2024秋最新国家开放大学国开电大机考期末光伏电池材料卷包04机考期末试卷参考试题

光伏电池材料卷包-014

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一 、单选题

1. 最常用于测试硅片电阻率的方法是（ ）。

A. 扩展电阻法

B. 四探针法

C. 两探针法

D. 范德堡法

答案：B
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2. 硅片厚度的最大值与最小值之差表示为（ ）。

A. TIR

B. FPD

C. TTV

D. WARP

答案：C
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3. 最常用于测试硅片电阻率的方法是（ ）。

A. 扩展电阻法

B. 四探针法

C. 两探针法

D. 范德堡法

答案：B
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4. 自然界中硅有三种同位素28Si，28Si，

28Si，存量最多的是（ ）。

A. 28Si

B. 29Si

C. 30Si

D. 不能确定

答案：A
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5. 关于硅的化学性质说法错误的是（ ）。

A. 硅单质在常温下化学性质十分稳定

B. 硅单质在常温下能与氢氟酸和硝酸的混合物反应

C. 在高温下，硅几乎与所有物质发生化学反应

D. 硅材料的一个重要优点就是硅表面很不容易氧化

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6. 非晶硅具有大量的结构缺陷，主要是（ ）。

A. 悬挂键

B. 杂质

C. 位错

D. C-Si弱键

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7. 以下太阳电池成本（单位：美元/W）最低的是（ ）。

A. 非晶硅薄膜

B. 多晶硅

C. 铜铟镓硒

D. 微晶硅薄膜

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8. 关于采用区域提纯法去除硅中硼杂质描述正确的是（ ）。

A. 几乎无效果

B. 效果明显

C. 取决于温度

D. 取决于硼的含量

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9. 铸造多晶硅制备目前最常用的方法是（ ）。

A. 布里奇曼法

B. 电磁铸锭法

C. 浇铸法

D. 热交换法

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10. 硅片中磷扩散进行掺杂的原料是（ ）。

A. PH3

B. PH5

C. POCl3

D. B2O3

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11. 观察晶体中位错最简单的方法是（ ）。

A. 透射电镜法

B. 肉眼观察法

C. 浸蚀观察法

D. 手触感觉法

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12. 直拉法生长单晶硅所采用的石墨坩埚可以多次使用，它的作用是（ ）。

A. 盛硅熔体

B. 补充氧

C. 支撑石英坩埚

D. 加热

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13. 太阳电池用直拉单晶硅中的主要缺陷是（ ）。

A. 空位

B. 杂质原子

C. 位错

D. 二次缺陷

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14. GaAs属于（ ）。

A. 面心立方结构

B. 体心立方结构

C. 闪锌矿结构

D. 金刚石结构

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15. 硅晶胞中的原子数为（ ）。

A. 1

B. 8

C. 14

D. 4

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16. 以下太阳电池成本（单位：美元/W）最低的是（ ）。

A. 非晶硅薄膜

B. 多晶硅

C. 铜铟镓硒

D. 微晶硅薄膜

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17. 关于染料敏化太阳电池中的纳米晶要求错误的是（ ）。

A. 高的比表面积和大量的孔隙

B. 尽可能多的吸附染料

C. 晶粒越大越好

D. 最大限度的与电解质紧密接触

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18. 对比传统西门子法，改良西门子法的优点，错误的是（ ）。

A. 节约时间

B. 降低物耗

C. 节能

D. 减少污染

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19. 改良西门子法所采用的提纯工艺是（ ）。

A. 吸附

B. 精馏

C. 物理提纯法

D. 区域提纯

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20. 关于四氯化硅以下说法错误的是（ ）。

A. 无色而有刺鼻气味的液体

B. 熔点-70℃，沸点57.6℃

C. 可以经吸入、食入、经皮吸收，对眼睛及上呼吸道有强烈刺激作用

D. 不溶于苯、氯仿、石油醚等多数有机溶剂

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二 、多选题

1. 金属杂质的吸杂工艺一般包括（ ）。

A. 升温熔化金属杂质

B. 原金属沉淀的溶解

C. 金属原子的扩散

D. 金属杂质在吸杂点处的重新沉淀

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2. 硅片清洗的作用是（ ）。

A. 提高绝缘性能

B. 去除边缘腐蚀时的油污、水气、灰尘

C. 降低杂质离子对P-N结性能的影响

D. 降低杂质的存在带来的硅片的电阻率不稳定

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3. 以下哪些工艺是热交换法制备多晶硅必须的（ ）。

A. 化料

B. 晶体生长

C. 退火

D. 坩锅喷涂

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4. 由于跟FZ技术相比，CZ法具有（ ）。

A. 熔体稳定

B. 晶体直径大

C. 对多晶形状要求低

D. 通过晶转和锅转控制晶体-熔体边界层能较好的控制径向掺杂均匀度

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5. 石英坩埚喷涂氮化硅的作用是（ ）。

A. 隔离硅熔体与石英坩埚，减少杂质

B. 绝热，保温

C. 降低热应力

D. 有效较少碎裂，使坩埚能重复利用

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6. 浇铸法的缺点在于（ ）。

A. 熔融和结晶使用不同的坩埚，会导致二次污染

B. 有坩埚翻转机构及引锭机构，使得其结构相对较复杂

C. 生产效率低

D. 能耗高

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7. 工业吸附对于吸附剂的要求包括（ ）。

A. 具有较大的内表面，吸附容量大

B. 选择性高

C. 具有一定的机械强度，抗磨损

D. 有良好的物理及化学性能，耐热冲击，耐腐蚀

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8. 改良西门子法生产多晶硅的主要优点有（ ）。

A. 节能

B. 降低物耗

C. 减少污染

D. 生长速度快

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9. 关于三氯氢硅说法正确的是（ ）。

A. 无色透明液体

B. 可由硅粉与氯化氢合成而得

C. 可在高温高压下用氢还原四氯化硅生成三氯氢硅

D. 熔点-128℃，沸点31.5℃

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10. 关于点缺陷说法正确的是（ ）。

A. 金属中的点缺陷增加了电阻

B. 空位越多，晶体的密度越低

C. 点缺陷使得固体内原子扩散更容易进行

D. 点缺陷使得滑移更容易进行

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三 、问答题

1. 晶体缺陷根据缺陷的空间几何图像的分类及各自代表性缺陷。

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2. 在铸造多晶硅制备过程中，石英坩埚内壁涂层SiO/SiN有什么作用？

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