光伏检测与分析-001

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一 、单选题

1. 冷热探笔法属于利用半导体的（ ）来测量导电类型的方法。

温差电效应

整流效应

以上二种皆可

以上二种皆不可

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2. 用冷热探笔法测量导电类型时，热探笔的温度要适当，以（ ）为宜。

30～50℃

40～60℃

50～70℃

60～80℃

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3. 气相色谱法测定干法H2的组分岗位存在的环境因素是（ ）。

液氮低温冻伤

潜在氢气泄露引起的爆炸

温度过高

没有明显危险源

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4. 硅晶体中，氧的分凝系数（ ）1，碳的分凝系数（ ）1。

大于 小于

大于 大于

小于 小于

小于 大于

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5. 气相色谱法测定干法H2的组分岗位存在的环境因素是（ ）。

液氮低温冻伤

潜在氢气泄露引起的爆炸

温度过高

没有明显危险源

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6. 直拉单晶中氧含量头部与尾部相比（ ）。

较高

相同

较低

无法判断

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7. 晶面指数最低的晶面总是具有（ ）的晶面间距。

最小

相等

最大

无法判断

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8. 以下表示晶面指数最恰当的是（ ）。

（664）

（463）

（333）

（246）

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9. RO反渗透技术是利用（ ）为动力的膜分离过滤技术。

吸附力

离子交换

电力

压力差

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10. 以下那一项不是三氯氢硅中痕量磷的气象色谱测定步骤中，在温度680度和石英石的催化作用下，样品及其含磷杂质分别被氢还原产物（ ）。

混合氯代硅烷

氯化氢

磷化氢

水

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11. 露点法测定气体中的水分时，本岗位存在的危险源是（ ）。

液氮低温冻伤

潜在氢气泄露引起的爆炸

温度过高

没有明显危险源

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12. 纯水是电阻率达到（ ）左右的水。

8

9

10

11

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13. 制取高纯水时一般采用（ ）交换树脂和（ ）交换树脂。

强酸型阳离子 强碱型阴离子

强碱型阴离子 强酸型阳离子

强酸型阳离子 强酸型阴离子

强碱型阳离子 强碱型阳离子

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14. 下列哪一项不是天然水的三大杂质之一（ ）。

悬浮物质

挥发物质

胶体物质

溶解物质

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15. （ ）是影响硅器件的成品率的一个重要因素，也是影响器件性能的稳定性和可靠性的重要因素。

点缺陷

线缺陷

面缺陷

微缺陷

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16. 直拉单晶中氧含量头部与尾部相比（ ）。

较高

相同

较低

无法判断

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17. 漩涡缺陷是晶体中（ ）的局部聚集。

点缺陷

线缺陷

面缺陷

微缺陷

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18. 放射线同位素的量越多，放出的γ射线的强度（ ）。

越小

不变

越大

随机变化

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19. X射线定向法的误差可以控制在（ ）范围内，准确度高。

±10'

±15'

±20'

±30'

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20. X射线定向法的误差可以控制在（ ）范围内，准确度高。

±10'

±15'

±20'

±30'

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二 、多选题

1. 影响半导体单晶电化学腐蚀速度的因素主要有（ ）。

腐蚀液的成分

电极电位

缓冲剂的影响

腐蚀处理的温度和搅拌的影响

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2. 半导体中非平衡少子载流子寿命的大小对半导体器件的（ ）有直接影响。

太阳能电池的光电转换效率

晶体管的放大倍数

开关管的开关时间

太阳能电池的填充因子

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3. 影响树脂再生的主要因素有（ ）。

再生剂的类型、强度、浓度、流速、酸、碱液与离子交换树脂接触的时间等

终点PH值的大小

离子交换树脂的分离、反洗效果、混合程度、清洁卫生等

杂质量的多少

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4. 中子活化分析的特点有（ ）。

灵敏度高

分析速度快，精度高

非破坏性分析

不易沾污和不受试剂空白的影响

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5. 关于晶面指数，以下说法正确的是（ ）。

与Y轴平行但与X轴和Z轴都相交于一个单位长度处的密勒指数为（101）

与Y轴平行但与X轴和Z轴都相交于一个单位长度处的密勒指数为（010）

和X,Y轴都平行但与Z轴相交于一个单位长度处的密勒指数为（001）

和X,Y轴都平行但与Z轴相交于一个单位长度处的密勒指数为（110）

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三 、问答题

1. 简述离子交换法制备纯水交换、再生过程。

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2. 简述用分析法对三氯氢硅中痕量杂质的化学光谱测定的方法原理。

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3. 高频光电导衰退法测量非平衡少数载流子寿命的基本原理是什么？

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四 、配伍题

1. 将下列分析项目与分析方法一一对应。

基于时间的差别进行分离

三氯氢硅中硼的分析

三氯氢硅中痕量磷的气相色谱测定

自然挥发法

异常透射法

X射线形貌技术

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2. 将下列混床再生中操作步骤一一对应。

再生剂为5%的NaOH，用量为树脂体积的3-5倍， 从上口进入，控制一定流速，维持液面顺流通过

逆洗分层

强碱性阴离子交换树脂再生

水从底部进入，上口排出，树脂均匀地松弛蓬松开来，可加大水流速以冲不出树脂为原则，洗至出水清高度

再生剂为5%盐酸，用酸量为阳离子交换树脂体积的2-3倍

强酸性阳离子交换树脂再生

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3. 多晶硅中基硼含量式：，请将以下变量物理意义一一对应。

P型电阻率

ρB

电子电荷

e

空穴迁移率

μp

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4. 将下列质谱分析造成其误差较高的因素与原因一一对应。

杂质不均匀

与元素本身性质、样品中元素的选择及离子源火花条件有关

因为质谱分析一次只消耗少量样品，不能代表整个样品杂质含量

各元素电离效率

谱线黑度

受到很多因素，如离子质量影响

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5. 将以下X射线定向仪主要构成部分一一对应。

吸盘

X射线发生部分

X射线检测部分

X射线管

样品台

盖革计数管和计数时率计

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