光伏检测与分析-003

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一 、单选题

1. 冷热探笔法属于利用半导体的（ ）来测量导电类型的方法。

温差电效应

整流效应

以上二种皆可

以上二种皆不可

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2. 半导体硅的常用液体试剂腐蚀剂中HCL的浓度大致为（ ）。

49%

70%

30%

36%

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3. 硅晶体中，氧的分凝系数（ ）1，碳的分凝系数（ ）1。

大于 小于

大于 大于

小于 小于

小于 大于

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4. 悬浮区熔法检验硅多晶中基磷含量时，采用快速区熔法的工艺，第一次区熔时，第一次熔区停留挥发时间（ ）左右。

3min

5min

10min

20min

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5. 质谱的定量分析是在质谱图上，谱线的峰值所对应的离子流强度即谱线的黑度代表了（ ）从而进行杂质分析。

离子的质量

离子的浓度

离子的运动

离子的温度

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6. 直拉单晶中氧含量头部与尾部相比（ ）。

较高

相同

较低

无法判断

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7. 晶面指数最低的晶面总是具有（ ）的晶面间距。

最小

相等

最大

无法判断

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8. 以下表示晶面指数最恰当的是（ ）。

（664）

（463）

（333）

（246）

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9. 露点法测定气体中的水分时，本岗位存在的危险源是（ ）。

液氮低温冻伤

潜在氢气泄露引起的爆炸

温度过高

没有明显危险源

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10. 当RO系统暂停使用一周以上时，系统应以（ ）浸泡，防止细菌在膜表面繁殖。

5%盐酸

1.0%浓度的亚硫酸氢纳

4%氢氧化钠

1%富尔马林溶液

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11. 三氯氢硅中痕量磷的气相色谱法的基本原则是（ ）法。

自然挥发法

基于时间的差别进行分离

过滤

化学分离

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12. 纯水是电阻率达到（ ）左右的水。

8

9

10

11

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13. 超纯水是电阻率达到（ ）左右的水。

16

17

18

19

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14. 下列哪一项不是天然水的三大杂质之一（ ）。

悬浮物质

挥发物质

胶体物质

溶解物质

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15. （ ）是影响硅器件的成品率的一个重要因素，也是影响器件性能的稳定性和可靠性的重要因素。

点缺陷

线缺陷

面缺陷

微缺陷

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16. 位错密度通常采用（ ）来表示，可在金相显微镜下测定。

体密度

面密度

线密度

以上皆不是

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17. 漩涡缺陷是晶体中（ ）的局部聚集。

点缺陷

线缺陷

面缺陷

微缺陷

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18. 放射线同位素的量越多，放出的γ射线的强度（ ）。

越小

不变

越大

随机变化

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19. X射线定向法的误差可以控制在（ ）范围内，准确度高。

±10'

±15'

±20'

±30'

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20. X射线定向法的误差可以控制在（ ）范围内，准确度高。

±10'

±15'

±20'

±30'

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二 、多选题

1. 构成电化学腐蚀需要具备的条件主要有（ ）。

被腐蚀的半导体各个部分或区域之间存在电位差

具有不同电极电位的半导体各部分要互相接触

半导体电极电位的不同部分处于互相连通的电解质溶液中

电解质腐蚀液可以是各种酸性或碱性的

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2. 用接触法测量半导体单晶电阻率的方法主要有（ ）。

两探针法

四探针法

扩展电阻法

范德堡法

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3. 自动软化系统出现下述情况之一（ ）就必须进行化学清洗。

装置的纯水量比初期投运时或上一次清洗后降低5%-10%

装置的单次的浓缩比比初期投运时或上一次清洗后降低10%-20%时

装置各段的压力差值为初期投运时或上一次清洗后的1-2倍

装置需要长期停运时用保护溶液保护前

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4. 在立方晶系中，主要有如下（ ）性质。

a=b=c

体积

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5. 露点法测定气体中水分的过程控制表述正确有（ ）。

用金属导管将被测气体导入露点瓶，出口气体经石蜡液封瓶放空测定前要赶气1h

测定时，在封底铜管内加入制冷剂，在插入一直-80℃低温温度计小心搅拌，使温度下降，注意观察，当喷口所对的铜管表面出现露斑，即读出温度值，这就是测得的露点温度

测定流速控制在250—300ml/min

通常测-34℃以下气体观察到的是霜点，根据实验测得霜点和露点相应温度差约4℃

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三 、问答题

1. 简述离子交换法制备纯水交换、再生过程。

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2. 简述用分析法对三氯氢硅中痕量杂质的化学光谱测定的方法原理。

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3. 高频光电导衰退法测量非平衡少数载流子寿命的基本原理是什么？

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四 、配伍题

1. 将下列RO膜污染原因与适应药液一一对应。

1.5%EDTA溶液

碳酸盐结垢

有机物污染及硫酸盐结构

1%富尔马林溶液

3%柠檬酸溶液

细菌污染

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2. 将下列天然水中杂质三大部分情况一一对应。

溶胶、硅胶、铁、铝

悬浮物质

胶体物质

细菌、泥沙、黏土等其他不容物质

溶解物质

Ca 、Mg、N【A.】Fe、Mn的酸式碳酸盐

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3. 将下列半导体晶体缺陷类型一一对应。

杂质沉淀

宏观缺陷

微观缺陷

星形结构

加工损伤

表面机械损伤

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4. 将下列半导体硅的常用腐蚀剂液体试剂的浓度一一对应。

70%

HF

49%

HNO3

H2O2

30%

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5. 将以下X射线定向仪主要构成部分一一对应。

吸盘

X射线发生部分

X射线检测部分

X射线管

样品台

盖革计数管和计数时率计

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