光伏检测与分析-021

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一 、单选题

1. 用冷热探笔法测量导电类型时，热探笔的温度要适当，以（ ）为宜。

30～50℃

40～60℃

50～70℃

60～80℃

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2. 冷热探笔法属于利用半导体的（ ）来测量导电类型的方法。

温差电效应

整流效应

以上二种皆可

以上二种皆不可

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3. 双光束光栅红外分光光度计，测碳的分辨率应不大于（ ）。

4cm-1

3cm-1

2cm-1

1cm-1

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4. 质谱的定量分析是在质谱图上，谱线的峰值所对应的离子流强度即谱线的黑度代表了（ ）从而进行杂质分析。

离子的质量

离子的浓度

离子的运动

离子的温度

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5. 硅晶体中，氧的分凝系数（ ）1，碳的分凝系数（ ）1。

大于 小于

大于 大于

小于 小于

小于 大于

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6. 晶面指数最低的晶面总是具有（ ）的晶面间距。

最小

相等

最大

无法判断

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7. 直拉单晶中氧含量头部与尾部相比（ ）。

较高

相同

较低

无法判断

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8. 以下表示晶面指数最恰当的是（ ）。

（664）

（463）

（333）

（246）

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9. 三氯氢硅中痕量磷的气相色谱法的基本原则是（ ）法。

自然挥发法

基于时间的差别进行分离

过滤

化学分离

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10. 以下那一项不是三氯氢硅中痕量磷的气象色谱测定步骤中，在温度680度和石英石的催化作用下，样品及其含磷杂质分别被氢还原产物（ ）。

混合氯代硅烷

氯化氢

磷化氢

水

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11. RO反渗透技术是利用（ ）为动力的膜分离过滤技术。

吸附力

离子交换

电力

压力差

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12. 树脂失效表明离子交换树脂可供交换的（ ）大为减少。

CL-

Na

H+和OH-

Ca

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13. 制取高纯水时一般采用（ ）交换树脂和（ ）交换树脂。

强酸型阳离子 强碱型阴离子

强碱型阴离子 强酸型阳离子

强酸型阳离子 强酸型阴离子

强碱型阳离子 强碱型阳离子

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14. 下列哪一项不是天然水的三大杂质之一（ ）。

悬浮物质

挥发物质

胶体物质

溶解物质

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15. 露点法测定气体中的水分时，本岗位存在的危险源是（ ）。

液氮低温冻伤

潜在氢气泄露引起的爆炸

温度过高

没有明显危险源

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16. 直拉单晶中氧含量头部与尾部相比（ ）。

较高

相同

较低

无法判断

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17. 硅单晶样品对红外光的反射率越（ ），吸收系数越（ ），那么红外光的透射率就越小。

高 大

高 小

低 大

低 小

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18. X射线定向法的误差可以控制在（ ）范围内，准确度高。

±10'

±15'

±20'

±30'

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19. 放射线同位素的量越多，放出的γ射线的强度（ ）。

越小

不变

越大

随机变化

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20. X射线定向法的误差可以控制在（ ）范围内，准确度高。

±10'

±15'

±20'

±30'

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二 、多选题

1. 半导体硅的常用腐蚀剂主要有（ ）。

Sirtl腐蚀液

Dash腐蚀液

Wright腐蚀液

Shimmel腐蚀液

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2. 露点法测定气体中职业健康安全运行控制正确的是（ ）。

存在危险源：液氮低温冻伤

因没有有毒气体不必做任何防护

在分析氢气露点时用大气赶走气，要注意把氢气引到室外

操作过程酒精可不必谈注意

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3. X射线的衍射法精确度高，它受以下（ ）因素影响。

X射线束的发散性

X射线束准直性

转角鼓轮读数轮刻度的精度

天气温度

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4. 在立方晶系中，主要有如下（ ）性质。

a=b=c

体积

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5. 混床的再生中是两种树脂充分混合的方法有（ ）。

自然混合法

用真空泵进行混合，自上口抽气，打开下口阀门进气，用空气搅动阴阳离子交换树脂达到充分混合的目的

加入混合剂使之混合

用压缩空气自底部进入，上口排除

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三 、问答题

1. 简述离子交换法制备纯水交换、再生过程。

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2. 简述用分析法对三氯氢硅中痕量杂质的化学光谱测定的方法原理。

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3. 简述在立方晶系中，一个晶面的晶面指数是如何决定的。

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四 、配伍题

1. 将下列三氯氢硅中硼的分析试剂一一对应。

10mΩ以上的离子交换水

纯水

优级纯氢氟酸，在用自制的聚乙烯蒸馏器蒸馏一次

氢氟酸

Be标准液

2.5µgBe/mL

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2. 将下列自动软化系统工艺过程一一对应。

再生用盐液在一定浓度、流量下，流经失效的树脂层，使其恢复原有的交换能力

反洗

向再生剂箱中注入溶液再生一次所需盐量的水

再生吸盐+慢洗

再生剂箱注水

树脂失效后，在进行再生之前，先用水自上而下流出

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3. 硅中氧和硅原子之间组成非线性Si-O-Si模型，请将以下关系一一对应。

硅原子向氧原子运动，振动频率1205 cm-1

硅-氧键的对称伸张振动

硅-氧键的弯曲振动

硅原子偏离赤道面，振动频率515 cm-1

硅原子沿硅-氧键的方向运动，振动频率1105 cm-1

硅-氧键的反对称伸张振动

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4. 将下列硅的腐蚀剂与腐蚀时间一一对应。

10～15min

Shimmle腐蚀液

20 min以上

Wright腐蚀液

Sirtl腐蚀液

5min

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5. 将下列质谱分析造成其误差较高的因素与原因一一对应。

杂质不均匀

与元素本身性质、样品中元素的选择及离子源火花条件有关

因为质谱分析一次只消耗少量样品，不能代表整个样品杂质含量

各元素电离效率

谱线黑度

受到很多因素，如离子质量影响

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