题库试卷

【百年教育职业培训中心】模拟电子技术基础-章节资料考试资料-桂林电子科技大学

来源：百年教育职业培训中心　更新时间：2022-06-20 06:50:41

报名本机构合作学校，赠送复习资料，复习课程，确保录取。并且可以申请学校奖学金500元～1500元不等！答案：微信搜索【渝粤教育】公众号第一章二极管及其基本电路测验题1、【单选题】半导体中空穴的移动实际

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第一章二极管及其基本电路测验题

1、【单选题】半导体中空穴的移动实际上反映了半导体中的移动。

A、自由电子

B、共价键中价电子

C、正离子

D、负离子

2、【单选题】N型半导体中的多数载流子是，而P型半导体中的多数载流子是。

A、自由电子，空穴

B、空穴，自由电子

C、自由电子，正离子

D、空穴，负离子

E、空穴，正离子

F、自由电子，负离子

3、【单选题】PN结内电场方向是由。

A、N区指向P区

B、P区指向N区

C、不确定

D、与外加电压有关

4、【单选题】PN结正偏是指。

A、N区电位高于P区

B、P区电位高于N区

C、P区和N区电位相等

D、与外加电压无关

5、【单选题】齐纳二极管正常稳压时，工作在状态。

A、正向导通

B、反向截止

C、反向击穿

D、放大

6、【单选题】点亮发光二极管应加，光电二极管正常工作时应加，变容二极管正常工作时应加。

A、正偏电压，反偏电压，反偏电压

B、正偏电压，反偏电压，零偏压

C、反偏电压，正偏电压，正偏电压

D、反偏电压，正偏电压，反偏电压

E、正偏电压，正偏电压，反偏电压

7、【单选题】已知某二极管处于正向导通状态，其导通电流为0.5 mA，那么，此时二极管在室温（300K）下的小信号模型参数rd = 。

A、19.2 kΩ

B、1 kΩ

C、52 kΩ

D、52 Ω

8、【单选题】设简单硅二极管基本电路如图所示，已知R = 1kW。当VDD =10V时，分别应用理想模型和恒压降模型，求得的电流ID分别为和；当VDD =1V时，再分别应用理想模型和恒压降模型，求得的电流ID分别为和。<img src="http://nos.netease.com/edu-image/6BB83181EE8A3D77D8504F0405416A04.jpg?imageView&thumbnail=520x520&quality=100" />

A、10mA，9.3mA； 1mA，0.3mA

B、10mA，1mA；9.3mA，3mA

C、1mA，0.93mA；0.1mA，0.03mA

D、10mA，0.93mA；1mA，0.03mA

9、【单选题】12V电池的充电电路如图所示，用二极管理想模型分析，若vs是振幅为24V的正弦波，则二极管流过的峰值电流为，二极管两端的最大反向电压为。<img src="http://nos.netease.com/edu-image/925BB7C6B59DABD9E0C0F959705D8872.jpg?imageView&thumbnail=520x520&quality=100" />

A、240mA，24V

B、120mA，12V

C、120mA，36V

D、360mA，36V

10、【单选题】电路如图所示，若vs是有效值为220V的正弦波电压，RL = 100W，二极管采用理想模型分析，则二极管的最高反向工作电压为，整流电流应为。<img src="http://nos.netease.com/edu-image/5E354EE3F8867773F9B466600DAB91D7.jpg?imageView&thumbnail=520x520&quality=100" />

A、220V，0.99A

B、220V，2.2A

C、<img src="http://nos.netease.com/edu-image/7A5EFE3DD3C1F59F12914DB8345D73C5.jpg?imageView&thumbnail=520x520&quality=100" />

D、<img src="http://nos.netease.com/edu-image/F5D30B608EB95ED6C2CD41312B7F7FF8.jpg?imageView&thumbnail=520x520&quality=100" />

11、【单选题】电路如图所示，D1，D2为硅二极管，当vs = 6sinwt V时，用恒压降模型分析电路时，输出电压vO的波形是。<img src="http://nos.netease.com/edu-image/73553C67D91A971F73390F87BA68DBFA.jpg?imageView

A、<img src="http://nos.netease.com/edu-image/3CA6EECB61CC08E2D0531D899F16B835.jpg?imageView&thumbnail=520x520&quality=100" />

B、<img src="http://nos.netease.com/edu-image/94B30573C4DDAAA982835CA44AFAC007.jpg?imageView&thumbnail=520x520&quality=100" />

C、<img src="http://nos.netease.com/edu-image/7822642C5030FE698F1FED5DCC5E9172.jpg?imageView&thumbnail=520x520&quality=100" />

D、<img src="http://nos.netease.com/edu-image/45EE243EC153F9970C98E7CCDAFC82D0.jpg?imageView&thumbnail=520x520&quality=100" />

12、【单选题】二极管电路如图所示。输入电压只有0V或5V两个取值。利用二极管理想模型分析，在vI1和vI2电压的不同组合情况下，输出电压vO的值是。<img src="http://nos.netease.com/edu-image/273E9BA1EA912445FD5463A68960164D.jpg?imageView&thumbnail=520x520&quality=100" /> <img src="http://nos.netease.com/edu-image/C7DD3BBF7A315DF79DD592C78F6B4D96.jpg?imageView&thumbnail=520x520&quality=100" />

A、vO的a列

B、vO的b列

C、vO的c列

D、vO的d列

13、【单选题】电路如图所示，D为硅二极管，若VDD = 2 V，R = 1 kW，正弦信号vs=50sin(2p´50t) mV。则静态（即vs= 0）时，二极管中的静态电流为，vO的静态电压；动态时，vO的交流电压振幅为。<img src="http://nos.netease.com/edu-image/862239A5DE82748386457296CFA02C06.jpg?imageView

A、2mA，2V；0.05V

B、1.3mA，1.3V；0.05V

C、2mA，2V；0.049V

D、1.3mA，1.3V；0.049V

14、【单选题】稳压电路如图所示。若VI =10V，R =100W，齐纳二极管的VZ =5V，IZ(min)=5mA，IZ(max)=50mA，那么负载RL的变化范围是。<img src="http://nos.netease.com/edu-image/AB2994D7862B32F3600B8E1CB57E98DF.jpg?imageView&thumbnail=520x520&quality=100" />

A、大于111W

B、小于111W

C、大于111kW

D、小于111kW

15、【单选题】在一定的温度下，如果增加杂质半导体的掺杂浓度，则少子的浓度将会。

A、减小

B、增大

C、不变

D、不确定

16、【单选题】二极管电路图如图所示，设二极管为理想二极管（导通压降为0），则D1，D2，D3的状态分别为。<img src="http://nos.netease.com/edu-image/2f22e8c69adf4a009a20b3c32b414161.png" style="width: 176px; height: 169px;" />

A、导通，截止，导通

B、导通，导通，导通

C、导通，导通，截止

D、截止，导通，截止

17、【判断题】半导体二极管温度升高时，将明显增大由本征激发出的少数载流子的浓度，因此对二极管反向截止特性会产生更明显的影响。

A、正确

B、错误

18、【判断题】对于实际的二极管，只要正偏电压大于零，二极管就导通。

A、正确

B、错误

19、【判断题】二极管简化模型将二极管的I-V非线性特性近似成了线性或分段线性的关系。

A、正确

B、错误

20、【判断题】通常硅二极管的反向饱和电流小于锗二极管的反向饱和电流，正向管压降低于锗二极管的正向管压降。

A、正确

B、错误

21、【判断题】在使用齐纳二极管时，必须加限流电阻。

A、正确

B、错误

随堂测试-2.1

1、【单选题】测得图中BJT三个电极的电流和方向如图所示，则可以判断三个电极分别为（）<img src="http://nos.netease.com/edu-image/669bc854b48e457a8e7019c5c1452a9a.png" style="width: 134px; height: 141px;" />

A、①基极b、②发射极e、③集电极c①集电极；②基极；③发射极

B、①发射极；②集电极；③基极

C、①基极；②集电极；③发射极

D、①发射极；②基极；③集电极

2、【单选题】BJT三极管的对地电位如图所示，则处于放大状态的硅三极管是（）。<img src="http://nos.netease.com/edu-image/0d884fa6ccfd4f288236f2a84a6f127a.png" style="width: 404px; height: 76px;" />

A、（a）管

B、（b）管

C、（c）管

D、（d）管

3、【填空题】已知BJT的基极电流IB=10<img src="http://edu-image.nosdn.127.net/_PhotoUploadUtils_742c62c1-710d-4dd0-af47-cd092441463f.png" />A，基区体电阻rbb'=200<img src="http://edu-image.nosdn.127.net/_PhotoUploadUtils_52bfd96a-c178-4f14-bc8b-9f94dfbc4c2d.png" />，则BJT的小信号模型参数rbe=（）k<img src="http://edu-image.nosdn.127.net/_PhotoUploadUtils_6560fa03-8086-4b8c-90cd-361f8b6071b7.png" />。（精确到小数点后一位）

A、

MOSFET随堂测验

1、【单选题】MOSFET利用（）电压控制（）电流的大小，是（）器件。

A、栅漏，漏极，电流控制电流

B、栅源，漏极，电压控制电流

C、漏源，漏极，电流控制电压

D、栅源，栅极，电流控制电压

2、【单选题】当N沟道增强型MOSFET的栅源电压大于开启电压，栅漏电压小于开启电压时，管子工作在（）区。

A、可变电阻

B、截止区

C、恒流区（饱和区）

D、不能确定

3、【单选题】P沟道增强型MOSFET导通时，参与导电的载流子主要是（）；N沟道耗尽型MOSFET导通时，参与导电的载流子主要是（）。

A、自由电子，空穴

B、自由电子，自由电子

C、空穴，空穴

D、空穴，自由电子

自主学习笔记-1（MOSFET）

小组探究作业——MOSFET-PWM调光灯电路

第二章晶体三极管基础测验

1、【单选题】测量若干硅NPN型BJT各电极对地的电压值如下，工作在放大区的BJT是________。

A、VC＝6V，VB＝2V，VE＝1.3V

B、VC＝6V，VB＝6V，VE＝5.6V

C、VC＝6V，VB＝4V，VE＝3.6V

D、VC＝3.6V，VB＝4V，VE＝3.4V

2、【单选题】当温度升高时，BJT集电极电流______。

A、增大

B、减小

C、不变

D、不确定

3、【单选题】BJT具有放大作用的外部电压条件是发射结_______，集电结_______。

A、正偏，反偏

B、反偏，正偏

C、零偏，正偏

D、反偏，零偏

4、【单选题】用直流电压表测得放大电路中某BJT各管脚电位分别是2V、6V、2.7V，则三个电极分别是_______，该管是________型。

A、b、c、e；NPN

B、c、b、e；NPN

C、e、c、b；NPN

D、b、c、e；PNP

E、f、b、e；PNP

F、e、c、b；PNP

5、【单选题】当BJT三极管的发射结和集电结都反偏时，管子的工作状态是什么？

A、截止

B、饱和

C、放大

D、倒置

6、【单选题】处于放大状态的PNP三极管，其三个电极的电位关系应为。

A、UC<UB < UE

B、UB>UC > UE

C、UB >UC > UE

D、UC >UB > UE

7、【单选题】处于放大状态的NPN三极管，其三个电极的电位关系应为。

A、UC<UB < UE

B、UB<UE < UC

C、UB >UC > UE

D、UC >UB > UE

8、【单选题】图中四个BJT三极管的工作状态分别是。<img src="http://nos.netease.com/edu-image/21aee634486d46038231b7afaddf1fdb.png" style="width: 422px; height: 116px;" />

A、放大，截止，饱和，损坏

B、饱和，截止，放大，损坏

C、截止，截止，放大，放大

D、饱和，截止，放大，放大

9、【单选题】一个MOS场效应管的转移特性如图所示（其中漏极电流iD的方向是它的实际方向），它是_______场效应管。<img src="http://nos.netease.com/edu-image/c3158c27c39b49d4995b4fa977e566fc.jpg" width="244" height="188" style="width: 199px; height: 170px;" />

A、P沟道增强型

B、N沟道耗尽型

C、N沟道增强型

D、P沟道耗尽型

10、【单选题】P沟道增强型MOS管的栅源开启电压是________

A、正值

B、负值

C、不确定

D、零值

11、【单选题】当栅源电压为0V时，_______MOS管存在导电沟道，在正的栅源电压作用下，可以有更大的漏极电流

A、P沟道耗尽型

B、P沟道增强型

C、N沟道耗尽型

D、N沟道增强型

12、【单选题】N沟道场效应管的漏极电流由_______的漂移运动形成。

A、空穴

B、电子

C、电子和空穴

D、正离子

E、负离子

13、【单选题】场效应管利用外加电压产生的_______来控制漏极电流的大小，因此它是_______控制器件。

A、电流，电场

B、电场，电压

C、电流，电压

D、电压，电流

14、【单选题】在图示电路中，已知各MOS管的开启电压çVT ç=0.5V，MOS管处于截止状态的电路是_______。<img src="http://nos.netease.com/edu-image/55E0726BA00AFDABC2253D651F55A8BF.jpg?imageView

A、图（a）

B、图（b）

C、图（c）

D、图（a）和图（b）

15、【单选题】MOSFET用于放大时，工作在。

A、截止区

B、饱和区（恒流区）

C、可变电阻区

D、预夹断点

16、【单选题】UGS=0时，不能工作在恒流区的场效应管是。

A、耗尽型MOS场效应管

B、增强型MOS场效应管

C、结型场效应管

D、N沟道MOS场效应管

17、【多选题】三极管参数为PCM=800 mW， ICM=100 mA，UBR(CEO)=30 V，在下列几种情况中，能够正常工作的有。

A、UCE=15 V，IC=150 mA

B、UCE=20 V，IC=80 mA

C、UCE=10 V，IC=50 mA

D、UCE=35 V，IC=20 mA

E、UCE=15V，IC=40mA

18、【多选题】关于MOSFET的低频跨导gm，以下说法中正确的是。

A、MOSFET的漏极电流ID的数值越大，gm就越大

B、gm是一个常数

C、gm是描述管子放大能力的一个参数

D、MOSFET的栅源电压|UGS|的数值越大，gm越大

19、【多选题】下列场效应管中，栅源电压等于0时存在导电沟道的有。

A、N沟道增强型MOSFET

B、N沟道耗尽型MOSFET

C、P沟道增强型MOSFET

D、P沟道耗尽型MOSFET

E、N沟道结型场效应管

20、【多选题】与BJT相比，MOSFET具有哪些特点？

A、属于电压控制器件

B、属于电流控制器件

C、温度稳定性高

D、易于集成

E、只有多子参与导电

21、【多选题】下列参数中，属于增强型MOSFET的参数有。

A、开启电压UGS(th)

B、低频跨导gm

C、饱和漏电流IDSS

D、夹断电压UGS(off）

22、【判断题】作为放大器件使用时，NPN型BJT只能在正电源电压下工作，而PNP型BJT只能在负电源电压下工作。

A、正确

B、错误

23、【判断题】场效应管仅靠一种载流子导电。

A、正确

B、错误

24、【判断题】已知MOS管的开启电压为VTN＝1V，当测量到它在电路中的电压值为：VDS＝3V，VGS＝2V时，可以断定该MOS管工作在饱和区。

A、正确

B、错误

25、【判断题】P沟道耗尽型MOS管的夹断电压UGS(off)＝-1V，当测量到它在电路中的电压值为：UDS＝-3V，UGS＝-2V时，可以断定该MOS管工作在截止区。

A、正确

B、错误

26、【判断题】N沟道耗尽型MOS管的夹断电压UGS(off)＝-2V，当测量到它在电路中的电压值为：UDS＝3V，UGS＝-1V时，可以断定该MOS管工作在饱和区。

A、正确

B、错误

27、【判断题】增强型MOS管工作在饱和区（放大区）时，其栅源电压必须大于零

A、正确

B、错误

28、【判断题】MOSFET的低频跨导gm是一个常数。

A、正确

B、错误

29、【判断题】作为放大器件工作时，N沟道耗尽型MOSFET的栅源电压能用正向偏置。

A、正确

B、错误

30、【填空题】BJT的集电极电流IC=2mA，电流放大系数β=100，忽略基区体电阻rbb'，则BJT的小信号模型参数rbe≈ kΩ。

A、

31、【填空题】N沟道增强型的MOSFET的栅源电压UGS=2V，电导常数Kn=1mA/V^2，开启电压UGS(th)=1V，则管子的低频跨导gm等于 mS。

A、

32、【填空题】场效应管的转移特性曲线如图所示。可以判断它是沟道型的MOS场效应管，它的开启电压等于 V。<img src="http://nos.netease.com/edu-image/d34f818e1f084e3b853bc31353ebf12d.png" style="width: 210px; height: 130px;" />

A、

33、【填空题】某BJT三极管工作在放大区，当基极电流从10µA变化到20µA时，集电极电流从2mA变化到4mA，则管子的电流放大系数 β约等于。

A、

自主学习测验-1(MOSFET）

1、【单选题】下列场效应管中，在栅源电压UGS=0时不存在导电沟道的是（）。

A、N沟道耗尽型MOSFET

B、P沟道耗尽型MOSFET

C、N沟道增强型MOSFET

D、结型场效应管

2、【单选题】MOSFET利用（）控制（），是（）器件。

A、栅源电压，漏极电流，电压控制电流

B、栅极电流，漏源电压，电流控制电压

C、栅源电压，漏源电压，电压控制电压

D、栅极电流，源极电流，电流控制电流

3、【单选题】N沟道增强型MOSFET的开启电压为（）；P沟道增强型MOSFET的开启电压为（）。

A、正值，负值

B、负值，正值

C、正值，正值

D、负值，负值

4、【单选题】已知N沟道增强型MOSFET的开启电压为UGS(th)=1V，若管子的偏置电压为UGS=2V，UDS=3V，则可以判断该管子工作在（）区。

A、饱和区（恒流区）

B、可变电阻区

C、截止区

D、预夹断临界点

5、【单选题】以下四个转移特性曲线中，N沟道增强型MOSFET的转移特性曲线是（），P沟道耗尽型MOSFET的转移特性曲线是（）。<img src="http://nos.netease.com/edu-image/2c49f964c0ee42c390058ee899a60748.png" style="width: 680px; height: 120px;" />

A、a，d

B、a，b

C、c，d

D、b，c

6、【单选题】下面四个等效电路中，能够正确表示MOSFET小信号模型的是（）。<img src="http://nos.netease.com/edu-image/8d180ef58f0f4e789256a8235be0e743.png" style="width: 552px; height: 351px;" />

A、图①

B、图②

C、图③

D、图④

7、【多选题】当N沟道增强型MOSFET处在恒流区时，以下关于MOSFET的电流关系中，正确的是（）。

A、栅极电流近似为0，iG≈0

B、源极电流约等于漏极电流，iD≈iS

C、<img src="http://nos.netease.com/edu-image/63dd7e673da64f288dff7561e8a5be69.png" style="width: 157px; height: 22px;" />

D、iD= gm*iS

E、iD=kn (uGS-UGS(off) )

8、【多选题】关于MOSFET的低频跨导gm，以下说法正确的是（）。

A、低频跨导gm放映了栅源电压对漏极电流的控制能力

B、低频跨导gm是指在漏源电压为常数时，漏极电流的微变量和引起这个变化的栅源电压的微变量之比

C、低频跨导gm是一个常数，与管子的工作电流和电压无关

D、低频跨导gm会随管子工作点的不同而变化

9、【判断题】MOSFET只有一种载流子参与导电，所以称为单极型三极管。

A、正确

B、错误

10、【判断题】当MOSFET工作在饱和区时，它的导电沟道是连续的（沟道没有夹断区）。

A、正确

B、错误

11、【判断题】MOSFET作为放大器件使用时，外加的直流偏置应使其工作在可变电阻区。

A、正确

B、错误

12、【判断题】MOSFET作为开关器件使用时，工作在可变电阻或截止区。

A、正确

B、错误

自主学习笔记-2（交流特性分析、多级放大电路）

小组探究作业：多媒体音频功放前置放大器的设计与仿真测试

自主学习测验-2（交流特性分析、多级放大线路））

1、【单选题】以下四种放大电路中，输入电阻小，适于高频、宽带电路的是（）。

A、共射放大电路

B、共集放大电路

C、共基放大电路

D、共源放大电路

2、【单选题】以下四种放大电路中，管端输入电阻最大的是（）。

A、共射放大电路

B、共集放大电路

C、共基放大电路

D、共源放大电路

3、【单选题】基本放大电路根据性能特点可以分为三类：反相放大器、电压跟随器和电流跟随器。其中电压跟随器包括（）。

A、共源电路和共射电路

B、共漏电路和共集电路

C、共源电路和共集电路

D、共栅电路和共基电路

4、【单选题】在如图所示的放大电路中，电容C1，C2和Ce都可以视为交流短路。若更换晶体管使管子的电流放大系数<img src="http://edu-image.nosdn.127.net/_PhotoUploadUtils_0d658c4c-1771-43bc-8535-3291f436561d.png" />由50变为100（假设ｒbb'约为0），则此放大电路的电压放大倍数（）。<img src="http://nos.netease.com/edu-image/097e284a62bd4bbba5e55fce0af5437f.png" style="width: 168px; height: 160px;" />

A、基本不变

B、约为原来的0.5倍

C、约为原来的2倍

D、约为原来的4倍

5、【单选题】有一个两级的放大电路，考虑负载效应后，第一级的电压增益为20dB，第二级的电压增益为40dB，则两级放大电路总的电压增益为（）。

A、800dB

B、60dB

C、40dB

D、20dB

6、【单选题】当需要传送和放大频率很低的信号时，多级放大电路应采用（）耦合方式。

A、直接

B、变压器

C、电容

D、以上任何一种

7、【单选题】已知MOSFET放大电路的电压增益为-30倍，则该电路可能是（）。

A、共源放大电路

B、共射放大电路

C、共漏放大电路

D、共栅放大电路

8、【单选题】拟用MOSFET设计一个三级的同相电压放大电路，要求从信号源索取的电流小，带负载能力强，电压放大倍数足够大。则输入级应选用（）；中间级选用（）；输出级选用（）。

A、共源放大电路，共源放大电路，共漏放大电路

B、共漏放大电路，共源放大电路，共漏放大电路

C、共源放大电路，共栅放大电路，共漏放大电路

D、共栅放大电路，共源放大电路，共源放大电路

9、【多选题】关于多级放大电路，以下说法中正确的是（）。

A、多级放大电路的输入电阻等于第一级放大电路的输入电阻

B、多级放大电路的输出电阻等于各级放大电路输出电阻的并联值

C、前级的输出电阻等效为后级的信号源内阻

D、后级的输入电阻等效为前级的负载电阻

10、【多选题】关于多级放大电路，以下说法中正确的是（）。

A、多级放大电路总的电压放大倍数等于各单级电压放大倍数的乘积

B、多级放大电路总的电压放大倍数等于各单级电压放大倍数的和

C、多级放大电路总的通频带一定比它的任何一级放大电路的通频带窄

D、多级放大电路的级数越多，通频带越宽

11、【多选题】以下放大电路中，既能放大电压也能放大电流的电路有（）。

A、共射放大电路

B、共源放大电路

C、共集放大电路

D、共漏放大电路

12、【判断题】放大电路的静态工作点不会影响电路的动态指标。

A、正确

B、错误

13、【判断题】对于电压放大器，为了提高电路的带负载能力，要求输出电阻尽可能小。

A、正确

B、错误

14、【判断题】负载电阻越大，电路的输出电阻越大。

A、正确

B、错误

15、【判断题】对于电流放大器，为了提高电路的带负载能力，要求输出电阻尽可能小。

A、正确

B、错误

第三章测验

1、【单选题】电路模型如图所示，其代表的是（）。<img src="http://nos.netease.com/edu-image/681e92667e6b44aca6643597fe648cc2.png" style="width: 366px; height: 143px;" />

A、电压放大器

B、电流放大器

C、互阻放大器

D、互导放大器

2、【单选题】图中所示的电压放大电路模型中，AVO是指电路的（）。<img src="http://nos.netease.com/edu-image/1cd0007d115d4bc5a6027695cbfd2fc4.png" style="width: 355px; height: 162px;" />

A、短路电流增益

B、开路电压增益

C、开路电流增益

D、源电压增益

3、【单选题】某放大电路的频率特性如图所示，则该电路的中频电压放大倍数等于（）。<img src="http://nos.netease.com/edu-image/fb06bc6730b743589c366a46f080fdac.png" style="width: 349px; height: 183px;" />

A、10

B、100

C、1000

D、2000

4、【单选题】下图所示的MOSFET电路中，能够实现交流电压放大的是（）。<img src="http://nos.netease.com/edu-image/483591bd8952405cb4152fa1b1a985b2.png" style="width: 683px; height: 175px;" />

A、b图和 c图

B、只有b图

C、只有a图

D、a图和 c图

5、【单选题】下图所示的BJT电路中，能够实现交流电压放大的是（）电路。<img src="http://nos.netease.com/edu-image/a47445ae2ad446d993ca266d662e676b.png" style="width: 363px; height: 304px;" />

A、只有b图

B、b图和 c图

C、只有c图

D、b图和d图

6、【单选题】放大电路如图所示，各电容对交流信号均可视为短路，FET的漏源动态电阻rds视为无穷大，则电路的微变等效电路（小信号等效电路）为（）。<img src="http://nos.netease.com/edu-image/ef93493a28474dde8e6291e4b87c6c91.png" style="width: 176px; height: 162px;" />

A、<img src="http://nos.netease.com/edu-image/8ab464d613a6438b9168daed4036f9ed.png" style="width: 166px; height: 112px;" />

B、<img src="http://nos.netease.com/edu-image/52500cc577b2417880b6cabc3ce2b8eb.png" style="white-space: normal; width: 212px; height: 106px;" />

C、<img src="http://nos.netease.com/edu-image/7033d6bcea0f47189fee359a7cd42e10.png" style="width: 233px; height: 119px;" />

D、<img src="http://nos.netease.com/edu-image/0d75700e09ff4fa0958fb949ef4c3fd2.png" style="width: 260px; height: 131px;" />

7、【单选题】放大电路如图所示，假设在交流通路中各个电容都可视为短路，BJT的集射极动态电阻rce视为无穷大，则该电路的微变（小信号）等效电路是（）。<img src="http://nos.netease.com/edu-image/71353563228f42a9b1a827d96018a97c.png" style="width: 256px; height: 172px;" />

A、<img src="http://nos.netease.com/edu-image/a3f73e66776043378cd98f65955a3ae9.png" style="width: 215px; height: 102px;" />

B、<img src="http://nos.netease.com/edu-image/e56f020c231b405aaee0c4058e7b5033.png" style="width: 175px; height: 101px;" />

C、<img src="http://nos.netease.com/edu-image/68d40a3bb6cf4a9194228ef0707a3ea8.png" style="width: 194px; height: 95px;" />

D、<img src="http://nos.netease.com/edu-image/94730989c2294fe392c054066f3c1fa3.png" style="width: 201px; height: 98px;" />

8、【单选题】电路图如图所示，已知三极管的b= 100，UBEQ=0.6V,该电路的静态工作点IBQ、ICQ、UCEQ分别约等于（）。<img src="http://nos.netease.com/edu-image/0c0fbd3a543448b4acbcb5014128e196.png" style="width: 271px; height: 200px;" />

A、17µA，1.7mA，7.5V

B、1.0mA，17mA，5V

C、17µA，1mA，5V

D、10µA，5mA，2.5V

9、【单选题】1. 电路图如图所示，已知三极管的b = 100，UBEQ=0.6V，忽略rbb¢，该电路的电压增益Au约为（）。<img src="http://nos.netease.com/edu-image/0c0fbd3a543448b4acbcb5014128e196.png" style="width: 267px; height: 190px;" />

A、130

B、-150

C、-130

D、-100

10、【单选题】以下各种组态放大电路中，输入电阻小，适于高频、宽带电路的是（）。

A、共射放大电路

B、共集放大电路

C、共基放大电路

D、共源放大电路

11、【单选题】以下各种组态放大电路中，通常输入阻抗最大的是（）。

A、共射放大电路

B、共集放大电路

C、共基放大电路

D、共源放大电路

12、【单选题】射极输出器（）。

A、有电压放大作用，没有电流放大作用

B、有电流放大作用，没有电压放大作用

C、同时具有电流放大作用和电压放大作用

D、不能放大电压，也不能放大电流

13、【单选题】在如图所示的放大电路中，设Vcc=10V，Rb1=4KΩ，Rb2=6KΩ，Rc=2KΩ，Re=3.3KΩ，RL=2KΩ。电容C1，C2和Ce都可以视为交流短路。若更换晶体管使β由50改为100（假设ｒbb'约为0），则此放大电路的电压放大倍数（）。<img src="http://nos.netease.com/edu-image/6a421cd0d82f41439b86daa145eb066a.png" style="width: 262px; height: 150px;" />

A、基本不变

B、约为原来的0.5倍

C、约为原来的2倍

D、约为原来的4倍

14、【单选题】有一个两级的放大电路，考虑负载效应后，第一级的电压增益为20dB，第二级的电压增益为40dB，则总的电压增益为（）分贝。

A、800

B、60

C、40

D、20

15、【单选题】用两个性能完全相同的放大电路级联构成两级的放大器，已知单级放大电路的开路电压增益为40dB，输入电阻为3k欧姆，输出电阻为1k欧姆，则级联后放大器总的开路电压增益为（）倍。

A、1000

B、7200

C、7500

D、10000

16、【单选题】在三级的BJT放大电路中，已知Au1=20，Au2=-10，Au3=1，则对应的三级放大电路应该分别是（）。

A、共射放大电路、共基放大电路、共集放大电路

B、共基放大电路、共射放大电路、共集放大电路

C、共集放大电路、共射放大电路、共基放大电路

D、共射放大电路、共集放大电路、共基放大电路

17、【单选题】关于多级放大电路，以下说法中错误的是（）。

A、多级放大电路总的电压增益等于各单级电压增益的乘积

B、多级放大电路总的电压增益等于各单级电压增益的和

C、多级放大电路总的通频带一定比它的任何一级放大电路的通频带窄

D、直接耦合多级放大电路可以放大缓变信号

18、【多选题】造成放大电路静态工作点不稳定的原因有（）。

A、环境温度的变化

B、直流电源电压的波动

C、元器件参数的老化

D、输入信号电压的大小

19、【多选题】为了有效提高单管共射放大电路的电压增益，可以采用以下哪些办法来实现？（）。

A、增大输入信号的幅值

B、在保证不失真的前提下，抬高电路的静态工作点

C、减小集电极电阻

D、增大负载电阻

20、【多选题】以下说法中正确的是（）。

A、BJT为电流控制器件，MOS管为电压控制器件。

B、MOS管放大电路的输入电阻通常高于BJT放大电路的输入电阻

C、场效应管放大电路的放大能力比BJT放大电路弱

D、场效应管放大电路的温度稳定性比BJT放大电路好

21、【多选题】关于多级放大电路，以下说法中正确的是（）。

A、多级放大电路的输入电阻等于第一级放大电路的输入电阻

B、多级放大电路的输出电阻等于各级放大电路输出电阻的并联值

C、前级的输出电阻等效为后级的信号源内阻

D、后级的输入电阻等效为前级的负载电阻

22、【判断题】放大电路的静态工作点不会影响电路的动态指标

A、正确

B、错误

23、【判断题】当输入信号较小时，在保证不产生截止失真和具有足够电压增益的前提下，为了降低电路功耗，可以把静态工作点设置得低一些。

A、正确

B、错误

24、【判断题】FET放大电路的三种基本组态中，只有共源放大电路具有电压放大作用。

A、正确

B、错误

25、【判断题】增大放大电路的电源电压，可以增大放大电路的动态范围。

A、正确

B、错误

自主学习笔记-3（恒流源和差放基本概念））

自主学习测验-3 （恒流源和差放基本概念）

1、【单选题】关于恒流源电路，下面的说法中错误的是（）。

A、恒流源输出的电压是恒定的

B、恒流源的输出电流不随负载的变化而变化

C、恒流源电路是单口网络

D、对于实际的电流源电路，其内阻越大越好

2、【单选题】在如图所示的MOS管恒流源电路中，MOS管应该工作在（），且栅源电压保持不变。<img src="http://nos.netease.com/edu-image/d726027ddada482cacb67b5dbaa0840b.png" style="width: 239px; height: 204px;" />

A、饱和区（恒流源）

B、截止区

C、可变电阻区

D、饱和区或可变电阻区都可以

3、【单选题】下图所示的电路是（）。<img src="http://nos.netease.com/edu-image/042d0eaa70914082a17b20497bae6605.png" style="width: 147px; height: 145px;" />

A、微电流源

B、比例电流源

C、镜像电流源

D、高输出阻抗镜像电流源

4、【单选题】MOSFET电流源电路如图所示，已知IR=0.5mA，T1、T2、T3、T4的沟道宽长比分别为(W/L)1=16/10；(W/L)2=16/10；(W/L)3=32/10；(W/L)4=64/10；则各输出电流分别是（）。<img src="http://nos.netease.com/edu-image/76a8316248e7497383b87efed1bba0db.png" style="width: 407px; height: 161px;" />

A、IO1=1mA；IO2=0.5mA；IO3=0.25mA

B、IO1=1mA；IO2=2mA；IO3=4mA

C、IO1=0.1mA；IO2=0.2mA；IO3=0.5mA

D、IO1=0.5mA；IO2=1mA；IO3=2mA

5、【单选题】已知差动放大电路两输入端电压分别为vi1=250mV，vi2= 50mV，则差模输入电压vid和共模输入电压vic分别为（）。

A、200mV，300mV

B、200mV，100mV

C、100mV，150mV

D、200mV，150mV

6、【单选题】和其他电路相比，差动放大电路的最主要特点是（）。

A、能够有效抑制零点漂移

B、电压增益高

C、输入电阻小

D、输入电阻大

7、【单选题】下图是BJT多路电流源，已知各个管子的|UBE|=0.6V，则基准电流IREF约等于（）mA。<img src="http://nos.netease.com/edu-image/eda810fe9ad84649ac70c2345ace0029.png" style="width: 294px; height: 283px;" />

A、0.74

B、0.37

C、0.35

D、1.2

8、【单选题】直接耦合多级放大电路中，零点漂移影响最严重的是（）。

A、输入级

B、输出级

C、中间级

D、增益最大的一级

9、【多选题】放大器产生零点漂移的原因有（）。

A、温度变化

B、电源电压波动

C、元器件参数老化

D、输入电阻太大

10、【多选题】在集成运放中，恒流源电路常常用来（）。

A、作为放大器的偏置电路（恒流源偏置）

B、作为放大器的负载（有源负载）

C、提高带负载能力

D、作为调零或保护电路

11、【判断题】阻容耦合的多级放大电路，零点漂移问题不严重。

A、正确

B、错误

12、【判断题】解决零点漂移问题是设计直接耦合放大电路的一项主要任务。

A、正确

B、错误

13、【判断题】在集成电路中，用恒流源作为放大器的有源负载，可以极大的提高电路的增益。

A、正确

B、错误

第四章模拟集成基本单元电路测验

1、【单选题】当差分式放大电路两输入端电压为vi1=250mV，vi2= 150mV，则vid= mV，vic= mV。

A、100，200

B、100，400

C、200，100

D、50，200

2、【单选题】双端输出的理想差分放大电路，已知|Avd | = 40，|Avc | = 0。若vi1=20mV，vi2= -5mV 。则|vo |为 mV。

A、1000

B、600

C、-200

D、800

3、【单选题】电流源电路如图所示，VDD = VSS =5V，T1～T3的VTN = 2V，l = 0，而Kn1 = Kn3 = 0.25 <img src="http://nos.netease.com/edu-image/89FF80E791229DCB409E08512ED8ADE4.jpg?imageView font-size: 14px; white-space: normal;" />，则IREF = mA和IO = mA。<img src="http://nos.netease.com/edu-image/4D9474539272AB2ED76F5CD9855B71CF.jpg?imageView

A、2.25，0.9

B、22.5，0.9

C、1，0.1

D、5，0.2

4、【单选题】电流源电路是一个___________，其交流等效电阻__________。

A、双口网络，恒定

B、单口网络，很小

C、单口网络，很大

D、双口网络，很小

5、【单选题】对于双端输出的差分放电路，当电路理想对称时，共模电压增益Auc是，共模抑制比KCMR是。

A、0，无穷大

B、0，0

C、无穷大，无穷大

D、无穷大，0

6、【单选题】差分放大电路共模抑制比的大小反映了__________。

A、差模增益的大小

B、共模增益的大小

C、抑制零漂的能力

D、带负载能力

7、【单选题】差分式放大电路最重要的特点是。

A、放大差模，抑制共模

B、零点漂移严重

C、频带很宽

D、输入电阻很小

8、【单选题】集成运算放大器的输入级采用差分放大电路的主要原因之一是它的能力强。

A、电压放大

B、电流放大

C、带负载

D、抑制零点漂移

9、【单选题】设在差分式放大电路中输入信号为vi1=1050uV，vi2=950uV，若电路的| Avd | = 100，| Avc | = 2。则最大输出电压| vo|=________。

A、12mV

B、10mV

C、200mV

D、120mV

E、100mV

10、【单选题】集成运放的输出级通常采用（）。

A、互补功率输出级电路

B、差分放大电路

C、共射或共源放大电路

D、共基或共栅放电路

11、【单选题】以下四种功率放大电路中，转换效率最高的是（）。

A、乙类互补对称功放

B、甲乙类互补对称功放

C、甲类功放

D、丙类功放

12、【单选题】理想情况下，乙类互补功率放大电路的最大转换效率可以达到（）。

A、80.5%

B、75%

C、78.5%

D、90%

13、【单选题】输出功率为10W的甲乙类OCL电路，所选用晶体管的额定管耗至少为 W。

A、2

B、5

C、10

D、20

14、【单选题】由于晶体管存在死区电压，所以乙类互补对称功放电路会产生失真。

A、交越失真

B、饱和失真

C、截止失真

D、频率失真

15、【单选题】乙类互补对称功率放大电路中，功率管的最大管耗发生在Uom约等于时。

A、0

B、VCC

C、0.5VCC

D、0.64VCC

16、【单选题】功率放大电路、共源放大电路和射极输出器的共同点是。

A、是能量转换器

B、能放大电压信号

C、带负载能力很强

D、效率高

17、【单选题】‎OTL电路负载电阻RＬ=10Ω，电源电压VCC=10Ｖ，忽略晶体管的饱和压降，其最大不失真输出功率为Ｗ。

A、1.25

B、2.5

C、5

D、10

18、【单选题】<img src="http://edu-image.nosdn.127.net/3A375A5C21F87B2272ACEF22E1738E6A.JPG?imageView font-size: medium; white-space: normal; width: 468px; height: 312px;" />

A、A

B、B

C、C

D、D

19、【单选题】集成运放中间级采用有源负载和复合管主要是为了。

A、提高共模抑制比

B、提高电压放大倍数

C、减小温漂

D、提高输出功率

20、【单选题】图中所示的电路是。<img src="http://nos.netease.com/edu-image/bf00043603494c8d83bda30d5178f9aa.png" style="width: 182px; height: 142px;" />

A、镜像电流源

B、比例电流源

C、微电流源

D、差分放大电路

21、【单选题】OCL电路的负载电阻RＬ=8Ω，电源电压Ec=12V，功率管的饱和压降UCES=2V，其最大不失真输出功率为Pomax= Ｗ。<img src="http://nos.netease.com/edu-image/717ce5c5bb344fe796f470d0daf41f53.png" style="width: 171px; height: 144px;" />

A、6.25

B、1.25

C、3.125

D、12.5

22、【单选题】OCL电路的负载电阻RＬ=8Ω，电源电压Ec=12Ｖ，功率管的饱和压降UCES=2V，其最大转换效率<img src="http://edu-image.nosdn.127.net/_PhotoUploadUtils_08a4be3e-0263-411f-b108-05e07b8d1290.png" />max= 。<img src="http://nos.netease.com/edu-image/717ce5c5bb344fe796f470d0daf41f53.png" style="width: 173px; height: 145px;" />

A、78.5%

B、65.4%

C、80.2%

D、50.6%

23、【判断题】差分式放大电路与单管放大电路相比，增加了大约一倍的元器件，但获得了抑制零点漂移的能力。

A、正确

B、错误

24、【判断题】差分式放大电路中源极或射极公共支路上的电流源动态电阻ro对共模输入信号来说相当于短路。

A、正确

B、错误

25、【判断题】集成电路中的输入级采用差分放大电路的原因是提高电压增益。

A、正确

B、错误

26、【判断题】功率放大电路中，输出功率最大时，功放管的损耗也最大。

A、正确

B、错误

27、【判断题】可采用微变等效电路分析法来分析功率放大电路

A、正确

B、错误

28、【判断题】放大电路都有功率放大作用。

A、正确

B、错误

29、【判断题】‍功率放大电路的效率是指最大不失真输出功率与直流电源所提供的平均功率之比。

A、正确

B、错误

30、【判断题】乙类互补对称功放在输出不失真情况下，输入信号越大，则输出功率越大，效率越高。

A、正确

B、错误

自主学习笔记-4（功率放大电路）

自主学习测验-4（功率放大电路）

1、【单选题】为了使负载获得尽可能大的功率，对功率放大电路的基本要求是。

A、输出信号电压尽可能大

B、输出信号电流尽可能大

C、输出信号的电压和电流都尽可能大

D、输出信号的电压大电流小

2、【单选题】放大电路的工作方式有甲类、乙类和甲乙类等，其中甲乙类放大器中放大管的导通角。

A、π

B、2π

C、大于π小于2π

D、小于π

3、【单选题】以下放大电路中，效率最高的是。

A、甲类放大器

B、乙类放大器

C、甲乙类放大器

D、差分式放大器

4、【单选题】功率管2N6078室温下的参数为，VCE(max)=250V，IC(max)=7A，PC(max)=45W，若电路工作时VCE＝20V，则IC的最大电流为。

A、7A

B、3.5A

C、2.25A

D、无限制

5、【单选题】电路如图示，设VCC＝12V，RL＝8Ω，输入信号vi为正弦波，若BJT的饱和压降为2V，负载可得到的最大的输出功率为。<img src="http://nos.netease.com/edu-image/7F4F1EFC4AA48C1D046997284EDB2D71.jpg?imageView

A、12.5W

B、6.25W

C、18W

D、9W

6、【单选题】图示电路属于。<img src="http://nos.netease.com/edu-image/9E0BC93976FBDC9A2CCA7C93410A1502.jpg?imageView

A、甲类放大器

B、乙类放大器

C、甲乙类放大器

D、丙类放大器

7、【单选题】在图示电路中，二极管D1、D2和R3的作用是。<img src="http://nos.netease.com/edu-image/71F901D0F6561EDEE3242BE983B66CFE.jpg?imageView

A、整流

B、克服交越失真

C、滤波

D、限幅

8、【单选题】设计一个输出功率为100W的功率放大电路，则该功放电路的每个功放管的最大管耗至少应该为。

A、20W

B、30W

C、40W

D、50W

9、【单选题】乙类互补对称功率放大电路如图所示，采用双电源供电，若忽略BJT的饱和压降，则功率管承受的最大反向电压为。<img src="http://nos.netease.com/edu-image/C6AAD1D9767277B38A35FDD358D62686.jpg?imageView&thumbnail=520x520&quality=100" />

A、VCES

B、2VCC

C、2VCC－VCES

D、2(VCC－VCES)

10、【单选题】VT1、VT2组成的复合管如图所示，复合管的管型是（），引脚“2”对应的是复合管的（）。<img src="http://nos.netease.com/edu-image/1da3787aa3d14855bd6e986e5d8644a9.png" />

A、NPN型，集电极

B、NPN型，发射极

C、PNP型，集电极

D、PNP型，发射极

11、【判断题】功放电路的最大输出功率是指在基本不失真情况下，负载能够获得的最大交流功率。

A、正确

B、错误