光伏电池材料卷包-010
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一 、单选题
1. 最常用于测试硅片电阻率的方法是（ ）。
A. 扩展电阻法
B. 四探针法
C. 两探针法
D. 范德堡法
答案：B
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2. 利用温差电效应来测量晶体硅导电类型的方法称为（ ）。
A. 冷热探针法
B. 整流法
C. 双电源动态电导法
D. 霍尔效应法
答案：A
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3. 用于测试硅片中少数载流子类型的测试是（ ）。
A. 四探针法
B. 整流法
C. X射线法
D. 显微镜观察法
答案：B
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4. 自然界中硅有三种同位素28Si，28Si，
28Si，存量最多的是（ ）。
A. 28Si
B. 29Si
C. 30Si
D. 不能确定
答案：A
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5. 据《参考消息》报道，有科学家提出硅是“21世纪的能源”、“未来的石油”的观点。假如硅作为一种普遍使用的新型能源被开发利用，下列关于其有利因素的说法中，你认为不妥的是（ ）。
A. 便于运输、储存，从安全角度考虑，硅是最佳的燃料
B. 自然界的含硅化合物易开采
C. 硅燃烧放出的热量大，燃烧产物对环境污染程度低且容易有效控制
D. 自然界中存在大量单质硅
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6. 以下太阳电池成本（单位：美元/W）最低的是（ ）。
A. 非晶硅薄膜
B. 多晶硅
C. 铜铟镓硒
D. 微晶硅薄膜
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7. 非晶硅具有大量的结构缺陷，主要是（ ）。
A. 悬挂键
B. 杂质
C. 位错
D. C-Si弱键
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8. 铸造多晶硅制备目前最常用的方法是（ ）。
A. 布里奇曼法
B. 电磁铸锭法
C. 浇铸法
D. 热交换法
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9. 硅片中磷扩散进行掺杂的原料是（ ）。
A. PH3
B. PH5
C. POCl3
D. B2O3
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10. 关于采用区域提纯法去除硅中硼杂质描述正确的是（ ）。
A. 几乎无效果
B. 效果明显
C. 取决于温度
D. 取决于硼的含量
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11. 生产直拉单晶硅时，单晶炉内需要通入（ ）作为保护气体。
A. 空气
B. 氧气
C. 氩气
D. 氢气
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12. 观察晶体中位错最简单的方法是（ ）。
A. 透射电镜法
B. 肉眼观察法
C. 浸蚀观察法
D. 手触感觉法
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13. 生产直拉单晶硅时，单晶炉内需要通入（ ）作为保护气体。
A. 空气
B. 氧气
C. 氩气
D. 氢气
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14. 硅晶胞中的原子数为（ ）。
A. 1
B. 8
C. 14
D. 4
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15. 原子（或分子）的扩散是依靠（ ）缺陷的运动而实现的。
A. 点缺陷
B. 线缺陷
C. 面缺陷
D. 体缺陷
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16. 关于染料敏化太阳电池中的纳米晶要求错误的是（ ）。
A. 高的比表面积和大量的孔隙
B. 尽可能多的吸附染料
C. 晶粒越大越好
D. 最大限度的与电解质紧密接触
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17. 以下太阳电池成本（单位：美元/W）最低的是（ ）。
A. 非晶硅薄膜
B. 多晶硅
C. 铜铟镓硒
D. 微晶硅薄膜
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18. 对比传统西门子法，改良西门子法的优点，错误的是（ ）。
A. 节约时间
B. 降低物耗
C. 节能
D. 减少污染
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19. Dash工艺主要解决的是（ ）。
A. 加入转晶
B. 减少位错
C. 放肩
D. 热应力
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20. 关于四氯化硅以下说法错误的是（ ）。
A. 无色而有刺鼻气味的液体
B. 熔点-70℃，沸点57.6℃
C. 可以经吸入、食入、经皮吸收，对眼睛及上呼吸道有强烈刺激作用
D. 不溶于苯、氯仿、石油醚等多数有机溶剂
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二 、多选题
1. 硅片的翘曲度一般用（ ）参数来表示。
A. BOW
B. TTV
C. TIR
D. WARP
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2. 金属杂质的吸杂工艺一般包括（ ）。
A. 升温熔化金属杂质
B. 原金属沉淀的溶解
C. 金属原子的扩散
D. 金属杂质在吸杂点处的重新沉淀
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3. 影响铸造多晶硅晶体生长的主要因素包括（ ）。
A. 固液界面
B. 热应力
C. 来自坩埚的污染等
D. 保护气氛
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4. 关于光致衰减效应说法正确的是（ ）。
A. 简称S-W效应
B. 在长期辐照下，其光电导和暗电导同时下降，导致光电转换效率降低
C. 在150～200℃热处理又可以恢复原来的状态
D. 铸造多晶硅没有光致衰减
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5. 浇铸法的缺点在于（ ）。
A. 熔融和结晶使用不同的坩埚，会导致二次污染
B. 有坩埚翻转机构及引锭机构，使得其结构相对较复杂
C. 生产效率低
D. 能耗高
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6. 石英坩埚喷涂氮化硅的作用是（ ）。
A. 隔离硅熔体与石英坩埚，减少杂质
B. 绝热，保温
C. 降低热应力
D. 有效较少碎裂，使坩埚能重复利用
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7. 无坩埚区域提纯（ ）。
A. 也可用于晶体生长
B. 避免了坩埚的污染
C. 熔硅不会流动是由于其很大的表面张力
D. 硅也能采用水平区域提纯法
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8. 关于三氯氢硅说法正确的是（ ）。
A. 是制取一系列有机硅材料的中间体
B. 生产多晶硅的重要原材料之一
C. 无色、透明、极易挥发和水解
D. 易燃易爆，对人体有毒害
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9. 常用的多晶硅薄膜的制备方法有（ ）。
A. 利用化学气相沉积直接制备多晶硅薄膜
B. 非晶硅晶化制备
C. 将多晶硅片切薄
D. 对多晶硅片进行热处理
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10. 观察晶体中位错的方法有（ ）。
A. 浸蚀观察法
B. 透射电镜法
C. 手触感觉法
D. 肉眼观察法
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三 、问答题
1. 晶体缺陷根据缺陷的空间几何图像的分类及各自代表性缺陷。
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2. 简述单晶硅、多晶硅、非晶硅的定义及主要相关工艺？
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