运时或上一次清洗后降低10%-20%时

C. 装置各段的压力差值为初期投运时或上一次清洗后的1-2倍

D. 装置需要长期停运时用保护溶液保护前

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4. 在立方晶系中，主要有如下（ ）性质。

A. a=b=c

B. 体积

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5. 露点法测定气体中水分的过程控制表述正确有（ ）。

A. 用金属导管将被测气体导入露点瓶，出口气体经石蜡液封瓶放空测定前要赶气1h

B. 测定时，在封底铜管内加入制冷剂，在插入一直-80℃低温温度计小心搅拌，使温度下降，注意观察，当喷口所对的铜管表面出现露斑，即读出温度值，这就是测得的露点温度

C. 测定流速控制在250—300ml/min

D. 通常测-34℃以下气体观察到的是霜点，根据实验测得霜点和露点相应温度差约4℃

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三 、问答题

1. 简述离子交换法制备纯水交换、再生过程。

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2. 简述用分析法对三氯氢硅中痕量杂质的化学光谱测定的方法原理。

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3. 高频光电导衰退法测量非平衡少数载流子寿命的基本原理是什么？

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四 、配伍题

1. 将下列RO膜污染原因与适应药液一一对应。

A. 1.5%EDTA溶液

B. 碳酸盐结垢

C. 有机物污染及硫酸盐结构

D. 1%富尔马林溶液

E. 3%柠檬酸溶液

F. 细菌污染

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2. 将下列天然水中杂质三大部分情况一一对应。

A. 溶胶、硅胶、铁、铝

B. 悬浮物质

C. 胶体物质

D. 细菌、泥沙、黏土等其他不容物质

E. 溶解物质

F. Ca 、Mg、N【A.】Fe、Mn的酸式碳酸盐

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3. 将下列半导体晶体缺陷类型一一对应。

A. 杂质沉淀

B. 宏观缺陷

C. 微观缺陷

D. 星形结构

E. 加工损伤

F. 表面机械损伤

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4. 将下列半导体硅的常用腐蚀剂液体试剂的浓度一一对应。

A. 70%

B. HF

C. 49%

D. HNO3

E. H2O2

F. 30%

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5. 将以下X射线定向仪主要构成部分一一对应。

A. 吸盘

B. X射线发生部分

C. X射线检测部分

D. X射线管

E. 样品台

F. 盖革计数管和计数时率计

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