光伏电池材料卷包-009

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一 、单选题

1. 硅片厚度的最大值与最小值之差表示为（ ）。

TIR

FPD

TTV

WARP

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2. 最常用于测试硅片电阻率的方法是（ ）。

扩展电阻法

四探针法

两探针法

范德堡法

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3. 最常用于测试硅片电阻率的方法是（ ）。

扩展电阻法

四探针法

两探针法

范德堡法

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4. 关于二氧化硅以下说法错误的是（ ）。

制造冶金硅的主要原料之一

能与HF反应

SiO2不溶于水，但能于热的浓碱溶液反应生成硅酸盐，反应较快

石英是地壳中分布很少的矿物质

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5. 据《参考消息》报道，有科学家提出硅是“21世纪的能源”、“未来的石油”的观点。假如硅作为一种普遍使用的新型能源被开发利用，下列关于其有利因素的说法中，你认为不妥的是（ ）。

便于运输、储存，从安全角度考虑，硅是最佳的燃料

自然界的含硅化合物易开采

硅燃烧放出的热量大，燃烧产物对环境污染程度低且容易有效控制

自然界中存在大量单质硅

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6. 以下太阳电池成本（单位：美元/W）最低的是（ ）。

非晶硅薄膜

多晶硅

铜铟镓硒

微晶硅薄膜

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7. 非晶硅具有大量的结构缺陷，主要是（ ）。

悬挂键

杂质

位错

C-Si弱键

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8. 关于采用区域提纯法去除硅中硼杂质描述正确的是（ ）。

几乎无效果

效果明显

取决于温度

取决于硼的含量

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9. 相平衡条件要求平衡相的（ ）相等。

温度

压强

体积

化学势

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10. 铸造多晶硅制备目前最常用的方法是（ ）。

布里奇曼法

电磁铸锭法

浇铸法

热交换法

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11. 适用于制备高阻单晶硅和探测器高纯单晶硅的方法为（ ）。

直拉法

区熔法

西门子法

热交换法

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12. 二元相图通常采用（）的坐标系。

温度-压力（T-p）图

温度-浓度（T-x）图

三棱柱模型

压强-浓度（p-x）图

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13. 太阳电池用直拉单晶硅中的主要缺陷是（ ）。

空位

杂质原子

位错

二次缺陷

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14. 原子（或分子）的扩散是依靠（ ）缺陷的运动而实现的。

点缺陷

线缺陷

面缺陷

体缺陷

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15. 多晶硅属于（ ）。

面心立方结构

体心立方结构

金刚石结构

简单立方结构

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16. 以下太阳电池成本（单位：美元/W）最低的是（ ）。

非晶硅薄膜

多晶硅

铜铟镓硒

微晶硅薄膜

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17. 关于染料敏化太阳电池中的纳米晶要求错误的是（ ）。

高的比表面积和大量的孔隙

尽可能多的吸附染料

晶粒越大越好

最大限度的与电解质紧密接触

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18. Dash工艺主要解决的是（ ）。

加入转晶

减少位错

放肩

热应力

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19. 关于四氯化硅以下说法错误的是（ ）。

无色而有刺鼻气味的液体

熔点-70℃，沸点57.6℃

可以经吸入、食入、经皮吸收，对眼睛及上呼吸道有强烈刺激作用

不溶于苯、氯仿、石油醚等多数有机溶剂

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20. 对比传统西门子法，改良西门子法的优点，错误的是（ ）。

节约时间

降低物耗

节能

减少污染

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二 、多选题

1. 硅片清洗的作用是（ ）。

提高绝缘性能

去除边缘腐蚀时的油污、水气、灰尘

降低杂质离子对P-N结性能的影响

降低杂质的存在带来的硅片的电阻率不稳定

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2. 硅片的平整度一般用（ ）参数来表示。

BOW

TTV

TIR

FPD

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3. 磷在硅中很容易去除，在于（ ）。

磷在硅熔液中很快得到蒸发

磷的密度小

磷在硅中的分配系数小于1

磷的熔点低

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4. 以下哪些工艺是热交换法制备多晶硅必须的（ ）。

化料

晶体生长

退火

坩锅喷涂

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5. 浇铸法的缺点在于（ ）。

熔融和结晶使用不同的坩埚，会导致二次污染

有坩埚翻转机构及引锭机构，使得其结构相对较复杂

生产效率低

能耗高

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6. 石英坩埚喷涂氮化硅的作用是（ ）。

隔离硅熔体与石英坩埚，减少杂质

绝热，保温

降低热应力

有效较少碎裂，使坩埚能重复利用

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7. 工业吸附对于吸附剂的要求包括（ ）。

具有较大的内表面，吸附容量大

选择性高

具有一定的机械强度，抗磨损

有良好的物理及化学性能，耐热冲击，耐腐蚀

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8. 以下对吸附描述正确的是（ ）。

物理吸附是可逆的

物理吸附是不可逆的

化学吸附是可逆的

化学吸附是不可逆的

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9. 非晶硅太阳电池成本低原因在于（ ）。

廉价的衬底材料

制备是在低温下进行

可柔性化

非晶硅薄膜仅有数百纳米厚度

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10. 有机太阳电池基本的结构模型有（ ）。

PIN结构

单层同异质结结构

双层异质结结构

单层混合膜异质结结构

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三 、问答题

1. 从形态、质量、能耗、大小、晶体形状及电池效率对比直拉单晶硅和铸造多晶硅的性质。

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2. 与直拉单晶硅相比，铸造多晶硅的主要优势及其缺点有哪些？

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