2024秋最新国家开放大学国开电大机考期末光伏电池材料卷包29机考期末试卷参考试题

光伏电池材料卷包-029

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一 、单选题

1. 用于测试硅片中少数载流子类型的测试是（ ）。

A. 四探针法

B. 整流法

C. X射线法

D. 显微镜观察法

答案：B
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2. 最常用于测试硅片电阻率的方法是（ ）。

A. 扩展电阻法

B. 四探针法

C. 两探针法

D. 范德堡法

答案：B
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3. 利用温差电效应来测量晶体硅导电类型的方法称为（ ）。

A. 冷热探针法

B. 整流法

C. 双电源动态电导法

D. 霍尔效应法

答案：A
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4. 自然界中硅有三种同位素28Si，28Si，

28Si，存量最多的是（ ）。

A. 28Si

B. 29Si

C. 30Si

D. 不能确定

答案：A
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5. 关于硅的化学性质说法错误的是（ ）。

A. 硅单质在常温下化学性质十分稳定

B. 硅单质在常温下能与氢氟酸和硝酸的混合物反应

C. 在高温下，硅几乎与所有物质发生化学反应

D. 硅材料的一个重要优点就是硅表面很不容易氧化

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6. 非晶硅具有大量的结构缺陷，主要是（ ）。

A. 悬挂键

B. 杂质

C. 位错

D. C-Si弱键

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7. 以下太阳电池成本（单位：美元/W）最低的是（ ）。

A. 非晶硅薄膜

B. 多晶硅

C. 铜铟镓硒

D. 微晶硅薄膜

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8. 相平衡条件要求平衡相的（ ）相等。

A. 温度

B. 压强

C. 体积

D. 化学势

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9. 铸造多晶硅制备目前最常用的方法是（ ）。

A. 布里奇曼法

B. 电磁铸锭法

C. 浇铸法

D. 热交换法

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10. 铸造多晶硅制备目前最常用的方法是（ ）。

A. 布里奇曼法

B. 电磁铸锭法

C. 浇铸法

D. 热交换法

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11. CZ法生长单晶硅工艺依次有加料、熔化以及（ ）。

A. 放肩生长、缩颈生长、等径生长、尾部生长

B. 等径生长、缩颈生长、放肩生长、尾部生长

C. 缩颈生长、放肩生长、等径生长、尾部生长

D. 缩颈生长、等径生长、放肩生长、尾部生长

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12. 观察晶体中位错最简单的方法是（ ）。

A. 透射电镜法

B. 肉眼观察法

C. 浸蚀观察法

D. 手触感觉法

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13. 生产直拉单晶硅时，单晶炉内需要通入（ ）作为保护气体。

A. 空气

B. 氧气

C. 氩气

D. 氢气

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14. 原子（或分子）的扩散是依靠（ ）缺陷的运动而实现的。

A. 点缺陷

B. 线缺陷

C. 面缺陷

D. 体缺陷

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15. 硅晶胞中的原子数为（ ）。

A. 1

B. 8

C. 14

D. 4

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16. 以下太阳电池成本（单位：美元/W）最低的是（ ）。

A. 非晶硅薄膜

B. 多晶硅

C. 铜铟镓硒

D. 微晶硅薄膜

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17. 关于染料敏化太阳电池中的纳米晶要求错误的是（ ）。

A. 高的比表面积和大量的孔隙

B. 尽可能多的吸附染料

C. 晶粒越大越好

D. 最大限度的与电解质紧密接触

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18. 对比传统西门子法，改良西门子法的优点，错误的是（ ）。

A. 节约时间

B. 降低物耗

C. 节能

D. 减少污染

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19. 改良西门子法所采用的提纯工艺是（ ）。

A. 吸附

B. 精馏

C. 物理提纯法

D. 区域提纯

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20. 关于四氯化硅以下说法错误的是（ ）。

A. 无色而有刺鼻气味的液体

B. 熔点-70℃，沸点57.6℃

C. 可以经吸入、食入、经皮吸收，对眼睛及上呼吸道有强烈刺激作用

D. 不溶于苯、氯仿、石油醚等多数有机溶剂

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二 、多选题

1. 金属杂质的吸杂工艺一般包括（ ）。

A. 升温熔化金属杂质

B. 原金属沉淀的溶解

C. 金属原子的扩散

D. 金属杂质在吸杂点处的重新沉淀

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2. 硅片的平整度一般用（ ）参数来表示。

A. BOW

B. TTV

C. TIR

D. FPD

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3. 制备性能优良的太阳能电池，在铸造多晶硅晶体生长时，需要解决的问题有（ ）

A. 尽量大的晶粒

B. 尽量均匀的固液界面温度

C. 尽量小的热应力

D. 尽可能减少来自坩埚的污染

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4. 金属杂质的吸杂工艺一般包括：（ ）

A. 原金属沉淀的溶解

B. 金属原子的扩散

C. 金属杂质的吸杂点处的重新沉淀

D. 升温熔化金属杂质

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5. 浇铸法的缺点在于（ ）。

A. 熔融和结晶使用不同的坩埚，会导致二次污染

B. 有坩埚翻转机构及引锭机构，使得其结构相对较复杂

C. 生产效率低

D. 能耗高

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6. 石英坩埚喷涂氮化硅的作用是（ ）。

A. 隔离硅熔体与石英坩埚，减少杂质

B. 绝热，保温

C. 降低热应力

D. 有效较少碎裂，使坩埚能重复利用

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7. 以下对吸附描述正确的是（ ）。

A. 物理吸附是可逆的

B. 物理吸附是不可逆的

C. 化学吸附是可逆的

D. 化学吸附是不可逆的

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8. 目前工业生产中由高纯多晶硅生长单晶硅基本上以（ ）方法为主。

A. 区熔法

B. 热交换法

C. 直拉法

D. 浇铸法

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9. 关于晶体的宏观特性说法正确的是（ ）。

A. 长程有序

B. 固定熔点

C. 解理性和各向异性

D. 晶面角守恒

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10. 常用的多晶硅薄膜的制备方法有（ ）。

A. 利用化学气相沉积直接制备多晶硅薄膜

B. 非晶硅晶化制备

C. 将多晶硅片切薄

D. 对多晶硅片进行热处理

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三 、问答题

1. 铸造多晶硅晶体生长时面临的主要问题及可能的解决途径？

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2. 铸造多晶硅是利用铸造技术制备的多晶硅，与单晶硅制备方法相比，成本相对降低。但是铸造多晶硅中存在大量形态各异的晶粒、晶界、位错、杂质，它们都会对最终的转换效率产生影响。实际应用中，为了制备优良的太阳能电池，在铸造多晶硅生长时，需要解决哪些问题？并简单叙述为什么要解决这些问题？

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