2024秋最新国家开放大学国开电大机考期末光伏电池材料卷包2机考期末试卷参考试题

光伏电池材料卷包-002

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一 、单选题

1. 用于测试硅片中少数载流子类型的测试是（ ）。

A. 四探针法

B. 整流法

C. X射线法

D. 显微镜观察法

答案：B
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2. 最常用于测试硅片电阻率的方法是（ ）。

A. 扩展电阻法

B. 四探针法

C. 两探针法

D. 范德堡法

答案：B
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3. 利用温差电效应来测量晶体硅导电类型的方法称为（ ）。

A. 冷热探针法

B. 整流法

C. 双电源动态电导法

D. 霍尔效应法

答案：A
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4. 据《参考消息》报道，有科学家提出硅是“21世纪的能源”、“未来的石油”的观点。假如硅作为一种普遍使用的新型能源被开发利用，下列关于其有利因素的说法中，你认为不妥的是（ ）。

A. 便于运输、储存，从安全角度考虑，硅是最佳的燃料

B. 自然界的含硅化合物易开采

C. 硅燃烧放出的热量大，燃烧产物对环境污染程度低且容易有效控制

D. 自然界中存在大量单质硅

答案：D
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5. 自然界中硅有三种同位素28Si，28Si，

28Si，存量最多的是（ ）。

A. 28Si

B. 29Si

C. 30Si

D. 不能确定

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6. 非晶硅具有大量的结构缺陷，主要是（ ）。

A. 悬挂键

B. 杂质

C. 位错

D. C-Si弱键

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7. 以下太阳电池成本（单位：美元/W）最低的是（ ）。

A. 非晶硅薄膜

B. 多晶硅

C. 铜铟镓硒

D. 微晶硅薄膜

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8. 铸造多晶硅制备目前最常用的方法是（ ）。

A. 布里奇曼法

B. 电磁铸锭法

C. 浇铸法

D. 热交换法

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9. 区熔法制备单晶硅时，以下说法正确的是（ ）。

A. 不需要坩埚

B. 需要一个石英坩埚用于溶化

C. 需要一个石英坩埚和一个石墨坩埚

D. 需要一个石墨坩埚

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10. 关于采用区域提纯法去除硅中硼杂质描述正确的是（ ）。

A. 几乎无效果

B. 效果明显

C. 取决于温度

D. 取决于硼的含量

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11. 直拉法生长单晶硅所采用的石墨坩埚可以多次使用，它的作用是（ ）。

A. 盛硅熔体

B. 补充氧

C. 支撑石英坩埚

D. 加热

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12. 观察晶体中位错最简单的方法是（ ）。

A. 透射电镜法

B. 肉眼观察法

C. 浸蚀观察法

D. 手触感觉法

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13. 生产直拉单晶硅时，单晶炉内需要通入（ ）作为保护气体。

A. 空气

B. 氧气

C. 氩气

D. 氢气

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14. GaAs属于（ ）。

A. 面心立方结构

B. 体心立方结构

C. 闪锌矿结构

D. 金刚石结构

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15. 多晶硅属于（ ）。

A. 面心立方结构

B. 体心立方结构

C. 金刚石结构

D. 简单立方结构

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16. 以下太阳电池成本（单位：美元/W）最低的是（ ）。

A. 非晶硅薄膜

B. 多晶硅

C. 铜铟镓硒

D. 微晶硅薄膜

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17. 关于染料敏化太阳电池中的纳米晶要求错误的是（ ）。

A. 高的比表面积和大量的孔隙

B. 尽可能多的吸附染料

C. 晶粒越大越好

D. 最大限度的与电解质紧密接触

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18. Dash工艺主要解决的是（ ）。

A. 加入转晶

B. 减少位错

C. 放肩

D. 热应力

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19. 对比传统西门子法，改良西门子法的优点，错误的是（ ）。

A. 节约时间

B. 降低物耗

C. 节能

D. 减少污染

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20. 关于四氯化硅以下说法错误的是（ ）。

A. 无色而有刺鼻气味的液体

B. 熔点-70℃，沸点57.6℃

C. 可以经吸入、食入、经皮吸收，对眼睛及上呼吸道有强烈刺激作用

D. 不溶于苯、氯仿、石油醚等多数有机溶剂

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二 、多选题

1. 硅片清洗的作用是（ ）。

A. 提高绝缘性能

B. 去除边缘腐蚀时的油污、水气、灰尘

C. 降低杂质离子对P-N结性能的影响

D. 降低杂质的存在带来的硅片的电阻率不稳定

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2. 金属杂质的吸杂工艺一般包括（ ）。

A. 升温熔化金属杂质

B. 原金属沉淀的溶解

C. 金属原子的扩散

D. 金属杂质在吸杂点处的重新沉淀

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3. 铸造多晶硅相对于直拉单晶硅的优点有（ ）。

A. 材料利用率高

B. 能耗小

C. 成本低

D. 转换效率高

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4. 磷在硅中很容易去除，在于（ ）。

A. 磷在硅熔液中很快得到蒸发

B. 磷的密度小

C. 磷在硅中的分配系数小于1

D. 磷的熔点低

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5. 浇铸法的缺点在于（ ）。

A. 熔融和结晶使用不同的坩埚，会导致二次污染

B. 有坩埚翻转机构及引锭机构，使得其结构相对较复杂

C. 生产效率低

D. 能耗高

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6. 石英坩埚喷涂氮化硅的作用是（ ）。

A. 隔离硅熔体与石英坩埚，减少杂质

B. 绝热，保温

C. 降低热应力

D. 有效较少碎裂，使坩埚能重复利用

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7. 无坩埚区域提纯（ ）。

A. 也可用于晶体生长

B. 避免了坩埚的污染

C. 熔硅不会流动是由于其很大的表面张力

D. 硅也能采用水平区域提纯法

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8. 以下对吸附描述正确的是（ ）。

A. 物理吸附是可逆的

B. 物理吸附是不可逆的

C. 化学吸附是可逆的

D. 化学吸附是不可逆的

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9. 下列属于晶体的宏观特性的有（ ）。

A. 长程有序

B. 固定熔点

C. 解理性

D. 各向异性

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10. 关于三氯氢硅说法正确的是（ ）。

A. 无色透明液体

B. 可由硅粉与氯化氢合成而得

C. 可在高温高压下用氢还原四氯化硅生成三氯氢硅

D. 熔点-128℃，沸点31.5℃

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三 、问答题

1. 铸造多晶硅是利用铸造技术制备的多晶硅，与单晶硅制备方法相比，成本相对降低。但是铸造多晶硅中存在大量形态各异的晶粒、晶界、位错、杂质，它们都会对最终的转换效率产生影响。实际应用中，为了制备优良的太阳能电池，在铸造多晶硅生长时，需要解决哪些问题？并简单叙述为什么要解决这些问题？

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2. 比较FZ法与CZ法制备单晶硅的优缺点。

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