光伏电池材料卷包-016

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一 、单选题

1. 用于测试硅片中少数载流子类型的测试是（ ）。

四探针法

整流法

X射线法

显微镜观察法

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2. 少子寿命的物理意义是（ ）。

非平衡少数载流子复合所需要的平均时间

非平衡少数载流子扩散所需要的平均时间

非平衡少数载流子跃迁所需要的平均时间

以上都不对

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3. 最常用于测试硅片电阻率的方法是（ ）。

扩展电阻法

四探针法

两探针法

范德堡法

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4. 关于二氧化硅以下说法错误的是（ ）。

制造冶金硅的主要原料之一

能与HF反应

SiO2不溶于水，但能于热的浓碱溶液反应生成硅酸盐，反应较快

石英是地壳中分布很少的矿物质

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5. 自然界中硅有三种同位素28Si，28Si，

28Si，存量最多的是（ ）。

28Si

29Si

30Si

不能确定

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6. 以下太阳电池成本（单位：美元/W）最低的是（ ）。

非晶硅薄膜

多晶硅

铜铟镓硒

微晶硅薄膜

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7. 非晶硅具有大量的结构缺陷，主要是（ ）。

悬挂键

杂质

位错

C-Si弱键

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8. 铸造多晶硅制备目前最常用的方法是（ ）。

布里奇曼法

电磁铸锭法

浇铸法

热交换法

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9. 区熔法制备单晶硅时，以下说法正确的是（ ）。

不需要坩埚

需要一个石英坩埚用于溶化

需要一个石英坩埚和一个石墨坩埚

需要一个石墨坩埚

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10. 铸造多晶硅制备目前最常用的方法是（ ）。

布里奇曼法

电磁铸锭法

浇铸法

热交换法

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11. 适用于制备高阻单晶硅和探测器高纯单晶硅的方法为（ ）。

直拉法

区熔法

西门子法

热交换法

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12. 生产直拉单晶硅时，单晶炉内需要通入（ ）作为保护气体。

空气

氧气

氩气

氢气

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13. 二元相图通常采用（）的坐标系。

温度-压力（T-p）图

温度-浓度（T-x）图

三棱柱模型

压强-浓度（p-x）图

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14. GaAs属于（ ）。

面心立方结构

体心立方结构

闪锌矿结构

金刚石结构

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15. 多晶硅属于（ ）。

面心立方结构

体心立方结构

金刚石结构

简单立方结构

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16. 关于染料敏化太阳电池中的纳米晶要求错误的是（ ）。

高的比表面积和大量的孔隙

尽可能多的吸附染料

晶粒越大越好

最大限度的与电解质紧密接触

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17. 以下太阳电池成本（单位：美元/W）最低的是（ ）。

非晶硅薄膜

多晶硅

铜铟镓硒

微晶硅薄膜

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18. 对比传统西门子法，改良西门子法的优点，错误的是（ ）。

节约时间

降低物耗

节能

减少污染

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19. 关于四氯化硅以下说法错误的是（ ）。

无色而有刺鼻气味的液体

熔点-70℃，沸点57.6℃

可以经吸入、食入、经皮吸收，对眼睛及上呼吸道有强烈刺激作用

不溶于苯、氯仿、石油醚等多数有机溶剂

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20. Dash工艺主要解决的是（ ）。

加入转晶

减少位错

放肩

热应力

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二 、多选题

1. 硅片的翘曲度一般用（ ）参数来表示。

BOW

TTV

TIR

WARP

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2. 硅片清洗的作用是（ ）。

提高绝缘性能

去除边缘腐蚀时的油污、水气、灰尘

降低杂质离子对P-N结性能的影响

降低杂质的存在带来的硅片的电阻率不稳定

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3. 石英坩埚喷涂氮化硅的作用是（ ）。

隔离硅熔体与石英坩埚，减少杂质

绝热，保温

降低热应力

有效较少碎裂，使坩埚能重复利用

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4. 多晶硅锭的低质量区杂质较多是由于（ ）。

与坩埚接触部分引入了杂质

晶粒尺寸较小

晶体凝固的分凝作用

热应力

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5. 浇铸法的缺点在于（ ）。

熔融和结晶使用不同的坩埚，会导致二次污染

有坩埚翻转机构及引锭机构，使得其结构相对较复杂

生产效率低

能耗高

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6. 石英坩埚喷涂氮化硅的作用是（ ）。

隔离硅熔体与石英坩埚，减少杂质

绝热，保温

降低热应力

有效较少碎裂，使坩埚能重复利用

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7. 以下对吸附描述正确的是（ ）。

物理吸附是可逆的

物理吸附是不可逆的

化学吸附是可逆的

化学吸附是不可逆的

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8. 以下对吸附描述正确的是（ ）。

物理吸附是可逆的

物理吸附是不可逆的

化学吸附是可逆的

化学吸附是不可逆的

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9. 具有金刚石结构的晶体的解理面包括（ ）。

{100}晶面

{211}晶面

{111}晶面

{110}晶面

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10. 下列关于硅说法正确的是（ ）。

硅原子的价电子构型为3s23p2

硅在自然界有三种同位素

自然界中硅主要以单质形态存在

硅具有金刚石型结构

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三 、问答题

1. 热交换法使用的铸锭炉结构简单，易采用自动化控制的工业化生产，所需人工少，是目前国内铸锭生产家主要使用的一种方法，其使用的设备也是目前国内多晶硅铸锭炉生产厂家的主要产品。简述热交换法制备铸造多晶硅的工艺步骤及各自要点。

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2. 简述太阳能电池用单晶硅加工所经历的滚圆、切片、倒角、磨片、化学腐蚀等5道主要工序的目的。

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