2024秋最新国家开放大学国开电大机考期末光伏检测与分析03机考期末试卷参考试题

光伏检测与分析-013

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一 、单选题

1. 冷热探笔法属于利用半导体的（ ）来测量导电类型的方法。

A. 温差电效应

B. 整流效应

C. 以上二种皆可

D. 以上二种皆不可

答案：A
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2. 三探针法属于利用半导体的（ ）来测量导电类型的方法。

A. 温差电效应

B. 整流效应

C. 以上二种皆可

D. 以上二种皆不可

答案：B
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3. 质谱的定量分析是在质谱图上，谱线的峰值所对应的离子流强度即谱线的黑度代表了（ ）从而进行杂质分析。

A. 离子的质量

B. 离子的浓度

C. 离子的运动

D. 离子的温度

答案：B
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4. 光图定向法结果直观，操作（ ），误差（ ）。

A. 简单 较大

B. 复杂 较大

C. 简单 较小

D. 复杂 较小

答案：A
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5. 光图定向法结果直观，操作（ ），误差（ ）。

A. 简单 较大

B. 复杂 较大

C. 简单 较小

D. 复杂 较小

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6. 直拉单晶中氧含量头部与尾部相比（ ）。

A. 较高

B. 相同

C. 较低

D. 无法判断

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7. 晶面指数最低的晶面总是具有（ ）的晶面间距。

A. 最小

B. 相等

C. 最大

D. 无法判断

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8. 以下表示晶面指数最恰当的是（ ）。

A. （664）

B. （463）

C. （333）

D. （246）

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9. RO反渗透技术是利用（ ）为动力的膜分离过滤技术。

A. 吸附力

B. 离子交换

C. 电力

D. 压力差

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10. 露点法测定气体中的水分时，本岗位存在的危险源是（ ）。

A. 液氮低温冻伤

B. 潜在氢气泄露引起的爆炸

C. 温度过高

D. 没有明显危险源

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11. 以下那一项不是三氯氢硅中痕量磷的气象色谱测定步骤中，在温度680度和石英石的催化作用下，样品及其含磷杂质分别被氢还原产物（ ）。

A. 混合氯代硅烷

B. 氯化氢

C. 磷化氢

D. 水

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12. 树脂失效表明离子交换树脂可供交换的（ ）大为减少。

A. CL-

B. Na

C. H+和OH-

D. Ca

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13. 制取高纯水时一般采用（ ）交换树脂和（ ）交换树脂。

A. 强酸型阳离子 强碱型阴离子

B. 强碱型阴离子 强酸型阳离子

C. 强酸型阳离子 强酸型阴离子

D. 强碱型阳离子 强碱型阳离子

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14. 纯水是电阻率达到（ ）左右的水。

A. 8

B. 9

C. 10

D. 11

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15. （ ）是影响硅器件的成品率的一个重要因素，也是影响器件性能的稳定性和可靠性的重要因素。

A. 点缺陷

B. 线缺陷

C. 面缺陷

D. 微缺陷

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16. 露点法测定气体中的水分时，本岗位存在的危险源是（ ）。

A. 液氮低温冻伤

B. 潜在氢气泄露引起的爆炸

C. 温度过高

D. 没有明显危险源

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17. 位错密度通常采用（ ）来表示，可在金相显微镜下测定。

A. 体密度

B. 面密度

C. 线密度

D. 以上皆不是

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18. X射线定向法的误差可以控制在（ ）范围内，准确度高。

A. ±10'

B. ±15'

C. ±20'

D. ±30'

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19. X射线定向法的误差可以控制在（ ）范围内，准确度高。

A. ±10'

B. ±15'

C. ±20'

D. ±30'

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20. 放射线同位素的量越多，放出的γ射线的强度（ ）。

A. 越小

B. 不变

C. 越大

D. 随机变化

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二 、多选题

1. 由于硅晶体经历了各种温度的热处理，过饱和的间隙氧会在硅晶体中偏聚和沉淀，形成了（ ）。

A. 氧施主

B. 氧沉淀

C. 二次缺陷

D. 氧分离

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2. 用接触法测量半导体单晶电阻率的方法主要有（ ）。

A. 两探针法

B. 四探针法

C. 扩展电阻法

D. 范德堡法

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3. 离子交换法制备纯水时，新树脂的预处理方式是（ ）。

A. 膨胀处理

B. 混合处理

C. 变形处理

D. 稀释处理

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4. 质谱分析造成其误差较高的因素有（ ）。

A. 杂质在样品中的不均匀分布

B. 元素本身的性质、样品中元素的选择及离子源火花条件对电离效率的影响

C. 离子质量影响用谱线黑度来反映强度

D. 主元素谱线的干扰

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5. 某样品受到红外线照射时，会产生以下（ ）现象。

A. 反射

B. 折射

C. 吸收

D. 透过

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三 、问答题

1. 简述RO系统清洗条件。

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2. 简述用分析法对三氯氢硅中痕量杂质的化学光谱测定的方法原理。

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3. 简述在立方晶系中，一个晶面的晶面指数是如何决定的。

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四 、配伍题

1. 将下列气相色谱法测定干法H2的组分时样品测试各恒温系统与温度一一对应。

A. 层析室

B. 80℃±5℃

C. 70℃±5℃

D. 检测室

E. 气化室

F. 100℃±5℃

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2. 将下列混床再生中操作步骤一一对应。

A. 再生剂为5%的NaOH，用量为树脂体积的3-5倍， 从上口进入，控制一定流速，维持液面顺流通过

B. 逆洗分层

C. 强碱性阴离子交换树脂再生

D. 水从底部进入，上口排出，树脂均匀地松弛蓬松开来，可加大水流速以冲不出树脂为原则，洗至出水清高度

E. 再生剂为5%盐酸，用酸量为阳离子交换树脂体积的2-3倍

F. 强酸性阳离子交换树脂再生

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3. 硅中氧和硅原子之间组成非线性Si-O-Si模型，请将以下关系一一对应。

A. 硅原子向氧原子运动，振动频率1205 cm-1

B. 硅-氧键的对称伸张振动

C. 硅-氧键的弯曲振动

D. 硅原子偏离赤道面，振动频率515 cm-1

E. 硅原子沿硅-氧键的方向运动，振动频率1105 cm-1

F. 硅-氧键的反对称伸张振动

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4. 将下列不同电阻率的测量电流范围一一对应。

A. 样品电阻率＜0.01

B. 样品电流＜100

C. 样品电阻率0.01～1

D. 样品电流＜10

E. 样品电阻率1～30

F. ＜1

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5. 将下列质谱分析造成其误差较高的因素与原因一一对应。

A. 杂质不均匀

B. 与元素本身性质、样品中元素的选择及离子源火花条件有关

C. 因为质谱分析一次只消耗少量样品，不能代表整个样品杂质含量

D. 各元素电离效率

E. 谱线黑度

F. 受到很多因素，如离子质量影响

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