光伏电池材料卷包-032
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一 、单选题
1. 利用温差电效应来测量晶体硅导电类型的方法称为( )。
冷热探针法
整流法
双电源动态电导法
霍尔效应法
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2. 最常用于测试硅片电阻率的方法是( )。
扩展电阻法
四探针法
两探针法
范德堡法
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3. 硅片厚度的最大值与最小值之差表示为( )。
TIR
FPD
TTV
WARP
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4. 据《参考消息》报道,有科学家提出硅是“21世纪的能源”、“未来的石油”的观点。假如硅作为一种普遍使用的新型能源被开发利用,下列关于其有利因素的说法中,你认为不妥的是( )。
便于运输、储存,从安全角度考虑,硅是最佳的燃料
自然界的含硅化合物易开采
硅燃烧放出的热量大,燃烧产物对环境污染程度低且容易有效控制
自然界中存在大量单质硅
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5. 关于二氧化硅以下说法错误的是( )。
制造冶金硅的主要原料之一
能与HF反应
SiO2不溶于水,但能于热的浓碱溶液反应生成硅酸盐,反应较快
石英是地壳中分布很少的矿物质
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6. 以下太阳电池成本(单位:美元/W)最低的是( )。
非晶硅薄膜
多晶硅
铜铟镓硒
微晶硅薄膜
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7. 非晶硅具有大量的结构缺陷,主要是( )。
悬挂键
杂质
位错
C-Si弱键
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8. 铸造多晶硅制备目前最常用的方法是( )。
布里奇曼法
电磁铸锭法
浇铸法
热交换法
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9. 硅片中磷扩散进行掺杂的原料是( )。
PH3
PH5
POCl3
B2O3
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10. 关于采用区域提纯法去除硅中硼杂质描述正确的是( )。
几乎无效果
效果明显
取决于温度
取决于硼的含量
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11. CZ法生长单晶硅工艺依次有加料、熔化以及( )。
放肩生长、缩颈生长、等径生长、尾部生长
等径生长、缩颈生长、放肩生长、尾部生长
缩颈生长、放肩生长、等径生长、尾部生长
缩颈生长、等径生长、放肩生长、尾部生长
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12. 观察晶体中位错最简单的方法是( )。
透射电镜法
肉眼观察法
浸蚀观察法
手触感觉法
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13. 二元相图通常采用()的坐标系。
温度-压力(T-p)图
温度-浓度(T-x)图
三棱柱模型
压强-浓度(p-x)图
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14. 多晶硅属于( )。
面心立方结构
体心立方结构
金刚石结构
简单立方结构
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15. 多晶硅属于( )。
面心立方结构
体心立方结构
金刚石结构
简单立方结构
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16. 关于染料敏化太阳电池中的纳米晶要求错误的是( )。
高的比表面积和大量的孔隙
尽可能多的吸附染料
晶粒越大越好
最大限度的与电解质紧密接触
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17. 以下太阳电池成本(单位:美元/W)最低的是( )。
非晶硅薄膜
多晶硅
铜铟镓硒
微晶硅薄膜
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18. 关于四氯化硅以下说法错误的是( )。
无色而有刺鼻气味的液体
熔点-70℃,沸点57.6℃
可以经吸入、食入、经皮吸收,对眼睛及上呼吸道有强烈刺激作用
不溶于苯、氯仿、石油醚等多数有机溶剂
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19. 对比传统西门子法,改良西门子法的优点,错误的是( )。
节约时间
降低物耗
节能
减少污染
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20. 关于四氯化硅以下说法错误的是( )。
无色而有刺鼻气味的液体
熔点-70℃,沸点57.6℃
可以经吸入、食入、经皮吸收,对眼睛及上呼吸道有强烈刺激作用
不溶于苯、氯仿、石油醚等多数有机溶剂
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二 、多选题
1. 硅片清洗的作用是( )。
提高绝缘性能
去除边缘腐蚀时的油污、水气、灰尘
降低杂质离子对P-N结性能的影响
降低杂质的存在带来的硅片的电阻率不稳定
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2. 硅片的平整度一般用( )参数来表示。
BOW
TTV
TIR
FPD
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3. 改良西门子法相对传统西门子法增加了哪些工艺流程( )。
三氯氢硅的合成
尾气干法回收系统
四氯化硅氢化工艺
冷凝蒸馏提纯
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4. 多晶硅锭的低质量区杂质较多是由于( )。
与坩埚接触部分引入了杂质
晶粒尺寸较小
晶体凝固的分凝作用
热应力
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5. 石英坩埚喷涂氮化硅的作用是( )。
隔离硅熔体与石英坩埚,减少杂质
绝热,保温
降低热应力
有效较少碎裂,使坩埚能重复利用
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6. 浇铸法的缺点在于( )。
熔融和结晶使用不同的坩埚,会导致二次污染
有坩埚翻转机构及引锭机构,使得其结构相对较复杂
生产效率低
能耗高
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7. 关于三氯氢硅说法正确的是( )。
是制取一系列有机硅材料的中间体
生产多晶硅的重要原材料之一
无色、透明、极易挥发和水解
易燃易爆,对人体有毒害
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8. 无坩埚区域提纯( )。
也可用于晶体生长
避免了坩埚的污染
熔硅不会流动是由于其很大的表面张力
硅也能采用水平区域提纯法
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9. 有机太阳电池基本的结构模型有( )。
PIN结构
单层同异质结结构
双层异质结结构
单层混合膜异质结结构
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10. 下列属于晶体的宏观特性的有( )。
长程有序
固定熔点
解理性
各向异性
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三 、问答题
1. 晶体缺陷根据缺陷的空间几何图像的分类及各自代表性缺陷。
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2. 晶体缺陷根据缺陷的空间几何图像的分类及各自代表性缺陷。
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