2024秋最新国家开放大学国开电大机考期末光伏检测与分析机考期末试卷参考试题

光伏检测与分析-011

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一 、单选题

1. 用冷热探笔法测量（ ）半导体时，冷端带正电，热端带负电。

A. P型

B. N型

C. PN型

D. 以上皆不是

答案：A
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2. 用冷热探笔法测量导电类型时，热探笔的温度要适当，以（ ）为宜。

A. 30～50℃

B. 40～60℃

C. 50～70℃

D. 60～80℃

答案：B
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3. 气相色谱法测定干法H2的组分岗位存在的环境因素是（ ）。

A. 液氮低温冻伤

B. 潜在氢气泄露引起的爆炸

C. 温度过高

D. 没有明显危险源

答案：B
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4. 气相色谱法测定干法H2的组分岗位存在的环境因素是（ ）。

A. 液氮低温冻伤

B. 潜在氢气泄露引起的爆炸

C. 温度过高

D. 没有明显危险源

答案：B
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5. 光图定向法结果直观，操作（ ），误差（ ）。

A. 简单 较大

B. 复杂 较大

C. 简单 较小

D. 复杂 较小

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6. 晶面指数最低的晶面总是具有（ ）的晶面间距。

A. 最小

B. 相等

C. 最大

D. 无法判断

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7. 直拉单晶中氧含量头部与尾部相比（ ）。

A. 较高

B. 相同

C. 较低

D. 无法判断

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8. 以下表示晶面指数最恰当的是（ ）。

A. （664）

B. （463）

C. （333）

D. （246）

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9. 三氯氢硅中痕量磷的气相色谱法的基本原则是（ ）法。

A. 自然挥发法

B. 基于时间的差别进行分离

C. 过滤

D. 化学分离

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10. 露点法测定气体中的水分时，本岗位存在的危险源是（ ）。

A. 液氮低温冻伤

B. 潜在氢气泄露引起的爆炸

C. 温度过高

D. 没有明显危险源

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11. 当RO系统暂停使用一周以上时，系统应以（ ）浸泡，防止细菌在膜表面繁殖。

A. 5%盐酸

B. 1.0%浓度的亚硫酸氢纳

C. 4%氢氧化钠

D. 1%富尔马林溶液

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12. 树脂失效表明离子交换树脂可供交换的（ ）大为减少。

A. CL-

B. Na

C. H+和OH-

D. Ca

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13. 超纯水是电阻率达到（ ）左右的水。

A. 16

B. 17

C. 18

D. 19

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14. 对三氯氢硅中痕量杂质的分析采用蒸发法使用微量高纯水和SiHCL3作用产生少量（ ）水解物，对痕量杂质元素有吸附作用。

A. SiO2

B. SiH

C. HCL

D. Si

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15. 直拉单晶中氧含量头部与尾部相比（ ）。

A. 较高

B. 相同

C. 较低

D. 无法判断

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16. （ ）是影响硅器件的成品率的一个重要因素，也是影响器件性能的稳定性和可靠性的重要因素。

A. 点缺陷

B. 线缺陷

C. 面缺陷

D. 微缺陷

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17. 露点法测定气体中的水分时，本岗位存在的危险源是（ ）。

A. 液氮低温冻伤

B. 潜在氢气泄露引起的爆炸

C. 温度过高

D. 没有明显危险源

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18. 放射线同位素的量越多，放出的γ射线的强度（ ）。

A. 越小

B. 不变

C. 越大

D. 随机变化

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19. X射线定向法的误差可以控制在（ ）范围内，准确度高。

A. ±10'

B. ±15'

C. ±20'

D. ±30'

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20. X射线定向法的误差可以控制在（ ）范围内，准确度高。

A. ±10'

B. ±15'

C. ±20'

D. ±30'

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二 、多选题

1. 影响半导体单晶电化学腐蚀速度的因素主要有（ ）。

A. 腐蚀液的成分

B. 电极电位

C. 缓冲剂的影响

D. 腐蚀处理的温度和搅拌的影响

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2. 四探针法测量电阻率的测准条件主要有（ ）。

A. 样品的厚度必须大于3倍针距

B. 一般采用1～2mm左右的针距较适宜

C. 四根探针应处于同一平面的同一条直线上

D. 电流通过样品不应引起样品的电导率发生变化

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3. 自动软化系统出现下述情况之一（ ）就必须进行化学清洗。

A. 装置的纯水量比初期投运时或上一次清洗后降低5%-10%

B. 装置的单次的浓缩比比初期投运时或上一次清洗后降低10%-20%时

C. 装置各段的压力差值为初期投运时或上一次清洗后的1-2倍

D. 装置需要长期停运时用保护溶液保护前

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4. 硅单晶光点定向测试中运用的仪器设备有以下（ ）。

A. 光点定向仪

B. 光源

C. 光屏

D. X光

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5. 质谱分析造成其误差较高的因素有（ ）。

A. 杂质在样品中的不均匀分布

B. 元素本身的性质、样品中元素的选择及离子源火花条件对电离效率的影响

C. 离子质量影响用谱线黑度来反映强度

D. 主元素谱线的干扰

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三 、问答题

1. 简述离子交换法制备纯水交换、再生过程。

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2. 简述用分析法对三氯氢硅中痕量杂质的化学光谱测定的方法原理。

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3. 高频光电导衰退法测量非平衡少数载流子寿命的基本原理是什么？

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四 、配伍题

1. 将下列RO膜污染原因与适应药液一一对应。

A. 1.5%EDTA溶液

B. 碳酸盐结垢

C. 1%富尔马林溶液

D. 有机物污染及硫酸盐结构

E. 3%柠檬酸溶液

F. 细菌污染

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2. 将下列活性炭过滤器工作原理一一对应。

A. 向下穿过过滤料层，经下布水器收集返回中心管。

B. 反洗

C. 原水由进水口进入控制阀，从阀芯的上部经阀体内，并由顶部进入罐体

D. 运行

E. 正洗

F. 水从底部进入活性炭过滤层后由上部排出

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3. 将下列半导体晶体缺陷类型一一对应。

A. 杂质沉淀

B. 宏观缺陷

C. 微观缺陷

D. 星形结构

E. 加工损伤

F. 表面机械损伤

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4. 红外线通过样品时可根据能量不灭定律表示为I0=IR+IK+IT ，请将以下变量物理意义一一对应。

A. R

B. 透射率

C. 吸收率

D. K

E. 反射率

F. T

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5. 将下列硅的腐蚀剂与腐蚀时间一一对应。

A. Sirtl腐蚀液

B. 10～15min

C. 20 min以上

D. Dash腐蚀液

E. 1～16h

F. Secco腐蚀液

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