2024秋最新国家开放大学国开电大机考期末光伏检测与分析5机考期末试卷参考试题

光伏检测与分析-005

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一 、单选题

1. 半导体硅的常用液体试剂腐蚀剂中HCL的浓度大致为（ ）。

A. 49%

B. 70%

C. 30%

D. 36%

答案：D
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2. 用冷热探笔法测量（ ）半导体时，冷端带负电，热端带正电。

A. P型

B. N型

C. PN型

D. 以上皆不是

答案：B
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3. 气相色谱法测定干法H2的组分岗位存在的环境因素是（ ）。

A. 液氮低温冻伤

B. 潜在氢气泄露引起的爆炸

C. 温度过高

D. 没有明显危险源

答案：B
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4. 双光束光栅红外分光光度计，测碳的分辨率应不大于（ ）。

A. 4cm-1

B. 3cm-1

C. 2cm-1

D. 1cm-1

答案：C
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5. 悬浮区熔法检验硅多晶中基磷含量时，采用快速区熔法的工艺，第一次区熔时，第一次熔区停留挥发时间（ ）左右。

A. 3min

B. 5min

C. 10min

D. 20min

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6. 以下表示晶面指数最恰当的是（ ）。

A. （664）

B. （463）

C. （333）

D. （246）

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7. 晶面指数最低的晶面总是具有（ ）的晶面间距。

A. 最小

B. 相等

C. 最大

D. 无法判断

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8. 直拉单晶中氧含量头部与尾部相比（ ）。

A. 较高

B. 相同

C. 较低

D. 无法判断

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9. 露点法测定气体中的水分时，本岗位存在的危险源是（ ）。

A. 液氮低温冻伤

B. 潜在氢气泄露引起的爆炸

C. 温度过高

D. 没有明显危险源

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10. 三氯氢硅中痕量磷的气相色谱法的基本原则是（ ）法。

A. 自然挥发法

B. 基于时间的差别进行分离

C. 过滤

D. 化学分离

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11. RO反渗透技术是利用（ ）为动力的膜分离过滤技术。

A. 吸附力

B. 离子交换

C. 电力

D. 压力差

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12. 对三氯氢硅中痕量杂质的分析采用蒸发法使用微量高纯水和SiHCL3作用产生少量（ ）水解物，对痕量杂质元素有吸附作用。

A. SiO2

B. SiH

C. HCL

D. Si

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13. 下列哪一项不是天然水的三大杂质之一（ ）。

A. 悬浮物质

B. 挥发物质

C. 胶体物质

D. 溶解物质

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14. 超纯水是电阻率达到（ ）左右的水。

A. 16

B. 17

C. 18

D. 19

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15. 位错密度通常采用（ ）来表示，可在金相显微镜下测定。

A. 体密度

B. 面密度

C. 线密度

D. 以上皆不是

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16. 硅单晶样品对红外光的反射率越（ ），吸收系数越（ ），那么红外光的透射率就越小。

A. 高 大

B. 高 小

C. 低 大

D. 低 小

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17. 直拉单晶中氧含量头部与尾部相比（ ）。

A. 较高

B. 相同

C. 较低

D. 无法判断

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18. X射线定向法的误差可以控制在（ ）范围内，准确度高。

A. ±10'

B. ±15'

C. ±20'

D. ±30'

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19. X射线定向法的误差可以控制在（ ）范围内，准确度高。

A. ±10'

B. ±15'

C. ±20'

D. ±30'

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20. 放射线同位素的量越多，放出的γ射线的强度（ ）。

A. 越小

B. 不变

C. 越大

D. 随机变化

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二 、多选题

1. 半导体硅的常用腐蚀剂主要有（ ）。

A. Sirtl腐蚀液

B. Dash腐蚀液

C. Wright腐蚀液

D. Shimmel腐蚀液

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2. 陷阱效应对少数载流子寿命测量的影响可以采用（ ）。

A. 使整个样品加底光照

B. 加底光照后用氙灯闪光进行照射

C. 将硅单晶加热到50～70℃

D. 将硅单晶加热到60～80℃

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3. 露点法测定气体中水分的过程控制表述正确有（ ）。

A. 用金属导管将被测气体导入露点瓶，出口气体经石蜡液封瓶放空测定前要赶气1h

B. 测定时，在封底铜管内加入制冷剂，在插入一直-80℃低温温度计小心搅拌，使温度下降，注意观察，当喷口所对的铜管表面出现露斑，即读出温度值，这就是测得的露点温度

C. 测定流速控制在250—300ml/min

D. 通常测-34℃以下气体观察到的是霜点，根据实验测得霜点和露点相应温度差约4℃

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4. 为避免引起衍射混乱，一般选用比阳极材料原子序数小的材料做滤光片，以下适宜的是（ ）。

A. 铜靶的滤光片采用镍

B. 钼靶的滤光片采用铌

C. 钼靶的滤光片采用锆

D. 钴靶的滤光片采用铁

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5. 布喇格定律成立需满足以下（ ）条件。

A. 入射角等于反射角

B. 入射线反射线和反射晶面的法线在同一平面，且入射线和衍射线处法线两侧

C. 绝对值只能等于或小于1

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三 、问答题

1. 简述离子交换法制备纯水交换、再生过程。

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2. 简述用分析法对三氯氢硅中痕量杂质的化学光谱测定的方法原理。

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3. 高频光电导衰退法测量非平衡少数载流子寿命的基本原理是什么？

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四 、配伍题

1. 将下列分析项目与分析方法一一对应。

A. 基于时间的差别进行分离

B. 三氯氢硅中硼的分析

C. 三氯氢硅中痕量磷的气相色谱测定

D. 自然挥发法

E. 异常透射法

F. X射线形貌技术

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2. 将下列天然水中杂质三大部分情况一一对应。

A. 溶胶、硅胶、铁、铝

B. 悬浮物质

C. 细菌、泥沙、黏土等其他不容物质

D. 胶体物质

E. 溶解物质

F. Ca 、Mg、N【A.】Fe、Mn的酸式碳酸盐

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3. 多晶硅中基硼含量式：，请将以下变量物理意义一一对应。

A. P型电阻率

B. ρB

C. 电子电荷

D. e

E. 空穴迁移率

F. μp

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4. 将下列露点法测定气体中的水分时职业健康安全进行控制一一对应。

A. 危险源

B. 要注意把氢气引出室外

C. 分析氢气露点时用大气赶走气

D. 液氮低温冻伤

E. 要放在阴凉地方

F. 酒精放置

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5. 将下列硅的腐蚀剂与腐蚀时间一一对应。

A. 10～15min

B. Shimmle腐蚀液

C. 20 min以上

D. Wright腐蚀液

E. Sirtl腐蚀液

F. 5min

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