光伏检测与分析-015

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一 、单选题

1. 用冷热探笔法测量（ ）半导体时，冷端带负电，热端带正电。

P型

N型

PN型

以上皆不是

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2. 半导体硅的常用液体试剂腐蚀剂中HCL的浓度大致为（ ）。

49%

70%

30%

36%

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3. 双光束光栅红外分光光度计，测碳的分辨率应不大于（ ）。

4cm-1

3cm-1

2cm-1

1cm-1

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4. 气相色谱法测定干法H2的组分岗位存在的环境因素是（ ）。

液氮低温冻伤

潜在氢气泄露引起的爆炸

温度过高

没有明显危险源

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5. 硅晶体中，氧的分凝系数（ ）1，碳的分凝系数（ ）1。

大于 小于

大于 大于

小于 小于

小于 大于

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6. 以下表示晶面指数最恰当的是（ ）。

（664）

（463）

（333）

（246）

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7. 晶面指数最低的晶面总是具有（ ）的晶面间距。

最小

相等

最大

无法判断

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8. 直拉单晶中氧含量头部与尾部相比（ ）。

较高

相同

较低

无法判断

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9. 以下那一项不是三氯氢硅中痕量磷的气象色谱测定步骤中，在温度680度和石英石的催化作用下，样品及其含磷杂质分别被氢还原产物（ ）。

混合氯代硅烷

氯化氢

磷化氢

水

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10. 露点法测定气体中的水分时，本岗位存在的危险源是（ ）。

液氮低温冻伤

潜在氢气泄露引起的爆炸

温度过高

没有明显危险源

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11. 当RO系统暂停使用一周以上时，系统应以（ ）浸泡，防止细菌在膜表面繁殖。

5%盐酸

1.0%浓度的亚硫酸氢纳

4%氢氧化钠

1%富尔马林溶液

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12. 制取高纯水时一般采用（ ）交换树脂和（ ）交换树脂。

强酸型阳离子 强碱型阴离子

强碱型阴离子 强酸型阳离子

强酸型阳离子 强酸型阴离子

强碱型阳离子 强碱型阳离子

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13. 超纯水是电阻率达到（ ）左右的水。

16

17

18

19

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14. 树脂失效表明离子交换树脂可供交换的（ ）大为减少。

CL-

Na

H+和OH-

Ca

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15. （ ）是影响硅器件的成品率的一个重要因素，也是影响器件性能的稳定性和可靠性的重要因素。

点缺陷

线缺陷

面缺陷

微缺陷

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16. 硅单晶样品对红外光的反射率越（ ），吸收系数越（ ），那么红外光的透射率就越小。

高 大

高 小

低 大

低 小

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17. 直拉单晶中氧含量头部与尾部相比（ ）。

较高

相同

较低

无法判断

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18. X射线定向法的误差可以控制在（ ）范围内，准确度高。

±10'

±15'

±20'

±30'

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19. X射线定向法的误差可以控制在（ ）范围内，准确度高。

±10'

±15'

±20'

±30'

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20. 放射线同位素的量越多，放出的γ射线的强度（ ）。

越小

不变

越大

随机变化

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二 、多选题

1. 由于硅晶体经历了各种温度的热处理，过饱和的间隙氧会在硅晶体中偏聚和沉淀，形成了（ ）。

氧施主

氧沉淀

二次缺陷

氧分离

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2. 露点法测定气体中职业健康安全运行控制正确的是（ ）。

存在危险源：液氮低温冻伤

因没有有毒气体不必做任何防护

在分析氢气露点时用大气赶走气，要注意把氢气引到室外

操作过程酒精可不必谈注意

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3. 利用X射线形貌图来计算单晶中位错密度常用的方法有（ ）。

利用X射线形貌立体投影的方法

计算单位体积中位错线的长度

计算形貌图上穿过一定长度的位错线的数目

缀饰法

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4. 自动软化系统反洗的目的是（ ）。

通过反洗，试运行中压紧的树脂层松动，有利于树脂颗粒与再生液充分接触

使树脂表面积累的悬浮物及碎树脂随反洗水排出，从而使交换器的水流阻力不会越来越大

清除树脂层中残留的再生废液

提高软化效果

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5. 某样品受到红外线照射时，会产生以下（ ）现象。

反射

折射

吸收

透过

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三 、问答题

1. 简述离子交换法制备纯水交换、再生过程。

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2. 简述用分析法对三氯氢硅中痕量杂质的化学光谱测定的方法原理。

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3. 为什么测量半导体硅单晶导电类型时，要对单晶的被测表面进行喷砂处理？

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四 、配伍题

1. 将下列RO膜污染原因与适应药液一一对应。

1.5%EDTA溶液

碳酸盐结垢

1%富尔马林溶液

有机物污染及硫酸盐结构

3%柠檬酸溶液

细菌污染

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2. 将下列混床树脂再生步骤与内容一一对应。

逆流分层

由入酸口将6%-10%的盐酸溶液，流入柱内，严格控制流过阳离子交换树脂层的流速，使其在0.5-1h内流完

碱液再生阴离子交换树脂

对树脂进行短时间的强烈反冲，使阴阳离子交换树脂充分分层

酸液再生阴离子交换树脂

由入碱口或入水口将2-3倍阴离子交换树脂体积的4%-6%的NaOH溶液注入柱内，控制流速，使其在15-30min流完

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3. 由于晶胞参数关系，在立方晶体中，某些晶面和晶向是相互垂直的，请一一对应。

[100]晶向

[111]晶面

[111]晶向

[100]晶面

[110]晶向

[110]晶面

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4. 将以下X射线定向仪主要构成部分一一对应。

吸盘

X射线发生部分

X射线检测部分

X射线管

样品台

盖革计数管和计数时率计

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5. 将下列硅的腐蚀剂与腐蚀时间一一对应。

10～15min

Shimmle腐蚀液

20 min以上

Wright腐蚀液

Sirtl腐蚀液

5min

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