2024秋最新国家开放大学国开电大机考期末光伏电池材料卷包0机考期末试卷参考试题

光伏电池材料卷包-012

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一 、单选题

1. 利用温差电效应来测量晶体硅导电类型的方法称为（ ）。

A. 冷热探针法

B. 整流法

C. 双电源动态电导法

D. 霍尔效应法

答案：A
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2. 硅片厚度的最大值与最小值之差表示为（ ）。

A. TIR

B. FPD

C. TTV

D. WARP

答案：C
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3. 用于测试硅片中少数载流子类型的测试是（ ）。

A. 四探针法

B. 整流法

C. X射线法

D. 显微镜观察法

答案：B
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4. 关于二氧化硅以下说法错误的是（ ）。

A. 制造冶金硅的主要原料之一

B. 能与HF反应

C. SiO2不溶于水，但能于热的浓碱溶液反应生成硅酸盐，反应较快

D. 石英是地壳中分布很少的矿物质

答案：D
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5. 自然界中硅有三种同位素28Si，28Si，

28Si，存量最多的是（ ）。

A. 28Si

B. 29Si

C. 30Si

D. 不能确定

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6. 非晶硅具有大量的结构缺陷，主要是（ ）。

A. 悬挂键

B. 杂质

C. 位错

D. C-Si弱键

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7. 以下太阳电池成本（单位：美元/W）最低的是（ ）。

A. 非晶硅薄膜

B. 多晶硅

C. 铜铟镓硒

D. 微晶硅薄膜

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8. 铸造多晶硅制备目前最常用的方法是（ ）。

A. 布里奇曼法

B. 电磁铸锭法

C. 浇铸法

D. 热交换法

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9. （ ）是硅提纯的重要环节。

A. 三氯氢硅的合成

B. 三氯氢硅的还原

C. 三氯氢硅的提纯

D. 硅烷的提纯

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10. 硅片中磷扩散进行掺杂的原料是（ ）。

A. PH3

B. PH5

C. POCl3

D. B2O3

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11. CZ法生长单晶硅工艺依次有加料、熔化以及（ ）。

A. 放肩生长、缩颈生长、等径生长、尾部生长

B. 等径生长、缩颈生长、放肩生长、尾部生长

C. 缩颈生长、放肩生长、等径生长、尾部生长

D. 缩颈生长、等径生长、放肩生长、尾部生长

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12. 生产直拉单晶硅时，单晶炉内需要通入（ ）作为保护气体。

A. 空气

B. 氧气

C. 氩气

D. 氢气

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13. 二元相图通常采用（）的坐标系。

A. 温度-压力（T-p）图

B. 温度-浓度（T-x）图

C. 三棱柱模型

D. 压强-浓度（p-x）图

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14. GaAs属于（ ）。

A. 面心立方结构

B. 体心立方结构

C. 闪锌矿结构

D. 金刚石结构

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15. 多晶硅属于（ ）。

A. 面心立方结构

B. 体心立方结构

C. 金刚石结构

D. 简单立方结构

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16. 关于染料敏化太阳电池中的纳米晶要求错误的是（ ）。

A. 高的比表面积和大量的孔隙

B. 尽可能多的吸附染料

C. 晶粒越大越好

D. 最大限度的与电解质紧密接触

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17. 以下太阳电池成本（单位：美元/W）最低的是（ ）。

A. 非晶硅薄膜

B. 多晶硅

C. 铜铟镓硒

D. 微晶硅薄膜

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18. Dash工艺主要解决的是（ ）。

A. 加入转晶

B. 减少位错

C. 放肩

D. 热应力

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19. 对比传统西门子法，改良西门子法的优点，错误的是（ ）。

A. 节约时间

B. 降低物耗

C. 节能

D. 减少污染

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20. 改良西门子法所采用的提纯工艺是（ ）。

A. 吸附

B. 精馏

C. 物理提纯法

D. 区域提纯

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二 、多选题

1. 硅片的翘曲度一般用（ ）参数来表示。

A. BOW

B. TTV

C. TIR

D. WARP

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2. 金属杂质的吸杂工艺一般包括（ ）。

A. 升温熔化金属杂质

B. 原金属沉淀的溶解

C. 金属原子的扩散

D. 金属杂质在吸杂点处的重新沉淀

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3. 多晶硅锭的低质量区杂质较多是由于（ ）。

A. 与坩埚接触部分引入了杂质

B. 晶粒尺寸较小

C. 晶体凝固的分凝作用

D. 热应力

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4. 金属杂质的吸杂工艺一般包括：（ ）

A. 原金属沉淀的溶解

B. 金属原子的扩散

C. 金属杂质的吸杂点处的重新沉淀

D. 升温熔化金属杂质

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5. 石英坩埚喷涂氮化硅的作用是（ ）。

A. 隔离硅熔体与石英坩埚，减少杂质

B. 绝热，保温

C. 降低热应力

D. 有效较少碎裂，使坩埚能重复利用

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6. 浇铸法的缺点在于（ ）。

A. 熔融和结晶使用不同的坩埚，会导致二次污染

B. 有坩埚翻转机构及引锭机构，使得其结构相对较复杂

C. 生产效率低

D. 能耗高

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7. 以下对吸附描述正确的是（ ）。

A. 物理吸附是可逆的

B. 物理吸附是不可逆的

C. 化学吸附是可逆的

D. 化学吸附是不可逆的

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8. 无坩埚区域提纯（ ）。

A. 也可用于晶体生长

B. 避免了坩埚的污染

C. 熔硅不会流动是由于其很大的表面张力

D. 硅也能采用水平区域提纯法

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9. 有机太阳电池基本的结构模型有（ ）。

A. PIN结构

B. 单层同异质结结构

C. 双层异质结结构

D. 单层混合膜异质结结构

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10. 非晶硅太阳电池相对与晶体硅太阳电池的优点在于（ ）。

A. 材料和制造工艺成本低

B. 易于形成大规模生产能力以及大面积化生产

C. 易实现柔性电池

D. 具有S-W效应

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三 、问答题

1. 铸造多晶硅是利用铸造技术制备的多晶硅，与单晶硅制备方法相比，成本相对降低。但是铸造多晶硅中存在大量形态各异的晶粒、晶界、位错、杂质，它们都会对最终的转换效率产生影响。实际应用中，为了制备优良的太阳能电池，在铸造多晶硅生长时，需要解决哪些问题？并简单叙述为什么要解决这些问题？

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2. 简述单晶硅、多晶硅、非晶硅的定义及主要相关工艺？

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