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2024秋最新国家开放大学国开电大机考期末光伏电池材料卷包机考期末试卷参考试题

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光伏电池材料卷包-011关注公众号【飞鸟搜题】,回复【试题】获取试卷答案文档说明:本人针对该科精心汇总了历年题库及答案,形成一个完整的题库,并且每年都在更新。该题库对考生的复习、作业和考试起着非常重要

光伏电池材料卷包-011

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文档说明:本人针对该科精心汇总了历年题库及答案,形成一个完整的题库,并且每年都在更新。该题库对考生的复习、作业和考试起着非常重要的作用,会给您节省大量的时间。做考题时,利用本文档中的查找工具,把考题中的关键字输到查找工具的查找内容框内,就可迅速查找到该题答案。本文库还有期末考核试题、其他网核及教学考一体化、一网一平台复习试题与答案,敬请查看。

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一 、单选题

1. 最常用于测试硅片电阻率的方法是( )。

A. 扩展电阻法

B. 四探针法

C. 两探针法

D. 范德堡法

答案:B
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2. 最常用于测试硅片电阻率的方法是( )。

A. 扩展电阻法

B. 四探针法

C. 两探针法

D. 范德堡法

答案:B
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3. 用于测试硅片中少数载流子类型的测试是( )。

A. 四探针法

B. 整流法

C. X射线法

D. 显微镜观察法

答案:B
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4. 据《参考消息》报道,有科学家提出硅是“21世纪的能源”、“未来的石油”的观点。假如硅作为一种普遍使用的新型能源被开发利用,下列关于其有利因素的说法中,你认为不妥的是( )。

A. 便于运输、储存,从安全角度考虑,硅是最佳的燃料

B. 自然界的含硅化合物易开采

C. 硅燃烧放出的热量大,燃烧产物对环境污染程度低且容易有效控制

D. 自然界中存在大量单质硅

答案:D
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5. 自然界中硅有三种同位素28Si,28Si,

28Si,存量最多的是( )。

A. 28Si

B. 29Si

C. 30Si

D. 不能确定

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6. 非晶硅具有大量的结构缺陷,主要是( )。

A. 悬挂键

B. 杂质

C. 位错

D. C-Si弱键

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7. 以下太阳电池成本(单位:美元/W)最低的是( )。

A. 非晶硅薄膜

B. 多晶硅

C. 铜铟镓硒

D. 微晶硅薄膜

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8. 相平衡条件要求平衡相的( )相等。

A. 温度

B. 压强

C. 体积

D. 化学势

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9. 铸造多晶硅制备目前最常用的方法是( )。

A. 布里奇曼法

B. 电磁铸锭法

C. 浇铸法

D. 热交换法

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10. 关于采用区域提纯法去除硅中硼杂质描述正确的是( )。

A. 几乎无效果

B. 效果明显

C. 取决于温度

D. 取决于硼的含量

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11. 直拉法生长单晶硅所采用的石墨坩埚可以多次使用,它的作用是( )。

A. 盛硅熔体

B. 补充氧

C. 支撑石英坩埚

D. 加热

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12. 太阳电池用直拉单晶硅中的主要缺陷是( )。

A. 空位

B. 杂质原子

C. 位错

D. 二次缺陷

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13. 观察晶体中位错最简单的方法是( )。

A. 透射电镜法

B. 肉眼观察法

C. 浸蚀观察法

D. 手触感觉法

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14. 多晶硅属于( )。

A. 面心立方结构

B. 体心立方结构

C. 金刚石结构

D. 简单立方结构

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15. GaAs属于( )。

A. 面心立方结构

B. 体心立方结构

C. 闪锌矿结构

D. 金刚石结构

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16. 以下太阳电池成本(单位:美元/W)最低的是( )。

A. 非晶硅薄膜

B. 多晶硅

C. 铜铟镓硒

D. 微晶硅薄膜

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17. 关于染料敏化太阳电池中的纳米晶要求错误的是( )。

A. 高的比表面积和大量的孔隙

B. 尽可能多的吸附染料

C. 晶粒越大越好

D. 最大限度的与电解质紧密接触

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18. 对比传统西门子法,改良西门子法的优点,错误的是( )。

A. 节约时间

B. 降低物耗

C. 节能

D. 减少污染

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19. 改良西门子法所采用的提纯工艺是( )。

A. 吸附

B. 精馏

C. 物理提纯法

D. 区域提纯

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20. 关于四氯化硅以下说法错误的是( )。

A. 无色而有刺鼻气味的液体

B. 熔点-70℃,沸点57.6℃

C. 可以经吸入、食入、经皮吸收,对眼睛及上呼吸道有强烈刺激作用

D. 不溶于苯、氯仿、石油醚等多数有机溶剂

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二 、多选题

1. 硅片的翘曲度一般用( )参数来表示。

A. BOW

B. TTV

C. TIR

D. WARP

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2. 金属杂质的吸杂工艺一般包括( )。

A. 升温熔化金属杂质

B. 原金属沉淀的溶解

C. 金属原子的扩散

D. 金属杂质在吸杂点处的重新沉淀

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3. 以下哪些工艺是热交换法制备多晶硅必须的( )。

A. 化料

B. 晶体生长

C. 退火

D. 坩锅喷涂

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4. 金属杂质的吸杂工艺一般包括:( )

A. 原金属沉淀的溶解

B. 金属原子的扩散

C. 金属杂质的吸杂点处的重新沉淀

D. 升温熔化金属杂质

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5. 浇铸法的缺点在于( )。

A. 熔融和结晶使用不同的坩埚,会导致二次污染

B. 有坩埚翻转机构及引锭机构,使得其结构相对较复杂

C. 生产效率低

D. 能耗高

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6. 石英坩埚喷涂氮化硅的作用是( )。

A. 隔离硅熔体与石英坩埚,减少杂质

B. 绝热,保温

C. 降低热应力

D. 有效较少碎裂,使坩埚能重复利用

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7. 改良西门子法生产多晶硅的主要优点有( )。

A. 节能

B. 降低物耗

C. 减少污染

D. 生长速度快

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8. 以下对吸附描述正确的是( )。

A. 物理吸附是可逆的

B. 物理吸附是不可逆的

C. 化学吸附是可逆的

D. 化学吸附是不可逆的

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9. 下列关于硅的卤化物说法正确的是( )。

A. 都是共价化合物

B. 熔点、沸点都比较低

C. 无水四氟化硅不稳定

D. 四氟化硅无色、有刺激气味、在水中强烈水解

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10. 具有金刚石结构的晶体的解理面包括( )。

A. {100}晶面

B. {211}晶面

C. {111}晶面

D. {110}晶面

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三 、问答题

1. 单晶硅生长和加工过程中,往往不可避免的会引入一些杂质,如氧、碳、氮等非金属杂质和某些金属杂质,这些杂质对硅材料的性能往往会有很大的影响。与氧、碳杂质相比,硅中杂质氮的浓度通常较低。简单叙述硅中氮的来源、存在形式及其对单晶硅的性能影响?

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2. 请简述直拉单晶硅生产的工艺流程,并阐述每一步工艺的作用。

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