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2024秋最新国家开放大学国开电大机考期末光伏检测与分析0机考期末试卷参考试题

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光伏检测与分析-012关注公众号【飞鸟搜题】,回复【试题】获取试卷答案文档说明:本人针对该科精心汇总了历年题库及答案,形成一个完整的题库,并且每年都在更新。该题库对考生的复习、作业和考试起着非常重要的

光伏检测与分析-012

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文档说明:本人针对该科精心汇总了历年题库及答案,形成一个完整的题库,并且每年都在更新。该题库对考生的复习、作业和考试起着非常重要的作用,会给您节省大量的时间。做考题时,利用本文档中的查找工具,把考题中的关键字输到查找工具的查找内容框内,就可迅速查找到该题答案。本文库还有期末考核试题、其他网核及教学考一体化、一网一平台复习试题与答案,敬请查看。

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一 、单选题

1. 用冷热探笔法测量导电类型时,热探笔的温度要适当,以( )为宜。

A. 30~50℃

B. 40~60℃

C. 50~70℃

D. 60~80℃

答案:B
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2. 用冷热探笔法测量( )半导体时,冷端带正电,热端带负电。

A. P型

B. N型

C. PN型

D. 以上皆不是

答案:A
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3. 硅晶体中,氧的分凝系数( )1,碳的分凝系数( )1。

A. 大于 小于

B. 大于 大于

C. 小于 小于

D. 小于 大于

答案:A
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4. 光图定向法结果直观,操作( ),误差( )。

A. 简单 较大

B. 复杂 较大

C. 简单 较小

D. 复杂 较小

答案:A
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5. 双光束光栅红外分光光度计,测碳的分辨率应不大于( )。

A. 4cm-1

B. 3cm-1

C. 2cm-1

D. 1cm-1

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6. 以下表示晶面指数最恰当的是( )。

A. (664)

B. (463)

C. (333)

D. (246)

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7. 直拉单晶中氧含量头部与尾部相比( )。

A. 较高

B. 相同

C. 较低

D. 无法判断

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8. 晶面指数最低的晶面总是具有( )的晶面间距。

A. 最小

B. 相等

C. 最大

D. 无法判断

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9. 露点法测定气体中的水分时,本岗位存在的危险源是( )。

A. 液氮低温冻伤

B. 潜在氢气泄露引起的爆炸

C. 温度过高

D. 没有明显危险源

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10. 露点法测定气体中的水分时,本岗位存在的危险源是( )。

A. 液氮低温冻伤

B. 潜在氢气泄露引起的爆炸

C. 温度过高

D. 没有明显危险源

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11. RO反渗透技术是利用( )为动力的膜分离过滤技术。

A. 吸附力

B. 离子交换

C. 电力

D. 压力差

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12. 制取高纯水时一般采用( )交换树脂和( )交换树脂。

A. 强酸型阳离子 强碱型阴离子

B. 强碱型阴离子 强酸型阳离子

C. 强酸型阳离子 强酸型阴离子

D. 强碱型阳离子 强碱型阳离子

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13. 树脂失效表明离子交换树脂可供交换的( )大为减少。

A. CL-

B. Na

C. H+和OH-

D. Ca

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14. 纯水是电阻率达到( )左右的水。

A. 8

B. 9

C. 10

D. 11

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15. 漩涡缺陷是晶体中( )的局部聚集。

A. 点缺陷

B. 线缺陷

C. 面缺陷

D. 微缺陷

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16. 露点法测定气体中的水分时,本岗位存在的危险源是( )。

A. 液氮低温冻伤

B. 潜在氢气泄露引起的爆炸

C. 温度过高

D. 没有明显危险源

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17. ( )是影响硅器件的成品率的一个重要因素,也是影响器件性能的稳定性和可靠性的重要因素。

A. 点缺陷

B. 线缺陷

C. 面缺陷

D. 微缺陷

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18. 放射线同位素的量越多,放出的γ射线的强度( )。

A. 越小

B. 不变

C. 越大

D. 随机变化

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19. X射线定向法的误差可以控制在( )范围内,准确度高。

A. ±10'

B. ±15'

C. ±20'

D. ±30'

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20. X射线定向法的误差可以控制在( )范围内,准确度高。

A. ±10'

B. ±15'

C. ±20'

D. ±30'

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二 、多选题

1. 半导体硅的常用腐蚀剂主要有( )。

A. Sirtl腐蚀液

B. Dash腐蚀液

C. Wright腐蚀液

D. Shimmel腐蚀液

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2. 用接触法测量半导体单晶电阻率的方法主要有( )。

A. 两探针法

B. 四探针法

C. 扩展电阻法

D. 范德堡法

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3. X射线的衍射法精确度高,它受以下( )因素影响。

A. X射线束的发散性

B. X射线束准直性

C. 转角鼓轮读数轮刻度的精度

D. 天气温度

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4. 在立方晶系中,晶面和晶面间的夹角为( )。

A.

B. 30°

C. 60°

D. 90°

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5. 某样品受到红外线照射时,会产生以下( )现象。

A. 反射

B. 折射

C. 吸收

D. 透过

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三 、问答题

1. 简述离子交换法制备纯水交换、再生过程。

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2. 简述用分析法对三氯氢硅中痕量杂质的化学光谱测定的方法原理。

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3. 简述在立方晶系中,一个晶面的晶面指数是如何决定的。

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四 、配伍题

1. 将下列三氯氢硅中硼的分析试剂一一对应。

A. 10mΩ以上的离子交换水

B. 纯水

C. 优级纯氢氟酸,在用自制的聚乙烯蒸馏器蒸馏一次

D. 氢氟酸

E. Be标准液

F. 2.5µgBe/mL

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2. 将下列活性炭过滤器工作原理一一对应。

A. 向下穿过过滤料层,经下布水器收集返回中心管。

B. 反洗

C. 原水由进水口进入控制阀,从阀芯的上部经阀体内,并由顶部进入罐体

D. 运行

E. 正洗

F. 水从底部进入活性炭过滤层后由上部排出

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3. 硅中氧和硅原子之间组成非线性Si-O-Si模型,请将以下关系一一对应。

A. 硅原子向氧原子运动,振动频率1205 cm-1

B. 硅-氧键的对称伸张振动

C. 硅-氧键的弯曲振动

D. 硅原子偏离赤道面,振动频率515 cm-1

E. 硅原子沿硅-氧键的方向运动,振动频率1105 cm-1

F. 硅-氧键的反对称伸张振动

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4. 将下列质谱分析造成其误差较高的因素与原因一一对应。

A. 杂质不均匀

B. 与元素本身性质、样品中元素的选择及离子源火花条件有关

C. 因为质谱分析一次只消耗少量样品,不能代表整个样品杂质含量

D. 各元素电离效率

E. 谱线黑度

F. 受到很多因素,如离子质量影响

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5. 将以下X射线定向仪主要构成部分一一对应。

A. 吸盘

B. X射线发生部分

C. X射线检测部分

D. X射线管

E. 样品台

F. 盖革计数管和计数时率计

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