光伏电池材料卷包-005

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一 、单选题

1. 用于测试硅片中少数载流子类型的测试是（ ）。

四探针法

整流法

X射线法

显微镜观察法

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2. 最常用于测试硅片电阻率的方法是（ ）。

扩展电阻法

四探针法

两探针法

范德堡法

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3. 最常用于测试硅片电阻率的方法是（ ）。

扩展电阻法

四探针法

两探针法

范德堡法

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4. 据《参考消息》报道，有科学家提出硅是“21世纪的能源”、“未来的石油”的观点。假如硅作为一种普遍使用的新型能源被开发利用，下列关于其有利因素的说法中，你认为不妥的是（ ）。

便于运输、储存，从安全角度考虑，硅是最佳的燃料

自然界的含硅化合物易开采

硅燃烧放出的热量大，燃烧产物对环境污染程度低且容易有效控制

自然界中存在大量单质硅

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5. 关于硅的化学性质说法错误的是（ ）。

硅单质在常温下化学性质十分稳定

硅单质在常温下能与氢氟酸和硝酸的混合物反应

在高温下，硅几乎与所有物质发生化学反应

硅材料的一个重要优点就是硅表面很不容易氧化

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6. 以下太阳电池成本（单位：美元/W）最低的是（ ）。

非晶硅薄膜

多晶硅

铜铟镓硒

微晶硅薄膜

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7. 非晶硅具有大量的结构缺陷，主要是（ ）。

悬挂键

杂质

位错

C-Si弱键

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8. 铸造多晶硅制备目前最常用的方法是（ ）。

布里奇曼法

电磁铸锭法

浇铸法

热交换法

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9. 关于采用区域提纯法去除硅中硼杂质描述正确的是（ ）。

几乎无效果

效果明显

取决于温度

取决于硼的含量

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10. 硅片中磷扩散进行掺杂的原料是（ ）。

PH3

PH5

POCl3

B2O3

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11. 二元相图通常采用（）的坐标系。

温度-压力（T-p）图

温度-浓度（T-x）图

三棱柱模型

压强-浓度（p-x）图

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12. CZ法生长单晶硅工艺依次有加料、熔化以及（ ）。

放肩生长、缩颈生长、等径生长、尾部生长

等径生长、缩颈生长、放肩生长、尾部生长

缩颈生长、放肩生长、等径生长、尾部生长

缩颈生长、等径生长、放肩生长、尾部生长

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13. 观察晶体中位错最简单的方法是（ ）。

透射电镜法

肉眼观察法

浸蚀观察法

手触感觉法

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14. 原子（或分子）的扩散是依靠（ ）缺陷的运动而实现的。

点缺陷

线缺陷

面缺陷

体缺陷

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15. 硅晶胞中的原子数为（ ）。

1

8

14

4

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16. 关于染料敏化太阳电池中的纳米晶要求错误的是（ ）。

高的比表面积和大量的孔隙

尽可能多的吸附染料

晶粒越大越好

最大限度的与电解质紧密接触

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17. 以下太阳电池成本（单位：美元/W）最低的是（ ）。

非晶硅薄膜

多晶硅

铜铟镓硒

微晶硅薄膜

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18. 对比传统西门子法，改良西门子法的优点，错误的是（ ）。

节约时间

降低物耗

节能

减少污染

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19. 关于四氯化硅以下说法错误的是（ ）。

无色而有刺鼻气味的液体

熔点-70℃，沸点57.6℃

可以经吸入、食入、经皮吸收，对眼睛及上呼吸道有强烈刺激作用

不溶于苯、氯仿、石油醚等多数有机溶剂

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20. 改良西门子法所采用的提纯工艺是（ ）。

吸附

精馏

物理提纯法

区域提纯

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二 、多选题

1. 硅片的平整度一般用（ ）参数来表示。

BOW

TTV

TIR

FPD

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2. 金属杂质的吸杂工艺一般包括（ ）。

升温熔化金属杂质

原金属沉淀的溶解

金属原子的扩散

金属杂质在吸杂点处的重新沉淀

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3. 磷在硅中很容易去除，在于（ ）。

磷在硅熔液中很快得到蒸发

磷的密度小

磷在硅中的分配系数小于1

磷的熔点低

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4. 金属杂质的吸杂工艺一般包括：（ ）

原金属沉淀的溶解

金属原子的扩散

金属杂质的吸杂点处的重新沉淀

升温熔化金属杂质

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5. 浇铸法的缺点在于（ ）。

熔融和结晶使用不同的坩埚，会导致二次污染

有坩埚翻转机构及引锭机构，使得其结构相对较复杂

生产效率低

能耗高

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6. 石英坩埚喷涂氮化硅的作用是（ ）。

隔离硅熔体与石英坩埚，减少杂质

绝热，保温

降低热应力

有效较少碎裂，使坩埚能重复利用

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7. 以下对吸附描述正确的是（ ）。

物理吸附是可逆的

物理吸附是不可逆的

化学吸附是可逆的

化学吸附是不可逆的

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8. 无坩埚区域提纯（ ）。

也可用于晶体生长

避免了坩埚的污染

熔硅不会流动是由于其很大的表面张力

硅也能采用水平区域提纯法

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9. 观察晶体中位错的方法有（ ）。

浸蚀观察法

透射电镜法

手触感觉法

肉眼观察法

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10. 常用的多晶硅薄膜的制备方法有（ ）。

利用化学气相沉积直接制备多晶硅薄膜

非晶硅晶化制备

将多晶硅片切薄

对多晶硅片进行热处理

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三 、问答题

1. 铸造多晶硅是利用铸造技术制备的多晶硅，与单晶硅制备方法相比，成本相对降低。但是铸造多晶硅中存在大量形态各异的晶粒、晶界、位错、杂质，它们都会对最终的转换效率产生影响。实际应用中，为了制备优良的太阳能电池，在铸造多晶硅生长时，需要解决哪些问题？并简单叙述为什么要解决这些问题？

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2. 单晶硅生长和加工过程中，往往不可避免的会引入一些杂质，如氧、碳、氮等非金属杂质和某些金属杂质，这些杂质对硅材料的性能往往会有很大的影响。与氧、碳杂质相比，硅中杂质氮的浓度通常较低。简单叙述硅中氮的来源、存在形式及其对单晶硅的性能影响？

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