光伏检测与分析-005

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一 、单选题

1. 半导体硅的常用液体试剂腐蚀剂中HCL的浓度大致为（ ）。

49%

70%

30%

36%

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2. 用冷热探笔法测量（ ）半导体时，冷端带负电，热端带正电。

P型

N型

PN型

以上皆不是

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3. 气相色谱法测定干法H2的组分岗位存在的环境因素是（ ）。

液氮低温冻伤

潜在氢气泄露引起的爆炸

温度过高

没有明显危险源

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4. 双光束光栅红外分光光度计，测碳的分辨率应不大于（ ）。

4cm-1

3cm-1

2cm-1

1cm-1

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5. 悬浮区熔法检验硅多晶中基磷含量时，采用快速区熔法的工艺，第一次区熔时，第一次熔区停留挥发时间（ ）左右。

3min

5min

10min

20min

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6. 以下表示晶面指数最恰当的是（ ）。

（664）

（463）

（333）

（246）

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7. 晶面指数最低的晶面总是具有（ ）的晶面间距。

最小

相等

最大

无法判断

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8. 直拉单晶中氧含量头部与尾部相比（ ）。

较高

相同

较低

无法判断

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9. 露点法测定气体中的水分时，本岗位存在的危险源是（ ）。

液氮低温冻伤

潜在氢气泄露引起的爆炸

温度过高

没有明显危险源

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10. 三氯氢硅中痕量磷的气相色谱法的基本原则是（ ）法。

自然挥发法

基于时间的差别进行分离

过滤

化学分离

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11. RO反渗透技术是利用（ ）为动力的膜分离过滤技术。

吸附力

离子交换

电力

压力差

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12. 对三氯氢硅中痕量杂质的分析采用蒸发法使用微量高纯水和SiHCL3作用产生少量（ ）水解物，对痕量杂质元素有吸附作用。

SiO2

SiH

HCL

Si

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13. 下列哪一项不是天然水的三大杂质之一（ ）。

悬浮物质

挥发物质

胶体物质

溶解物质

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14. 超纯水是电阻率达到（ ）左右的水。

16

17

18

19

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15. 位错密度通常采用（ ）来表示，可在金相显微镜下测定。

体密度

面密度

线密度

以上皆不是

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16. 硅单晶样品对红外光的反射率越（ ），吸收系数越（ ），那么红外光的透射率就越小。

高 大

高 小

低 大

低 小

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17. 直拉单晶中氧含量头部与尾部相比（ ）。

较高

相同

较低

无法判断

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18. X射线定向法的误差可以控制在（ ）范围内，准确度高。

±10'

±15'

±20'

±30'

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19. X射线定向法的误差可以控制在（ ）范围内，准确度高。

±10'

±15'

±20'

±30'

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20. 放射线同位素的量越多，放出的γ射线的强度（ ）。

越小

不变

越大

随机变化

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二 、多选题

1. 半导体硅的常用腐蚀剂主要有（ ）。

Sirtl腐蚀液

Dash腐蚀液

Wright腐蚀液

Shimmel腐蚀液

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2. 陷阱效应对少数载流子寿命测量的影响可以采用（ ）。

使整个样品加底光照

加底光照后用氙灯闪光进行照射

将硅单晶加热到50～70℃

将硅单晶加热到60～80℃

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3. 露点法测定气体中水分的过程控制表述正确有（ ）。

用金属导管将被测气体导入露点瓶，出口气体经石蜡液封瓶放空测定前要赶气1h

测定时，在封底铜管内加入制冷剂，在插入一直-80℃低温温度计小心搅拌，使温度下降，注意观察，当喷口所对的铜管表面出现露斑，即读出温度值，这就是测得的露点温度

测定流速控制在250—300ml/min

通常测-34℃以下气体观察到的是霜点，根据实验测得霜点和露点相应温度差约4℃

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4. 为避免引起衍射混乱，一般选用比阳极材料原子序数小的材料做滤光片，以下适宜的是（ ）。

铜靶的滤光片采用镍

钼靶的滤光片采用铌

钼靶的滤光片采用锆

钴靶的滤光片采用铁

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5. 布喇格定律成立需满足以下（ ）条件。

入射角等于反射角

入射线反射线和反射晶面的法线在同一平面，且入射线和衍射线处法线两侧

绝对值只能等于或小于1

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三 、问答题

1. 简述离子交换法制备纯水交换、再生过程。

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2. 简述用分析法对三氯氢硅中痕量杂质的化学光谱测定的方法原理。

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3. 高频光电导衰退法测量非平衡少数载流子寿命的基本原理是什么？

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四 、配伍题

1. 将下列分析项目与分析方法一一对应。

基于时间的差别进行分离

三氯氢硅中硼的分析

三氯氢硅中痕量磷的气相色谱测定

自然挥发法

异常透射法

X射线形貌技术

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2. 将下列天然水中杂质三大部分情况一一对应。

溶胶、硅胶、铁、铝

悬浮物质

细菌、泥沙、黏土等其他不容物质

胶体物质

溶解物质

Ca 、Mg、N【A.】Fe、Mn的酸式碳酸盐

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3. 多晶硅中基硼含量式：，请将以下变量物理意义一一对应。

P型电阻率

ρB

电子电荷

e

空穴迁移率

μp

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4. 将下列露点法测定气体中的水分时职业健康安全进行控制一一对应。

危险源

要注意把氢气引出室外

分析氢气露点时用大气赶走气

液氮低温冻伤

要放在阴凉地方

酒精放置

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5. 将下列硅的腐蚀剂与腐蚀时间一一对应。

10～15min

Shimmle腐蚀液

20 min以上

Wright腐蚀液

Sirtl腐蚀液

5min

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