光伏电池材料卷包-001

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一 、单选题

1. 最常用于测试硅片电阻率的方法是（ ）。

扩展电阻法

四探针法

两探针法

范德堡法

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2. 最常用于测试硅片电阻率的方法是（ ）。

扩展电阻法

四探针法

两探针法

范德堡法

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3. 少子寿命的物理意义是（ ）。

非平衡少数载流子复合所需要的平均时间

非平衡少数载流子扩散所需要的平均时间

非平衡少数载流子跃迁所需要的平均时间

以上都不对

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4. 关于二氧化硅以下说法错误的是（ ）。

制造冶金硅的主要原料之一

能与HF反应

SiO2不溶于水，但能于热的浓碱溶液反应生成硅酸盐，反应较快

石英是地壳中分布很少的矿物质

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5. 关于硅的化学性质说法错误的是（ ）。

硅单质在常温下化学性质十分稳定

硅单质在常温下能与氢氟酸和硝酸的混合物反应

在高温下，硅几乎与所有物质发生化学反应

硅材料的一个重要优点就是硅表面很不容易氧化

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6. 非晶硅具有大量的结构缺陷，主要是（ ）。

悬挂键

杂质

位错

C-Si弱键

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7. 以下太阳电池成本（单位：美元/W）最低的是（ ）。

非晶硅薄膜

多晶硅

铜铟镓硒

微晶硅薄膜

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8. 区熔法制备单晶硅时，以下说法正确的是（ ）。

不需要坩埚

需要一个石英坩埚用于溶化

需要一个石英坩埚和一个石墨坩埚

需要一个石墨坩埚

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9. 相平衡条件要求平衡相的（ ）相等。

温度

压强

体积

化学势

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10. 关于采用区域提纯法去除硅中硼杂质描述正确的是（ ）。

几乎无效果

效果明显

取决于温度

取决于硼的含量

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11. 二元相图通常采用（）的坐标系。

温度-压力（T-p）图

温度-浓度（T-x）图

三棱柱模型

压强-浓度（p-x）图

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12. 直拉法生长单晶硅所采用的石墨坩埚可以多次使用，它的作用是（ ）。

盛硅熔体

补充氧

支撑石英坩埚

加热

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13. 生产直拉单晶硅时，单晶炉内需要通入（ ）作为保护气体。

空气

氧气

氩气

氢气

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14. GaAs属于（ ）。

面心立方结构

体心立方结构

闪锌矿结构

金刚石结构

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15. 多晶硅属于（ ）。

面心立方结构

体心立方结构

金刚石结构

简单立方结构

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16. 以下太阳电池成本（单位：美元/W）最低的是（ ）。

非晶硅薄膜

多晶硅

铜铟镓硒

微晶硅薄膜

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17. 关于染料敏化太阳电池中的纳米晶要求错误的是（ ）。

高的比表面积和大量的孔隙

尽可能多的吸附染料

晶粒越大越好

最大限度的与电解质紧密接触

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18. 关于四氯化硅以下说法错误的是（ ）。

无色而有刺鼻气味的液体

熔点-70℃，沸点57.6℃

可以经吸入、食入、经皮吸收，对眼睛及上呼吸道有强烈刺激作用

不溶于苯、氯仿、石油醚等多数有机溶剂

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19. 改良西门子法所采用的提纯工艺是（ ）。

吸附

精馏

物理提纯法

区域提纯

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20. Dash工艺主要解决的是（ ）。

加入转晶

减少位错

放肩

热应力

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二 、多选题

1. 硅片的翘曲度一般用（ ）参数来表示。

BOW

TTV

TIR

WARP

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2. 硅片清洗的作用是（ ）。

提高绝缘性能

去除边缘腐蚀时的油污、水气、灰尘

降低杂质离子对P-N结性能的影响

降低杂质的存在带来的硅片的电阻率不稳定

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3. 制备性能优良的太阳能电池，在铸造多晶硅晶体生长时，需要解决的问题有（ ）

尽量大的晶粒

尽量均匀的固液界面温度

尽量小的热应力

尽可能减少来自坩埚的污染

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4. 影响铸造多晶硅晶体生长的主要因素包括（ ）。

固液界面

热应力

来自坩埚的污染等

保护气氛

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5. 浇铸法的缺点在于（ ）。

熔融和结晶使用不同的坩埚，会导致二次污染

有坩埚翻转机构及引锭机构，使得其结构相对较复杂

生产效率低

能耗高

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6. 石英坩埚喷涂氮化硅的作用是（ ）。

隔离硅熔体与石英坩埚，减少杂质

绝热，保温

降低热应力

有效较少碎裂，使坩埚能重复利用

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7. 改良西门子法生产多晶硅的主要优点有（ ）。

节能

降低物耗

减少污染

生长速度快

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8. 工业吸附对于吸附剂的要求包括（ ）。

具有较大的内表面，吸附容量大

选择性高

具有一定的机械强度，抗磨损

有良好的物理及化学性能，耐热冲击，耐腐蚀

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9. 关于硅的电阻率说法正确的是（ ）。

在高纯硅中掺入极微量的电活性杂质，其电阻率会显著下降

硅的电导率对外界因素（如光、热、磁等）高度敏感

N型半导体中也有自由电子，但数量很少，称为少数载流子

N型半导体和P型半导体的导电能力都比本征半导体大得多

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10. 非晶硅太阳电池成本低原因在于（ ）。

廉价的衬底材料

制备是在低温下进行

可柔性化

非晶硅薄膜仅有数百纳米厚度

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三 、问答题

1. 简述太阳能电池用单晶硅加工所经历的滚圆、切片、倒角、磨片、化学腐蚀等5道主要工序的目的。

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2. 单晶硅生长和加工过程中，往往不可避免的会引入一些杂质，如氧、碳、氮等非金属杂质和某些金属杂质，这些杂质对硅材料的性能往往会有很大的影响。与氧、碳杂质相比，硅中杂质氮的浓度通常较低。简单叙述硅中氮的来源、存在形式及其对单晶硅的性能影响？

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