2024秋最新国家开放大学国开电大机考期末光伏电池材料卷包00机考期末试卷参考试题

光伏电池材料卷包-001

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一 、单选题

1. 最常用于测试硅片电阻率的方法是（ ）。

A. 扩展电阻法

B. 四探针法

C. 两探针法

D. 范德堡法

答案：B
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2. 最常用于测试硅片电阻率的方法是（ ）。

A. 扩展电阻法

B. 四探针法

C. 两探针法

D. 范德堡法

答案：B
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3. 少子寿命的物理意义是（ ）。

A. 非平衡少数载流子复合所需要的平均时间

B. 非平衡少数载流子扩散所需要的平均时间

C. 非平衡少数载流子跃迁所需要的平均时间

D. 以上都不对

答案：A
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4. 关于二氧化硅以下说法错误的是（ ）。

A. 制造冶金硅的主要原料之一

B. 能与HF反应

C. SiO2不溶于水，但能于热的浓碱溶液反应生成硅酸盐，反应较快

D. 石英是地壳中分布很少的矿物质

答案：D
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5. 关于硅的化学性质说法错误的是（ ）。

A. 硅单质在常温下化学性质十分稳定

B. 硅单质在常温下能与氢氟酸和硝酸的混合物反应

C. 在高温下，硅几乎与所有物质发生化学反应

D. 硅材料的一个重要优点就是硅表面很不容易氧化

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6. 非晶硅具有大量的结构缺陷，主要是（ ）。

A. 悬挂键

B. 杂质

C. 位错

D. C-Si弱键

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7. 以下太阳电池成本（单位：美元/W）最低的是（ ）。

A. 非晶硅薄膜

B. 多晶硅

C. 铜铟镓硒

D. 微晶硅薄膜

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8. 区熔法制备单晶硅时，以下说法正确的是（ ）。

A. 不需要坩埚

B. 需要一个石英坩埚用于溶化

C. 需要一个石英坩埚和一个石墨坩埚

D. 需要一个石墨坩埚

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9. 相平衡条件要求平衡相的（ ）相等。

A. 温度

B. 压强

C. 体积

D. 化学势

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10. 关于采用区域提纯法去除硅中硼杂质描述正确的是（ ）。

A. 几乎无效果

B. 效果明显

C. 取决于温度

D. 取决于硼的含量

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11. 二元相图通常采用（）的坐标系。

A. 温度-压力（T-p）图

B. 温度-浓度（T-x）图

C. 三棱柱模型

D. 压强-浓度（p-x）图

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12. 直拉法生长单晶硅所采用的石墨坩埚可以多次使用，它的作用是（ ）。

A. 盛硅熔体

B. 补充氧

C. 支撑石英坩埚

D. 加热

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13. 生产直拉单晶硅时，单晶炉内需要通入（ ）作为保护气体。

A. 空气

B. 氧气

C. 氩气

D. 氢气

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14. GaAs属于（ ）。

A. 面心立方结构

B. 体心立方结构

C. 闪锌矿结构

D. 金刚石结构

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15. 多晶硅属于（ ）。

A. 面心立方结构

B. 体心立方结构

C. 金刚石结构

D. 简单立方结构

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16. 以下太阳电池成本（单位：美元/W）最低的是（ ）。

A. 非晶硅薄膜

B. 多晶硅

C. 铜铟镓硒

D. 微晶硅薄膜

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17. 关于染料敏化太阳电池中的纳米晶要求错误的是（ ）。

A. 高的比表面积和大量的孔隙

B. 尽可能多的吸附染料

C. 晶粒越大越好

D. 最大限度的与电解质紧密接触

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18. 关于四氯化硅以下说法错误的是（ ）。

A. 无色而有刺鼻气味的液体

B. 熔点-70℃，沸点57.6℃

C. 可以经吸入、食入、经皮吸收，对眼睛及上呼吸道有强烈刺激作用

D. 不溶于苯、氯仿、石油醚等多数有机溶剂

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19. 改良西门子法所采用的提纯工艺是（ ）。

A. 吸附

B. 精馏

C. 物理提纯法

D. 区域提纯

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20. Dash工艺主要解决的是（ ）。

A. 加入转晶

B. 减少位错

C. 放肩

D. 热应力

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二 、多选题

1. 硅片的翘曲度一般用（ ）参数来表示。

A. BOW

B. TTV

C. TIR

D. WARP

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2. 硅片清洗的作用是（ ）。

A. 提高绝缘性能

B. 去除边缘腐蚀时的油污、水气、灰尘

C. 降低杂质离子对P-N结性能的影响

D. 降低杂质的存在带来的硅片的电阻率不稳定

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3. 制备性能优良的太阳能电池，在铸造多晶硅晶体生长时，需要解决的问题有（ ）

A. 尽量大的晶粒

B. 尽量均匀的固液界面温度

C. 尽量小的热应力

D. 尽可能减少来自坩埚的污染

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4. 影响铸造多晶硅晶体生长的主要因素包括（ ）。

A. 固液界面

B. 热应力

C. 来自坩埚的污染等

D. 保护气氛

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5. 浇铸法的缺点在于（ ）。

A. 熔融和结晶使用不同的坩埚，会导致二次污染

B. 有坩埚翻转机构及引锭机构，使得其结构相对较复杂

C. 生产效率低

D. 能耗高

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6. 石英坩埚喷涂氮化硅的作用是（ ）。

A. 隔离硅熔体与石英坩埚，减少杂质

B. 绝热，保温

C. 降低热应力

D. 有效较少碎裂，使坩埚能重复利用

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7. 改良西门子法生产多晶硅的主要优点有（ ）。

A. 节能

B. 降低物耗

C. 减少污染

D. 生长速度快

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8. 工业吸附对于吸附剂的要求包括（ ）。

A. 具有较大的内表面，吸附容量大

B. 选择性高

C. 具有一定的机械强度，抗磨损

D. 有良好的物理及化学性能，耐热冲击，耐腐蚀

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9. 关于硅的电阻率说法正确的是（ ）。

A. 在高纯硅中掺入极微量的电活性杂质，其电阻率会显著下降

B. 硅的电导率对外界因素（如光、热、磁等）高度敏感

C. N型半导体中也有自由电子，但数量很少，称为少数载流子

D. N型半导体和P型半导体的导电能力都比本征半导体大得多

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10. 非晶硅太阳电池成本低原因在于（ ）。

A. 廉价的衬底材料

B. 制备是在低温下进行

C. 可柔性化

D. 非晶硅薄膜仅有数百纳米厚度

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三 、问答题

1. 简述太阳能电池用单晶硅加工所经历的滚圆、切片、倒角、磨片、化学腐蚀等5道主要工序的目的。

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2. 单晶硅生长和加工过程中，往往不可避免的会引入一些杂质，如氧、碳、氮等非金属杂质和某些金属杂质，这些杂质对硅材料的性能往往会有很大的影响。与氧、碳杂质相比，硅中杂质氮的浓度通常较低。简单叙述硅中氮的来源、存在形式及其对单晶硅的性能影响？

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