光伏电池材料卷包-010

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一 、单选题

1. 最常用于测试硅片电阻率的方法是（ ）。

扩展电阻法

四探针法

两探针法

范德堡法

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2. 利用温差电效应来测量晶体硅导电类型的方法称为（ ）。

冷热探针法

整流法

双电源动态电导法

霍尔效应法

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3. 用于测试硅片中少数载流子类型的测试是（ ）。

四探针法

整流法

X射线法

显微镜观察法

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4. 自然界中硅有三种同位素28Si，28Si，

28Si，存量最多的是（ ）。

28Si

29Si

30Si

不能确定

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5. 据《参考消息》报道，有科学家提出硅是“21世纪的能源”、“未来的石油”的观点。假如硅作为一种普遍使用的新型能源被开发利用，下列关于其有利因素的说法中，你认为不妥的是（ ）。

便于运输、储存，从安全角度考虑，硅是最佳的燃料

自然界的含硅化合物易开采

硅燃烧放出的热量大，燃烧产物对环境污染程度低且容易有效控制

自然界中存在大量单质硅

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6. 以下太阳电池成本（单位：美元/W）最低的是（ ）。

非晶硅薄膜

多晶硅

铜铟镓硒

微晶硅薄膜

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7. 非晶硅具有大量的结构缺陷，主要是（ ）。

悬挂键

杂质

位错

C-Si弱键

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8. 铸造多晶硅制备目前最常用的方法是（ ）。

布里奇曼法

电磁铸锭法

浇铸法

热交换法

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9. 硅片中磷扩散进行掺杂的原料是（ ）。

PH3

PH5

POCl3

B2O3

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10. 关于采用区域提纯法去除硅中硼杂质描述正确的是（ ）。

几乎无效果

效果明显

取决于温度

取决于硼的含量

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11. 生产直拉单晶硅时，单晶炉内需要通入（ ）作为保护气体。

空气

氧气

氩气

氢气

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12. 观察晶体中位错最简单的方法是（ ）。

透射电镜法

肉眼观察法

浸蚀观察法

手触感觉法

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13. 生产直拉单晶硅时，单晶炉内需要通入（ ）作为保护气体。

空气

氧气

氩气

氢气

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14. 硅晶胞中的原子数为（ ）。

1

8

14

4

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15. 原子（或分子）的扩散是依靠（ ）缺陷的运动而实现的。

点缺陷

线缺陷

面缺陷

体缺陷

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16. 关于染料敏化太阳电池中的纳米晶要求错误的是（ ）。

高的比表面积和大量的孔隙

尽可能多的吸附染料

晶粒越大越好

最大限度的与电解质紧密接触

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17. 以下太阳电池成本（单位：美元/W）最低的是（ ）。

非晶硅薄膜

多晶硅

铜铟镓硒

微晶硅薄膜

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18. 对比传统西门子法，改良西门子法的优点，错误的是（ ）。

节约时间

降低物耗

节能

减少污染

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19. Dash工艺主要解决的是（ ）。

加入转晶

减少位错

放肩

热应力

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20. 关于四氯化硅以下说法错误的是（ ）。

无色而有刺鼻气味的液体

熔点-70℃，沸点57.6℃

可以经吸入、食入、经皮吸收，对眼睛及上呼吸道有强烈刺激作用

不溶于苯、氯仿、石油醚等多数有机溶剂

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二 、多选题

1. 硅片的翘曲度一般用（ ）参数来表示。

BOW

TTV

TIR

WARP

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2. 金属杂质的吸杂工艺一般包括（ ）。

升温熔化金属杂质

原金属沉淀的溶解

金属原子的扩散

金属杂质在吸杂点处的重新沉淀

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3. 影响铸造多晶硅晶体生长的主要因素包括（ ）。

固液界面

热应力

来自坩埚的污染等

保护气氛

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4. 关于光致衰减效应说法正确的是（ ）。

简称S-W效应

在长期辐照下，其光电导和暗电导同时下降，导致光电转换效率降低

在150～200℃热处理又可以恢复原来的状态

铸造多晶硅没有光致衰减

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5. 浇铸法的缺点在于（ ）。

熔融和结晶使用不同的坩埚，会导致二次污染

有坩埚翻转机构及引锭机构，使得其结构相对较复杂

生产效率低

能耗高

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6. 石英坩埚喷涂氮化硅的作用是（ ）。

隔离硅熔体与石英坩埚，减少杂质

绝热，保温

降低热应力

有效较少碎裂，使坩埚能重复利用

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7. 无坩埚区域提纯（ ）。

也可用于晶体生长

避免了坩埚的污染

熔硅不会流动是由于其很大的表面张力

硅也能采用水平区域提纯法

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8. 关于三氯氢硅说法正确的是（ ）。

是制取一系列有机硅材料的中间体

生产多晶硅的重要原材料之一

无色、透明、极易挥发和水解

易燃易爆，对人体有毒害

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9. 常用的多晶硅薄膜的制备方法有（ ）。

利用化学气相沉积直接制备多晶硅薄膜

非晶硅晶化制备

将多晶硅片切薄

对多晶硅片进行热处理

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10. 观察晶体中位错的方法有（ ）。

浸蚀观察法

透射电镜法

手触感觉法

肉眼观察法

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三 、问答题

1. 晶体缺陷根据缺陷的空间几何图像的分类及各自代表性缺陷。

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2. 简述单晶硅、多晶硅、非晶硅的定义及主要相关工艺？

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