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2024秋最新国家开放大学国开电大机考期末光伏检测与分析05机考期末试卷参考试题

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光伏检测与分析-015关注公众号【飞鸟搜题】,回复【试题】获取试卷答案文档说明:本人针对该科精心汇总了历年题库及答案,形成一个完整的题库,并且每年都在更新。该题库对考生的复习、作业和考试起着非常重要的

光伏检测与分析-015

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文档说明:本人针对该科精心汇总了历年题库及答案,形成一个完整的题库,并且每年都在更新。该题库对考生的复习、作业和考试起着非常重要的作用,会给您节省大量的时间。做考题时,利用本文档中的查找工具,把考题中的关键字输到查找工具的查找内容框内,就可迅速查找到该题答案。本文库还有期末考核试题、其他网核及教学考一体化、一网一平台复习试题与答案,敬请查看。

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一 、单选题

1. 用冷热探笔法测量( )半导体时,冷端带负电,热端带正电。

A. P型

B. N型

C. PN型

D. 以上皆不是

答案:B
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2. 半导体硅的常用液体试剂腐蚀剂中HCL的浓度大致为( )。

A. 49%

B. 70%

C. 30%

D. 36%

答案:D
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3. 双光束光栅红外分光光度计,测碳的分辨率应不大于( )。

A. 4cm-1

B. 3cm-1

C. 2cm-1

D. 1cm-1

答案:C
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4. 气相色谱法测定干法H2的组分岗位存在的环境因素是( )。

A. 液氮低温冻伤

B. 潜在氢气泄露引起的爆炸

C. 温度过高

D. 没有明显危险源

答案:B
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5. 硅晶体中,氧的分凝系数( )1,碳的分凝系数( )1。

A. 大于 小于

B. 大于 大于

C. 小于 小于

D. 小于 大于

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6. 以下表示晶面指数最恰当的是( )。

A. (664)

B. (463)

C. (333)

D. (246)

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7. 晶面指数最低的晶面总是具有( )的晶面间距。

A. 最小

B. 相等

C. 最大

D. 无法判断

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8. 直拉单晶中氧含量头部与尾部相比( )。

A. 较高

B. 相同

C. 较低

D. 无法判断

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9. 以下那一项不是三氯氢硅中痕量磷的气象色谱测定步骤中,在温度680度和石英石的催化作用下,样品及其含磷杂质分别被氢还原产物( )。

A. 混合氯代硅烷

B. 氯化氢

C. 磷化氢

D.

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10. 露点法测定气体中的水分时,本岗位存在的危险源是( )。

A. 液氮低温冻伤

B. 潜在氢气泄露引起的爆炸

C. 温度过高

D. 没有明显危险源

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11. 当RO系统暂停使用一周以上时,系统应以( )浸泡,防止细菌在膜表面繁殖。

A. 5%盐酸

B. 1.0%浓度的亚硫酸氢纳

C. 4%氢氧化钠

D. 1%富尔马林溶液

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12. 制取高纯水时一般采用( )交换树脂和( )交换树脂。

A. 强酸型阳离子 强碱型阴离子

B. 强碱型阴离子 强酸型阳离子

C. 强酸型阳离子 强酸型阴离子

D. 强碱型阳离子 强碱型阳离子

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13. 超纯水是电阻率达到( )左右的水。

A. 16

B. 17

C. 18

D. 19

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14. 树脂失效表明离子交换树脂可供交换的( )大为减少。

A. CL-

B. Na

C. H+和OH-

D. Ca

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15. ( )是影响硅器件的成品率的一个重要因素,也是影响器件性能的稳定性和可靠性的重要因素。

A. 点缺陷

B. 线缺陷

C. 面缺陷

D. 微缺陷

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16. 硅单晶样品对红外光的反射率越( ),吸收系数越( ),那么红外光的透射率就越小。

A. 高 大

B. 高 小

C. 低 大

D. 低 小

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17. 直拉单晶中氧含量头部与尾部相比( )。

A. 较高

B. 相同

C. 较低

D. 无法判断

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18. X射线定向法的误差可以控制在( )范围内,准确度高。

A. ±10'

B. ±15'

C. ±20'

D. ±30'

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19. X射线定向法的误差可以控制在( )范围内,准确度高。

A. ±10'

B. ±15'

C. ±20'

D. ±30'

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20. 放射线同位素的量越多,放出的γ射线的强度( )。

A. 越小

B. 不变

C. 越大

D. 随机变化

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二 、多选题

1. 由于硅晶体经历了各种温度的热处理,过饱和的间隙氧会在硅晶体中偏聚和沉淀,形成了( )。

A. 氧施主

B. 氧沉淀

C. 二次缺陷

D. 氧分离

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2. 露点法测定气体中职业健康安全运行控制正确的是( )。

A. 存在危险源:液氮低温冻伤

B. 因没有有毒气体不必做任何防护

C. 在分析氢气露点时用大气赶走气,要注意把氢气引到室外

D. 操作过程酒精可不必谈注意

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3. 利用X射线形貌图来计算单晶中位错密度常用的方法有( )。

A. 利用X射线形貌立体投影的方法

B. 计算单位体积中位错线的长度

C. 计算形貌图上穿过一定长度的位错线的数目

D. 缀饰法

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4. 自动软化系统反洗的目的是( )。

A. 通过反洗,试运行中压紧的树脂层松动,有利于树脂颗粒与再生液充分接触

B. 使树脂表面积累的悬浮物及碎树脂随反洗水排出,从而使交换器的水流阻力不会越来越大

C. 清除树脂层中残留的再生废液

D. 提高软化效果

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5. 某样品受到红外线照射时,会产生以下( )现象。

A. 反射

B. 折射

C. 吸收

D. 透过

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三 、问答题

1. 简述离子交换法制备纯水交换、再生过程。

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2. 简述用分析法对三氯氢硅中痕量杂质的化学光谱测定的方法原理。

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3. 为什么测量半导体硅单晶导电类型时,要对单晶的被测表面进行喷砂处理?

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四 、配伍题

1. 将下列RO膜污染原因与适应药液一一对应。

A. 1.5%EDTA溶液

B. 碳酸盐结垢

C. 1%富尔马林溶液

D. 有机物污染及硫酸盐结构

E. 3%柠檬酸溶液

F. 细菌污染

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2. 将下列混床树脂再生步骤与内容一一对应。

A. 逆流分层

B. 由入酸口将6%-10%的盐酸溶液,流入柱内,严格控制流过阳离子交换树脂层的流速,使其在0.5-1h内流完

C. 碱液再生阴离子交换树脂

D. 对树脂进行短时间的强烈反冲,使阴阳离子交换树脂充分分层

E. 酸液再生阴离子交换树脂

F. 由入碱口或入水口将2-3倍阴离子交换树脂体积的4%-6%的NaOH溶液注入柱内,控制流速,使其在15-30min流完

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3. 由于晶胞参数关系,在立方晶体中,某些晶面和晶向是相互垂直的,请一一对应。

A. [100]晶向

B. [111]晶面

C. [111]晶向

D. [100]晶面

E. [110]晶向

F. [110]晶面

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4. 将以下X射线定向仪主要构成部分一一对应。

A. 吸盘

B. X射线发生部分

C. X射线检测部分

D. X射线管

E. 样品台

F. 盖革计数管和计数时率计

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5. 将下列硅的腐蚀剂与腐蚀时间一一对应。

A. 10~15min

B. Shimmle腐蚀液

C. 20 min以上

D. Wright腐蚀液

E. Sirtl腐蚀液

F. 5min

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