2024秋最新国家开放大学国开电大机考期末光伏电池材料卷包05机考期末试卷参考试题

光伏电池材料卷包-015

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一 、单选题

1. 最常用于测试硅片电阻率的方法是（ ）。

A. 扩展电阻法

B. 四探针法

C. 两探针法

D. 范德堡法

答案：B
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2. 最常用于测试硅片电阻率的方法是（ ）。

A. 扩展电阻法

B. 四探针法

C. 两探针法

D. 范德堡法

答案：B
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3. 硅片厚度的最大值与最小值之差表示为（ ）。

A. TIR

B. FPD

C. TTV

D. WARP

答案：C
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4. 关于硅的化学性质说法错误的是（ ）。

A. 硅单质在常温下化学性质十分稳定

B. 硅单质在常温下能与氢氟酸和硝酸的混合物反应

C. 在高温下，硅几乎与所有物质发生化学反应

D. 硅材料的一个重要优点就是硅表面很不容易氧化

答案：D
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5. 自然界中硅有三种同位素28Si，28Si，

28Si，存量最多的是（ ）。

A. 28Si

B. 29Si

C. 30Si

D. 不能确定

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6. 非晶硅具有大量的结构缺陷，主要是（ ）。

A. 悬挂键

B. 杂质

C. 位错

D. C-Si弱键

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7. 以下太阳电池成本（单位：美元/W）最低的是（ ）。

A. 非晶硅薄膜

B. 多晶硅

C. 铜铟镓硒

D. 微晶硅薄膜

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8. 相平衡条件要求平衡相的（ ）相等。

A. 温度

B. 压强

C. 体积

D. 化学势

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9. 关于采用区域提纯法去除硅中硼杂质描述正确的是（ ）。

A. 几乎无效果

B. 效果明显

C. 取决于温度

D. 取决于硼的含量

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10. （ ）是硅提纯的重要环节。

A. 三氯氢硅的合成

B. 三氯氢硅的还原

C. 三氯氢硅的提纯

D. 硅烷的提纯

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11. CZ法生长单晶硅工艺依次有加料、熔化以及（ ）。

A. 放肩生长、缩颈生长、等径生长、尾部生长

B. 等径生长、缩颈生长、放肩生长、尾部生长

C. 缩颈生长、放肩生长、等径生长、尾部生长

D. 缩颈生长、等径生长、放肩生长、尾部生长

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12. 生产直拉单晶硅时，单晶炉内需要通入（ ）作为保护气体。

A. 空气

B. 氧气

C. 氩气

D. 氢气

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13. 直拉法生长单晶硅所采用的石墨坩埚可以多次使用，它的作用是（ ）。

A. 盛硅熔体

B. 补充氧

C. 支撑石英坩埚

D. 加热

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14. 多晶硅属于（ ）。

A. 面心立方结构

B. 体心立方结构

C. 金刚石结构

D. 简单立方结构

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15. GaAs属于（ ）。

A. 面心立方结构

B. 体心立方结构

C. 闪锌矿结构

D. 金刚石结构

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16. 关于染料敏化太阳电池中的纳米晶要求错误的是（ ）。

A. 高的比表面积和大量的孔隙

B. 尽可能多的吸附染料

C. 晶粒越大越好

D. 最大限度的与电解质紧密接触

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17. 以下太阳电池成本（单位：美元/W）最低的是（ ）。

A. 非晶硅薄膜

B. 多晶硅

C. 铜铟镓硒

D. 微晶硅薄膜

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18. 关于四氯化硅以下说法错误的是（ ）。

A. 无色而有刺鼻气味的液体

B. 熔点-70℃，沸点57.6℃

C. 可以经吸入、食入、经皮吸收，对眼睛及上呼吸道有强烈刺激作用

D. 不溶于苯、氯仿、石油醚等多数有机溶剂

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19. Dash工艺主要解决的是（ ）。

A. 加入转晶

B. 减少位错

C. 放肩

D. 热应力

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20. 关于四氯化硅以下说法错误的是（ ）。

A. 无色而有刺鼻气味的液体

B. 熔点-70℃，沸点57.6℃

C. 可以经吸入、食入、经皮吸收，对眼睛及上呼吸道有强烈刺激作用

D. 不溶于苯、氯仿、石油醚等多数有机溶剂

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二 、多选题

1. 硅片清洗的作用是（ ）。

A. 提高绝缘性能

B. 去除边缘腐蚀时的油污、水气、灰尘

C. 降低杂质离子对P-N结性能的影响

D. 降低杂质的存在带来的硅片的电阻率不稳定

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2. 硅片的翘曲度一般用（ ）参数来表示。

A. BOW

B. TTV

C. TIR

D. WARP

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3. 铸造多晶硅相对于直拉单晶硅的优点有（ ）。

A. 材料利用率高

B. 能耗小

C. 成本低

D. 转换效率高

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4. 磷在硅中很容易去除，在于（ ）。

A. 磷在硅熔液中很快得到蒸发

B. 磷的密度小

C. 磷在硅中的分配系数小于1

D. 磷的熔点低

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5. 石英坩埚喷涂氮化硅的作用是（ ）。

A. 隔离硅熔体与石英坩埚，减少杂质

B. 绝热，保温

C. 降低热应力

D. 有效较少碎裂，使坩埚能重复利用

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6. 浇铸法的缺点在于（ ）。

A. 熔融和结晶使用不同的坩埚，会导致二次污染

B. 有坩埚翻转机构及引锭机构，使得其结构相对较复杂

C. 生产效率低

D. 能耗高

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7. 目前工业生产中由高纯多晶硅生长单晶硅基本上以（ ）方法为主。

A. 区熔法

B. 热交换法

C. 直拉法

D. 浇铸法

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8. 以下对吸附描述正确的是（ ）。

A. 物理吸附是可逆的

B. 物理吸附是不可逆的

C. 化学吸附是可逆的

D. 化学吸附是不可逆的

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9. 非晶硅太阳电池相对与晶体硅太阳电池的优点在于（ ）。

A. 材料和制造工艺成本低

B. 易于形成大规模生产能力以及大面积化生产

C. 易实现柔性电池

D. 具有S-W效应

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10. 下列属于晶体的宏观特性的有（ ）。

A. 长程有序

B. 固定熔点

C. 解理性

D. 各向异性

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三 、问答题

1. 20世纪50年代初，多位研究者独立创造发展了悬浮区熔技术，并很快用在硅材料的制备中。试简述悬浮区熔法在生长单晶硅时有哪些优点？

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2. 非晶硅薄膜太阳能电池作为一种新型太阳能电池，其原材料来源广泛、生产成本低、便于大规模生产，具有广阔的应用前景。非晶硅材料的吸收系数在整个可见光范围内，在实际使用中对低光强光有较好的适应。如光伏建筑一体化、大规模低成本发电站、太阳能照明光源。简述非晶硅薄膜太阳电池为什么用p-i-n结构？

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