光伏检测与分析-008

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一 、单选题

1. 用冷热探笔法测量（ ）半导体时，冷端带正电，热端带负电。

P型

N型

PN型

以上皆不是

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2. 用冷热探笔法测量导电类型时，热探笔的温度要适当，以（ ）为宜。

30～50℃

40～60℃

50～70℃

60～80℃

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3. 悬浮区熔法检验硅多晶中基磷含量时，采用快速区熔法的工艺，第一次区熔时，第一次熔区停留挥发时间（ ）左右。

3min

5min

10min

20min

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4. 光图定向法结果直观，操作（ ），误差（ ）。

简单 较大

复杂 较大

简单 较小

复杂 较小

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5. 气相色谱法测定干法H2的组分岗位存在的环境因素是（ ）。

液氮低温冻伤

潜在氢气泄露引起的爆炸

温度过高

没有明显危险源

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6. 以下表示晶面指数最恰当的是（ ）。

（664）

（463）

（333）

（246）

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7. 晶面指数最低的晶面总是具有（ ）的晶面间距。

最小

相等

最大

无法判断

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8. 直拉单晶中氧含量头部与尾部相比（ ）。

较高

相同

较低

无法判断

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9. RO反渗透技术是利用（ ）为动力的膜分离过滤技术。

吸附力

离子交换

电力

压力差

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10. 露点法测定气体中的水分时，本岗位存在的危险源是（ ）。

液氮低温冻伤

潜在氢气泄露引起的爆炸

温度过高

没有明显危险源

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11. 当RO系统暂停使用一周以上时，系统应以（ ）浸泡，防止细菌在膜表面繁殖。

5%盐酸

1.0%浓度的亚硫酸氢纳

4%氢氧化钠

1%富尔马林溶液

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12. 对三氯氢硅中痕量杂质的分析采用蒸发法使用微量高纯水和SiHCL3作用产生少量（ ）水解物，对痕量杂质元素有吸附作用。

SiO2

SiH

HCL

Si

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13. 树脂失效表明离子交换树脂可供交换的（ ）大为减少。

CL-

Na

H+和OH-

Ca

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14. 制取高纯水时一般采用（ ）交换树脂和（ ）交换树脂。

强酸型阳离子 强碱型阴离子

强碱型阴离子 强酸型阳离子

强酸型阳离子 强酸型阴离子

强碱型阳离子 强碱型阳离子

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15. （ ）是影响硅器件的成品率的一个重要因素，也是影响器件性能的稳定性和可靠性的重要因素。

点缺陷

线缺陷

面缺陷

微缺陷

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16. 漩涡缺陷是晶体中（ ）的局部聚集。

点缺陷

线缺陷

面缺陷

微缺陷

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17. （ ）是影响硅器件的成品率的一个重要因素，也是影响器件性能的稳定性和可靠性的重要因素。

点缺陷

线缺陷

面缺陷

微缺陷

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18. X射线定向法的误差可以控制在（ ）范围内，准确度高。

±10'

±15'

±20'

±30'

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19. X射线定向法的误差可以控制在（ ）范围内，准确度高。

±10'

±15'

±20'

±30'

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20. 放射线同位素的量越多，放出的γ射线的强度（ ）。

越小

不变

越大

随机变化

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二 、多选题

1. 构成电化学腐蚀需要具备的条件主要有（ ）。

被腐蚀的半导体各个部分或区域之间存在电位差

具有不同电极电位的半导体各部分要互相接触

半导体电极电位的不同部分处于互相连通的电解质溶液中

电解质腐蚀液可以是各种酸性或碱性的

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2. 四探针法测量电阻率的测准条件主要有（ ）。

样品的厚度必须大于3倍针距

一般采用1～2mm左右的针距较适宜

四根探针应处于同一平面的同一条直线上

电流通过样品不应引起样品的电导率发生变化

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3. 自动软化系统中的控制阀功位由（ ）盐箱注水组成。

运行

反洗

再生+慢洗

快洗

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4. 硅单晶光点定向测试中运用的仪器设备有以下（ ）。

光点定向仪

光源

光屏

X光

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5. 中子活化分析的特点有（ ）。

灵敏度高

分析速度快，精度高

非破坏性分析

不易沾污和不受试剂空白的影响

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三 、问答题

1. 简述离子交换法制备纯水交换、再生过程。

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2. 简述用分析法对三氯氢硅中痕量杂质的化学光谱测定的方法原理。

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3. 简述气相色谱法基本原理。

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四 、配伍题

1. 将下列RO膜污染原因与适应药液一一对应。

1.5%EDTA溶液

碳酸盐结垢

有机物污染及硫酸盐结构

1%富尔马林溶液

3%柠檬酸溶液

细菌污染

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2. 将下列多介质过滤器工作原理与内容一一对应。

反洗

将原水泵停止，阀门关闭，让多介质自然下沉，使沙层排列平整

原水由进口进入控制阀，从阀芯的上部经阀体内，并由顶部进入罐体

静止

正洗

水从底部进入石英砂过滤层后由上部排除

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3. 将下列半导体晶体缺陷类型一一对应。

杂质沉淀

宏观缺陷

微观缺陷

星形结构

加工损伤

表面机械损伤

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4. 将下列半导体硅的常用腐蚀剂液体试剂的浓度一一对应。

70%

HF

49%

HNO3

H2O2

30%

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5. 将下列微观缺陷种类与说法一一对应。

晶格点阵上的原子由于热运动或辐照离开其平衡位置跑到晶格的空隙中或晶体的表面

空位

填隙原子

占据晶格空隙处的多余原子

空位与杂质原子相结合而形成的复合体

络合体

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