2024秋最新国家开放大学国开电大机考期末光伏检测与分析6机考期末试卷参考试题

光伏检测与分析-006

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一 、单选题

1. 三探针法属于利用半导体的（ ）来测量导电类型的方法。

A. 温差电效应

B. 整流效应

C. 以上二种皆可

D. 以上二种皆不可

答案：B
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2. 冷热探笔法属于利用半导体的（ ）来测量导电类型的方法。

A. 温差电效应

B. 整流效应

C. 以上二种皆可

D. 以上二种皆不可

答案：A
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3. 气相色谱法测定干法H2的组分岗位存在的环境因素是（ ）。

A. 液氮低温冻伤

B. 潜在氢气泄露引起的爆炸

C. 温度过高

D. 没有明显危险源

答案：B
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4. 光图定向法结果直观，操作（ ），误差（ ）。

A. 简单 较大

B. 复杂 较大

C. 简单 较小

D. 复杂 较小

答案：A
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5. 悬浮区熔法检验硅多晶中基磷含量时，采用快速区熔法的工艺，第一次区熔时，第一次熔区停留挥发时间（ ）左右。

A. 3min

B. 5min

C. 10min

D. 20min

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6. 以下表示晶面指数最恰当的是（ ）。

A. （664）

B. （463）

C. （333）

D. （246）

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7. 直拉单晶中氧含量头部与尾部相比（ ）。

A. 较高

B. 相同

C. 较低

D. 无法判断

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8. 晶面指数最低的晶面总是具有（ ）的晶面间距。

A. 最小

B. 相等

C. 最大

D. 无法判断

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9. 露点法测定气体中的水分时，本岗位存在的危险源是（ ）。

A. 液氮低温冻伤

B. 潜在氢气泄露引起的爆炸

C. 温度过高

D. 没有明显危险源

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10. RO反渗透技术是利用（ ）为动力的膜分离过滤技术。

A. 吸附力

B. 离子交换

C. 电力

D. 压力差

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11. 以下那一项不是三氯氢硅中痕量磷的气象色谱测定步骤中，在温度680度和石英石的催化作用下，样品及其含磷杂质分别被氢还原产物（ ）。

A. 混合氯代硅烷

B. 氯化氢

C. 磷化氢

D. 水

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12. 超纯水是电阻率达到（ ）左右的水。

A. 16

B. 17

C. 18

D. 19

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13. 下列哪一项不是天然水的三大杂质之一（ ）。

A. 悬浮物质

B. 挥发物质

C. 胶体物质

D. 溶解物质

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14. 树脂失效表明离子交换树脂可供交换的（ ）大为减少。

A. CL-

B. Na

C. H+和OH-

D. Ca

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15. （ ）是影响硅器件的成品率的一个重要因素，也是影响器件性能的稳定性和可靠性的重要因素。

A. 点缺陷

B. 线缺陷

C. 面缺陷

D. 微缺陷

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16. 直拉单晶中氧含量头部与尾部相比（ ）。

A. 较高

B. 相同

C. 较低

D. 无法判断

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17. （ ）是影响硅器件的成品率的一个重要因素，也是影响器件性能的稳定性和可靠性的重要因素。

A. 点缺陷

B. 线缺陷

C. 面缺陷

D. 微缺陷

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18. X射线定向法的误差可以控制在（ ）范围内，准确度高。

A. ±10'

B. ±15'

C. ±20'

D. ±30'

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19. X射线定向法的误差可以控制在（ ）范围内，准确度高。

A. ±10'

B. ±15'

C. ±20'

D. ±30'

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20. 放射线同位素的量越多，放出的γ射线的强度（ ）。

A. 越小

B. 不变

C. 越大

D. 随机变化

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二 、多选题

1. 由于硅晶体经历了各种温度的热处理，过饱和的间隙氧会在硅晶体中偏聚和沉淀，形成了（ ）。

A. 氧施主

B. 氧沉淀

C. 二次缺陷

D. 氧分离

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2. 陷阱效应对少数载流子寿命测量的影响可以采用（ ）。

A. 使整个样品加底光照

B. 加底光照后用氙灯闪光进行照射

C. 将硅单晶加热到50～70℃

D. 将硅单晶加热到60～80℃

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3. 影响树脂再生的主要因素有（ ）。

A. 再生剂的类型、强度、浓度、流速、酸、碱液与离子交换树脂接触的时间等

B. 终点PH值的大小

C. 离子交换树脂的分离、反洗效果、混合程度、清洁卫生等

D. 杂质量的多少

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4. 某样品受到红外线照射时，会产生以下（ ）现象。

A. 反射

B. 折射

C. 吸收

D. 透过

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5. 在立方晶系中，主要有如下（ ）性质。

A. a=b=c

B. 体积

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三 、问答题

1. 简述离子交换法制备纯水交换、再生过程。

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2. 简述用分析法对三氯氢硅中痕量杂质的化学光谱测定的方法原理。

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3. 高频光电导衰退法测量非平衡少数载流子寿命的基本原理是什么？

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四 、配伍题

1. 将下列气相色谱法测定干法H2的组分时样品测试各恒温系统与温度一一对应。

A. 层析室

B. 80℃±5℃

C. 70℃±5℃

D. 检测室

E. 气化室

F. 100℃±5℃

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2. 将下列多介质过滤器工作原理与内容一一对应。

A. 反洗

B. 将原水泵停止，阀门关闭，让多介质自然下沉，使沙层排列平整

C. 原水由进口进入控制阀，从阀芯的上部经阀体内，并由顶部进入罐体

D. 静止

E. 正洗

F. 水从底部进入石英砂过滤层后由上部排除

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3. 硅中氧和硅原子之间组成非线性Si-O-Si模型，请将以下关系一一对应。

A. 硅原子向氧原子运动，振动频率1205 cm-1

B. 硅-氧键的对称伸张振动

C. 硅-氧键的弯曲振动

D. 硅原子偏离赤道面，振动频率515 cm-1

E. 硅原子沿硅-氧键的方向运动，振动频率1105 cm-1

F. 硅-氧键的反对称伸张振动

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4. 将下列不同电阻率的测量电流范围一一对应。

A. 样品电阻率>1000

B. 样品电流＜1

C. 样品电流＜0.1

D. 样品电阻率30～1000

E. 样品电阻率1～30

F. ＜0.01

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5. 将下列硅的腐蚀剂与腐蚀时间一一对应。

A. 10～15min

B. Shimmle腐蚀液

C. 20 min以上

D. Wright腐蚀液

E. Sirtl腐蚀液

F. 5min

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