报名本机构合作学校，赠送复习资料，复习课程，确保录取。并且可以申请学校奖学金500元～1500元不等！
第一讲 作业
1、【单选题】在硅片晶向、掺杂类型介绍中，由硅片断裂边形成的角度是60º可知硅片是什么晶向?
A、（100）
B、（111）
C、（110)
D、(211)
2、【单选题】磷在硅熔体与晶体中的分凝系数约为0.35，这使得液相掺杂拉制的掺磷硅锭的电阻率：
A、轴向均匀
B、轴向递减
C、轴向递増
D、径向递减
3、【多选题】关于拉单晶时进行的缩颈步骤，下面的说法那种正确
A、可以多次缩颈
B、为了能拉出与籽晶相同的硅锭
C、为了终止籽晶中的线缺陷向晶锭的延伸
D、为了终止与籽晶结合处的缺陷向晶锭的延伸
4、【判断题】在空间微重力室用CZ法也能拉制出大尺寸优质晶锭
A、正确
B、错误
5、【填空题】拉单晶的干锅污染主要是由于坩埚材料分解出的 造成。
A、
第二讲 作业
1、【单选题】VPE制备n+/p-Si，结果pn结进入了衬底，这是什么原因造成的：
A、自掺杂效应
B、互扩散效应
C、衬底表面没清洗干净的缘故。
D、掺杂气体不纯
2、【多选题】在VPE、MBE、SEG、LPE、SPE、UHV/CVD、MOCVD中，哪种外延方法能生长杂质陡变分布的薄外延层？
A、MBE
B、VPE、LPE
C、UHV/CVD
D、SEG、SPE
3、【判断题】如果外延速率偏低，只要增大外延气体中硅源（如SiCl4）浓度，硅的气相外延速率就会增加。
A、正确
B、错误
4、【填空题】外延工艺就是在晶体衬底上，用物理的或化学的方法生长 薄膜。
A、
5、【填空题】VPE制备n-/n+ -Si用硅烷为源，硅烷是在 完成的分解。可从下面选择：气相硅片表面n-/n+Si界面
A、
第三讲 作业
1、【单选题】通常掩膜氧化采用的工艺方法为：
A、掺氯氧化
B、干氧
C、干氧-湿氧-干氧
D、低压氧化
2、【多选题】关于氧化速率下面哪种描述是正确的：
A、生长非常薄（<十几nm）的栅氧化层时，氧化速率服从线性规律
B、温度升高氧化速率迅速增加
C、（111）硅比（100）硅氧化得快
D、有杂质（如Na、P等）存在，氧化速率降低
E、生长的氧化层较薄时，氧化速率服从线性规律
F、生长的氧化层较厚时，氧化速率服从线性线规律
3、【判断题】制作一硅晶体管芯片，在最后用热氧化方法制备了一层SiO2作为保护层。
A、正确
B、错误
4、【填空题】热氧化速率快慢排序： 氧化最快、 氧化次之、 氧化最慢。（从“干氧、湿氧、水汽”中选择填空，中间用“、”隔开）
A、
5、【填空题】热氧化过程中杂质在SiO2/Si界面的浓度是突变的，这是由杂质 引起的。（两个字）
A、
第四讲 作业
1、【单选题】<img src="http://nos.netease.com/edu-image/D8BB0FDE3CBA5D95F137A259E48162E9-1444461443401?imageView&thumbnail=520x520&quality=100" />
A、图（a）是限定源扩散，图（b）恒定源扩散
B、图（a）、（b）都是限定源扩散
C、图（a）、（b）都是恒定源扩散
D、图（a）是恒定源扩散，图（b）限定源扩散
2、【单选题】扩散掺杂，扩散区要比掩膜窗口尺寸 ，这是 效应引起的，它直接影响超大规模集成电路的集成度。
A、大，横向扩散
B、小，横向扩散
C、大，场助扩散
D、大，氧化增强
3、【多选题】扩散系数在何时不可以看成是常数：
A、在中等浓度p型硅上扩散掺入n型杂质；
B、在重掺杂p型硅上扩散掺入n型杂质；
C、在本征硅上扩散掺入中等浓度的杂质硼。
D、在本征硅上扩散掺入高浓度的杂质硼，同时进行氧化。
4、【判断题】一扩散，采取两歩工艺：预淀积温度高（1200℃）时间长（50min），再分布温度低（970℃）时间短（30min），杂质近似为服从高斯分布。
A、正确
B、错误
5、【填空题】在p-Si中扩磷13分钟，测得结深为0.5μm，为使结深达到1.5μm，在原条件下还要扩 分钟。（只保留整数）
A、
第五讲 作业
1、【单选题】在离子注入掺杂时，有少部分杂质进入衬底后穿过较大距离，这种现象就是 。当偏离晶向 ψc注入时，可以避免。
A、沟道效应，<
B、沟道效应，>
C、横向效应，<
D、横向效应，>
2、【单选题】形成B的超浅结掺杂（剂量为QB)时，为了避免沟道效应可否先注入锑（剂量为QSb）再注入硼？实际注入了多少硼？
A、不可以
B、可以，实际注硼：QB+QSb
C、可以，实际注硼：QB-QSb
D、可以，实际注硼：QB
3、【多选题】基于LSS理论，判断对下图分析的对错：<img src="http://nos.netease.com/edu-image/4964E56474D6D90B6E0EB79DA8832188.png?imageView height: 210px;" />
A、该入射离子是低能注入；
B、该入射离子是高能注入；
C、入射离子在靶中由A运动到B主要受到靶原子核阻滞；
D、入射离子在靶中由A运动到B主要是受到靶电子阻滞；
E、入射离子在靶中由B运动到C主要受到靶原子核阻滞；
F、入射离子在靶中由B运动到C主要是受到靶电子阻滞。
4、【多选题】关于离子注入区形成非晶层的临界剂量，下面哪几种说法正确：
A、注入离子越轻，临界剂量越小；
B、靶温升高，临界剂量上升；
C、注入离子能量越高，临界剂量越低；
D、注入离子剂量率增大，临界剂量降低。
5、【判断题】离子注入硼无需退火就有电活性，所以才会出现随退火温度升高反而电激活率下降的逆退火现象。
A、正确
B、错误
期中测验
1、【单选题】在p-Si中扩磷20分钟，测得结深为0.5μm，为使结深达到0.8μm，在原条件下还要扩散多长时间？
A、51.2min
B、31.2min
C、117min
D、104min
2、【单选题】在已扩散结深达0.8μm的p-Si上再进行湿氧，氧化层厚0.2μm时，结深是多少?(湿氧速率很快, 短时间的氧化可忽略磷向硅内部的推进)
A、0.088μm
B、0.712μm
C、0.512μm
D、0.6μm
3、【多选题】掺杂浓度分布如下图，请判断对错：<img src="http://nos.netease.com/edu-image/981E63A2BD72703E67A9164E9B37DD61.bmp?imageView
A、(a)、(b)是扩散掺杂，杂质浓度都是余误差分布；
B、(c)是离子注入掺杂，是高斯分布；
C、(a)是限定源扩散掺杂，是余误差分布；(b)是恒定源扩散，是高斯分布；
D、(a)是限定源扩散掺杂，是高斯分布；(b)是恒定源扩散，是余误差分布；
E、(a)、(c) 杂质浓度都是高斯分布；
F、(b)、(c) 杂质浓度都是高斯分布,都是离子注入掺杂。
4、【判断题】在Si中注入B+，能量为30KeV，剂量是10的12次方离子/cm2，查表可知Rp≈0.11μm， ΔRp=0.032μm，峰值浓度是1.25*10的16次方原子/cm3
A、正确
B、错误
5、【填空题】锑在硅中的最大固溶度只有5*10的19次方原子/cm3，但某芯片埋层掺杂要求掺入锑最大浓度应达5*10的20次方原子/cm3，因此，采用 掺杂。
A、
第六讲 作业
1、【单选题】LPCVD-SiO2，将工艺控制在较高温度，有：kshg，此时淀积速率的特点为：
A、温度的较小变化都会对淀积速率有较大影响；
B、淀积速率受气相质量输运控制；
C、淀积速率受表面化学反应控制；
D、反应剂气体浓度的变化对淀积速率的影响不大。
2、【单选题】poly-Si薄膜通常是采用什么方法制备的？
A、PECVD
B、LPCVD
C、APCVD
D、LCVD
3、【多选题】关于PECVD-Si3N4薄膜的下列说法哪个对？
A、含H；
B、抗腐蚀性好；
C、台阶覆盖性较好；
D、是中温工艺；
E、常作为芯片的保护膜；
F、常作为腐蚀掩膜。
4、【判断题】等离子体是物质的一种热平衡存在形态。
A、正确
B、错误
5、【填空题】CVD工艺反应剂气体分子到达衬底表面特殊位置的机制有：扩散； ；表面迁移。（三个字）
A、
第七讲 作业
1、【单选题】为了避免尖楔现象用含1%硅的硅铝合金制备IC内电极，多采用下列哪种工艺方法：
A、磁控溅射
B、反应溅射
C、电阻蒸镀
D、LPCVD
E、射频溅射
F、PECVD
2、【多选题】从两电极面积判断射频溅射时，靶放在那个电极上、衬底放在那个电极上？
A、靶放在面积小的电极上
B、靶放在面积大的电极上
C、衬底放在面积大的电极上
D、衬底放在面积小的电极上
3、【多选题】溅射与蒸镀比较，下列那种说法正确：
A、溅射工艺薄膜质量（如粘附性、保形性等）更好
B、蒸镀工艺薄膜质量（如粘附性、保形性等）更好
C、蒸镀工艺的普适性更好
D、溅射工艺的普适性更好
4、【判断题】薄膜应力与测量时的温度有关。
A、正确
B、错误
5、【填空题】铝的蒸发温度是1250℃，这时它的平衡蒸汽压是 Pa。（精确到小数点后两位）
A、
第八讲 作业
1、【单选题】光刻工艺是按照下列哪种流程顺序进行操作？
A、打底膜、涂胶、前烘、曝光、坚膜、显影、刻蚀、去胶
B、打底膜、前烘、涂胶、曝光、坚膜、显影、刻蚀、去胶
C、打底膜、涂胶、前烘、曝光、显影、坚膜、刻蚀、去胶
D、打底膜、涂胶、前烘、曝光、显影、坚膜、去胶、刻蚀
2、【多选题】下列有关曝光的描述正确的是：
A、确定图案的精确形状和尺寸；
B、步进曝光机一次就可以完成曝光；
C、使受光照射区域的光刻胶膜发生化学反应形成潜影；
D、需要进行准确对版后再曝光，才能保证各次光刻的套准精度。
3、【多选题】关于光学光刻，下列哪种方法可以获得高分辨率？
A、采取浸入式光刻方法
B、光源为紫光
C、驻波效应对分辨率无影响
D、使用移相掩膜技术制备的光刻版
4、【判断题】正胶的感光区域在显影时不溶解，负胶的感光区域在显影时溶解。
A、正确
B、错误
5、【填空题】IC芯片的横向结构是通过 工艺实现的。（填2个字）
A、
微信扫码添加好友
如二维码无法识别，可拨打 13662661040 咨询。
