第一周 作业 集成电路封装基础
1、【单选题】大规模集成电路ＬＳＩ产生于（ ）时代
A、２０世纪７０年代
B、２０世纪８０年代
C、２０世纪６０年代
D、２０世纪５０年代
2、【单选题】摩尔定律是（）年由（）提出的
A、1965,摩尔
B、1961,摩尔
C、1965,埃尔森
D、1961,埃尔森
3、【单选题】摩尔定律描述了集成电路晶体管的数量每（ ）个月翻一番。
A、12
B、24
C、18
D、36
4、【多选题】从结构方面，集成电路的封装形式包括（ ）
A、DIP
B、PLSS
C、BGA
D、GSP
E、QFP
5、【多选题】下面说法正确的是:
A、芯片的特征尺寸越小，芯片的集成度就越高
B、芯片的特征尺寸越小,速度越慢
C、芯片的特征尺寸越小,，性能越好
D、芯片的特征尺寸越小,，性能越差
6、【多选题】集成电路封装的功能包括:
A、电能传输
B、信号传递
C、提供散热途径
D、结构保护与支撑
E、美观
7、【判断题】微电子技术以集成电路为核心的技术。
A、正确
B、错误
8、【判断题】纳米是长度单位，单位是ｎｍ．一纳米相当于１０００微米。
A、正确
B、错误
第二周作业 封装工艺（概述、切割和贴装）
1、【单选题】在导电胶粘结法中, 加入（ ）作为导电材料，加入（ ）导热材料。
A、氧化铝粉 银浆
B、银浆 氧化铝粉
C、银浆 硫酸铜粉
D、氧化铁粉 银浆
2、【单选题】在芯片贴装方法中, 高分子胶或树脂粘贴法也称为( )
A、导电胶粘结法
B、玻璃胶粘结法
C、硅胶粘结法
D、硅酮胶粘结法
3、【单选题】芯片贴装中晶粒座焊盘的尺寸要与（ ）的尺寸相匹配。
A、芯片
B、引线端点
C、焊点
D、焊接工具
4、【单选题】在芯片贴装中( ）的尺寸要与晶粒的尺寸相匹配。
A、晶粒座
B、引线端点
C、焊盘
D、焊接工具
5、【多选题】集成电路的获得需要经历哪些过程:
A、设计
B、测试
C、封装
D、制造
E、晶圆切割
F、芯片贴装
6、【多选题】下列材料中属于硬质焊料的是( )
A、金硅
B、金锡
C、金锗
D、锡铅
E、银铅
7、【多选题】焊接粘结中, 软质焊料一般包括:
A、金硅
B、金锡
C、金锗
D、锡铅
E、银铅
8、【多选题】下面哪些属于芯片的贴装方法?
A、共晶粘结法
B、玻璃胶粘结
C、焊接粘结
D、导电胶粘结法
9、【判断题】硅在自然界中以硅酸盐或二氧化硅的形式广泛存在于岩石、砂砾中，因此原材料取之不尽，用之不竭．
A、正确
B、错误
10、【判断题】晶圆片的厚度就是芯片电路层的厚度。
A、正确
B、错误
11、【判断题】磨片可以去掉圆片背后的氧化物，保证芯片焊接时良好的粘结性。
A、正确
B、错误
12、【判断题】晶圆片尺寸不断加大，圆片厚度相应增加。
A、正确
B、错误
13、【判断题】晶圆切割在晶圆制造中属于后道工序
A、正确
B、错误
第三周作业 封装工艺（芯片互连）
1、【单选题】Cu代表（ ），Au代表（ ）Pb代表( )
A、金,铅,铜
B、铜, 金, 铅
C、银, 金, 铜
D、锡, 铜, 铅
2、【单选题】Bump 表示( ) Pad表示（ ）Die表示( )
A、芯片， 焊区，凸点
B、芯片, 凸点，焊料
C、凸点,, 芯片, 焊料
D、凸点, 焊区, 芯片
3、【单选题】下面哪个即是芯片贴装又是芯片互连的技术:
A、倒装芯片
B、引线键合
C、载带键合
D、共晶法
4、【单选题】( ）年（ ）公司在360系统中的固态逻辑技术混合组件中首次使用倒装芯片技术。
A、１９６４ ＩＢＭ
B、１９６４ Intel
C、1963 ＩＢＭ
D、1963 Intel
5、【单选题】下面哪个不属于芯片凸点的形状？
A、蘑菇形
B、柱状
C、球形
D、楔形
6、【单选题】倒装芯片技术中（ ）工艺环节可以缓冲焊点受机械振动和热应力失配导致基板对芯片拉力作用引起的焊点裂纹和失效，提高可靠性。
A、芯片下填充
B、凸点制作
C、凸点接合
D、载带制作
7、【单选题】制作载带键合技术中引线图形的金属材料常用（ ）箔
A、铜
B、银
C、铝
D、金
8、【多选题】载带键合技术的关键工艺有：（ ）。
A、载带制作
B、芯片凸点制作
C、内、外引线焊接
D、芯片下填充
9、【多选题】引线键合技术中，可以作为引线材料的有：（ ）
A、铝
B、金
C、银
D、铜
10、【多选题】芯片凸点的形状可以为：
A、圆形
B、蘑菇形
C、柱状
D、楔形
11、【判断题】引线键合技术中，引脚上的接点为第二接点，芯片上的接点为第一接点。
A、正确
B、错误
12、【判断题】芯片互连是微电子封装的基础技术和专有技术，一定要在芯片贴装后完成。
A、正确
B、错误
13、【判断题】对各类锡铅焊点采取再流焊，进行芯片倒装的技术也称为C4技术，最早起源于美国Intel公司。
A、正确
B、错误
14、【判断题】封胶保护后的载带芯片要经过筛选、测试等一系列的检测，合格产品才能进入下道工序，即内引脚键合。
A、正确
B、错误
第四周作业封装工艺（成型，电镀等）
1、【单选题】集成电路的成型一般在（ ）工艺流程之后进行
A、芯片的互连
B、打码
C、包装
D、可靠性测试
2、【单选题】在集成电路上打码，一般最靠近厂家标志的地方标（ ）
A、生产序列号
B、型号
C、生产周期
D、产地信息
3、【单选题】（ ）是集成电路唯一不变的编码。
A、型号
B、生产序列号
C、生产周期
D、生产厂家代码
4、【单选题】对于打弯工艺，最容易出现的问题是：
A、引脚变形
B、引脚断裂
C、引脚缺失
D、引脚与芯片错位
5、【单选题】切筋成型其实是两道工序：切筋和（ ）
A、打码
B、整形
C、打弯
D、镀锡
6、【多选题】打码的内容一般包括:
A、产地代码
B、生产日期
C、型号
D、序列号
E、厂家标志
7、【多选题】如果按照封装材料来分,封装的类型有( )
A、金属
B、 塑料
C、陶瓷
D、有机玻璃
E、高分子压克力
8、【多选题】引脚镀锡的目的包括：
A、增加保护层
B、更加美观
C、提高可焊性
D、提高抗腐蚀性
E、增加导电性
F、提高导热性
9、【判断题】电镀层比热浸层均匀，一般都较薄，从几个微米到几十微米不等。
A、正确
B、错误
10、【判断题】切筋成型工序只在塑料封装工艺流程中需要。
A、正确
B、错误
11、【判断题】塑料封装属于气密性封装
A、正确
B、错误
12、【判断题】镀锡铅可以增强导电性。
A、正确
B、错误
13、【判断题】当温度较低时，热固性材料是坚硬的固体。
A、正确
B、错误
第七周作业 封装类型（陶瓷、金属、塑料）
1、【单选题】封装根据是否能够防止水汽的侵入，分为（ ）种类型。
A、2
B、3
C、4
D、5
2、【单选题】可以用作气密性封装的原料有（ ）
A、氧化铝
B、环氧树脂
C、砷化镓
D、硅
3、【单选题】下列可以作为陶瓷封装的材料有（ ）
A、氧化铝
B、铜钨合金
C、可伐合金
D、砷化镓
4、【单选题】在陶瓷封装中，（ ）具有良好的热导性，但却因为有毒，因此用途受限。
A、氮化铝
B、氧化铝
C、碳化硅
D、氧化铍
E、氮化硼
F、氮化硅
5、【单选题】近气密封装与气密封装的不同点主要在于（ ）
A、使用的材料
B、采用的工艺
C、封装的器件
D、应用的领域
6、【多选题】气密性封装的材料包括（ ）
A、玻璃
B、金属
C、陶瓷
D、砷化镓
E、硅酸树脂
7、【多选题】下列可以作为金属封装的材料有（ ）
A、铜
B、氧化铍
C、氮化铝
D、可伐合金
E、碳化硅
F、金属钼
8、【多选题】芯片封装后密封腔内的水汽可能来自于
A、封腔内气体中的水分
B、管壳内部材料吸收的水份
C、密封材料释放的水份
D、从裂纹或缝隙渗入的水份
E、空气中的水分
9、【判断题】在制作陶瓷基板的过程中，加入玻璃粉末是为了调整热膨胀系数。
A、正确
B、错误
10、【判断题】在制造陶瓷基片的过程中，加入塑化剂可以缩短胚片的凝固时间。
A、正确
B、错误
11、【判断题】封装的目的是为了保证芯片不受外部环境中电、热、化学、机械等因素的破坏，尤其是外部环境中空气的侵入。
A、正确
B、错误
第八周作业 封装技术（典型技术和先进技术）
1、【单选题】下列哪个是双列直插封装技术（ ）
A、ＳＩＰ
B、ＷＬＣ
C、ＤＩＰ
D、ＳＯＣ
E、ＳＯＰ
F、ＳＯＪ
G、ＣＬＳＳ
2、【单选题】下列哪个不属于ＤＩＰ的技术（ ）
A、ＷＬＣ
B、ＴＳＯＰ
C、ＳＯＩＣ
D、ＳＳＯＰ
E、ＴＳＳＯＰ
F、ＳＯＪ
3、【单选题】ＤＩＰ的封装面积与芯片面积比大概为：（ ）
A、８２：１
B、１：８２
C、８５：１
D、１：８５
E、１００：１
F、１：１００
4、【单选题】ＤＩＰ的引脚数描述比较准确的是：
A、小于１００
B、小于１００且为偶数
C、小于８８
D、小于８８且为偶数
E、大于１００且为偶数
5、【单选题】ＱＦＰ的引脚为（ ）个，且为偶数引脚。
A、４４－３０４
B、２２－ １０４
C、４８－２０４
D、４４－２０４
6、【单选题】芯片封装面积小于或等于裸芯片面积120%的产品称为
A、CSP
B、ＢＧＡ
C、ＳＯＰ
D、ＳＳＯＰ
E、ＣＣＳＰ
F、PCSP
7、【多选题】属于ＤＩＰ技术的有哪些：
A、ＴＳＯＰ
B、ＴＳＳＯＰ
C、ＳＯＩＣ
D、ＳＳＯＰ
E、ＳＯＣ
F、ＳＯＰ
G、ＳＯＪ
8、【多选题】（ ）封装适用于表面贴装器件
A、ＱＦＰ
B、ＢＧＡ
C、ＣＳＰ
D、ＰＢＧＡ
E、ＣＢＧＡ
F、ＭＢＧＡ
G、ＴＳＯＰ
H、ＴＳＳＯＰ
I、ＳＯＩＣ
J、ＣＬＣＣ
K、ＳＳＯＰ
9、【多选题】刚性基板ＣＳＰ封装技术中采用的垫片的材料为
A、环氧树脂
B、聚酰亚胺
C、氧化铝
D、氮化铝
10、【判断题】ＤＩ引脚从四边引出，有塑料和陶瓷两种封装材料。
A、正确
B、错误
11、【判断题】ＤＩＰ的引脚数目少于２８条。
A、正确
B、错误
12、【判断题】ＱＦＰ封装PCB布线简单，适合通孔安装，焊接简单
A、正确
B、错误
13、【判断题】ＱＦＰ封装适用于表面贴装器件
A、正确
B、错误
14、【判断题】ＣＳＰ技术称为四边扁平封装
A、正确
B、错误
第九周作业 先进封装技术
1、【单选题】哪种封装技术称为芯片尺寸封装技术
A、CSP
B、MCM
C、SIP
D、SOC
E、BGA
F、SOP
G、QFP
2、【单选题】什么是MCM封装技术
A、多芯片组件封装
B、芯片尺寸封装
C、四边扁平封装
D、双列直插封装
E、系统级芯片
F、系统级封装
G、芯片模组封装
3、【单选题】什么是ＣＳＰ封装技术
A、芯片尺寸封装
B、多芯片模组封装
C、多芯片组件封装
D、系统级芯片
E、系统级封装
F、球栅阵列封装
4、【单选题】什么是ＳＩＰ封装技术
A、系统级封装
B、系统级芯片
C、芯片级封装
D、芯片尺寸封装
E、芯片组件封装
5、【单选题】什么是ｓｏｃ
A、系统级封装
B、系统级芯片
C、芯片级封装
D、芯片尺寸封装
E、芯片组件封装
6、【单选题】 CSP封装，封装尺寸与芯片尺寸比为
A、２：１
B、３：１
C、1.1 ：１
D、１：１
E、1.3：１
F、1.5:1
7、【单选题】有关ＣＳＰ封装说法错误的是：
A、由日本三菱公司提出的一种封装结构
B、1998年实线量产
C、封装尺寸与芯片尺寸比为1.3：1
D、筛选、老化、测试技术较为容易
E、内部布线长度远短于QFP和BGA
F、制造工艺、设备兼容性好
8、【多选题】CSP封装按照结构可以分为：
A、柔性基板封装
B、 刚性基板封装
C、引线框架
D、晶圆级
E、薄膜型
F、厚膜型
G、载带型
9、【多选题】有关ＣＳＰ封装说法正确的是：
A、1994年由日本三菱公司提出的一种封装结构
B、1998年实线量产
C、封装尺寸与芯片尺寸比为1.3：1
D、省去芯片下填充工艺
E、内部布线长度远长于QFP和BGA
F、芯片可以面朝下安装，能从背面散热
10、【多选题】有关柔性基板封装CSP说法正确的是
A、由美国Tessera公司首次开发
B、采用PI或类似材料作垫片
C、内层互连只能采用载带键合的方式
D、互连层和垫片在同一个面
E、焊球穿过保护层与互连层相连
F、焊球穿过通孔与互连层相连
11、【判断题】CSP封装尺寸约为普通BGA的1/3，仅仅相当于TSOP芯片面积的1/6
A、正确
B、错误
12、【判断题】芯片尺寸级封装是对裸芯片进行加工，除WLCSP外在芯片加工的后道工序完成。
A、正确
B、错误
13、【判断题】WLCSP是在芯片加工的后道工序完成
A、正确
B、错误
14、【判断题】引线框架CSP与传统的塑封工艺完全相同，只是采用的框架小一些、薄一些。
A、正确
B、错误
15、【判断题】刚性基板与柔性基板CSP的工艺流程相同，但是采用的基片材料不同。
A、正确
B、错误
第十一周作业 性能表征（工艺、机械和热学）
1、【单选题】在封装过程中，封装材料适应实际生产工艺要求的能力，称为
A、工艺性能
B、化学性能
C、机械性能
D、热学性能
E、电学性能
2、【单选题】封装材料在不同环境下，承受各种外加载荷时所表现出的特征 ，成为
A、工艺性能
B、机械性能
C、电学性能
D、热学性能
E、化学性能
3、【单选题】由于封装材料及其制品都在一定的温度环境下使用，在使用过程中，将对不同的温度作出反映，称为材料的
A、工艺性能
B、热学性能
C、机械性能
D、电学性能
E、化学性能
4、【单选题】描述熔体充满模具型腔的能力的参量为
A、螺旋流动长度
B、凝胶时间
C、固化时间
D、剪应力
E、粘性
5、【单选题】在下列材料中，那种物质的热导率最高
A、铝
B、铜
C、氧化铝
D、金刚石
6、【单选题】在下列材料中，那种物质的热膨胀系数最大
A、铜
B、硅
C、氧化铝
D、铝
E、金刚石
7、【多选题】下列属于热学性能的是
A、热膨胀系数
B、热导率
C、玻璃化转化温度
D、热硬化
E、弯曲模量
F、凝胶时间
8、【多选题】下列属于机械性能的是
A、剪应力
B、剪切模量
C、弯曲强度和模量
D、弹性模量
E、拉伸强度
F、屈服应力
G、热硬化
H、固化温度
9、【多选题】下列属于工艺性能的是
A、固化温度和时间
B、后固化温度和时间
C、热硬化
D、螺旋流动长度
E、凝胶时间
F、热膨胀系数
G、热导率
H、弯曲强度和模量
I、弹性模量
J、剪切力
K、剪应力和剪切模量
10、【判断题】螺旋流动试验不仅用来比较不同的塑封料，而且还用来检验塑封料的质量
A、正确
B、错误
11、【判断题】熔体的流动长度越长，熔体的流动性越好 。
A、正确
B、错误
12、【判断题】凝胶时间体现了模塑料的产出能力。
A、正确
B、错误
13、【判断题】较长的凝胶时间促使较快的聚合速率和较短的模塑周期，提高了产量。
A、正确
B、错误
14、【判断题】测量热固性塑封料的凝胶时间通常用阿基米德螺旋模具
A、正确
B、错误
15、【判断题】弯曲强度越大或模量越大说明材料越易变形。
A、正确
B、错误
单元测试一（１－２周内容）
1、【单选题】导电胶粘贴法也称高分子胶或树脂粘贴法，它采用环氧树脂、酚醛、硅树脂等作为粘合剂，加入（ ）作为导电材料。
A、硅胶树脂
B、银浆
C、铝粉
D、金粉
2、【单选题】共晶方法中合金的熔点一般（ ）合金中纯金属的熔点。
A、低于
B、高于
C、等于
D、不确定
3、【单选题】１９６５年，（ ）提出了摩尔定律
A、肖克利
B、戈登摩尔
C、布赖恩摩尔
D、肖恩摩尔
4、【单选题】（ ）肖克利等三人发明了第一支晶体管
A、１９４９
B、１９４８
C、１９４６
D、１９４７
5、【单选题】化学机械抛光技术的英文缩写为（ ）
A、ＣＭＰ
B、PCM
C、CPM
D、MCP
6、【单选题】在芯片的焊接粘结中，下列哪个不属于硬质焊料
A、锡铅
B、金锡
C、金硅
D、金锗
7、【单选题】封装的功能不包括：
A、电能传输
B、信号传递
C、提供散热途径
D、提供必要的产品信息显示
E、提供结构支撑
8、【单选题】半导体指常温下（ ）介于导体与绝缘体之间的材料。
A、导电性能
B、热膨胀系数
C、电气性能
D、介电常数
9、【单选题】（ ）划片技术，是一种非接触划片技术。
A、激光
B、绞轮
C、倒装
D、紫外光
10、【单选题】芯片的贴装就是把芯片装配到（ ）或引线架上的工艺。
A、晶粒座
B、ＰＣＢ板
C、基板
D、外引脚
11、【单选题】下列哪项不属于晶圆磨片的目的：
A、对硅片进行减薄
B、露出芯片的电路层，便于后期的贴装和键合
C、消除扩散层，防止寄生结的存在
D、减小晶圆的串联电阻，提高散热性能
12、【多选题】获得集成电路需要经历的过程包括（ ）
A、设计
B、测试
C、制造
D、封装
E、授权
F、重构
13、【多选题】芯片贴装的方法包括：
A、玻璃胶粘结法
B、共晶法
C、引线键合法
D、银胶粘结法
14、【多选题】属于芯片制造中后道工序的有：
A、光刻
B、晶圆切割
C、切片
D、芯片贴装
15、【多选题】封装技术的演进趋势包括以下哪些方面。
A、芯片尺寸越来越大
B、引脚越来越多
C、价格越来越便宜
D、功能越来越精减
16、【判断题】１９４７年肖克利、巴丁、布拉坦发明第一支晶体管
A、正确
B、错误
17、【判断题】摩尔定律描述: 芯片上所集成的晶体管数目,每隔12个月就翻一番.
A、正确
B、错误
18、【判断题】摩尔定律描述：微处理器的性能每隔18个月提高１倍,而价格下降２倍.
A、正确
B、错误
19、【判断题】１９６３年摩尔发明了摩尔定律。
A、正确
B、错误
20、【判断题】硅在自然界中以硅酸盐或二氧化硅的形式广泛存在于岩石、砂砾中，因此原材料取之不尽，用之不竭．
A、正确
B、错误
21、【判断题】晶圆片尺寸不断加大，圆片厚度相应增加。
A、正确
B、错误
22、【判断题】激光划片速度为２－３mm/s，划片速度较快。
A、正确
B、错误
23、【判断题】封装的第四层次是将芯片与基板或引脚架进行粘结固定，形成模组元件。
A、正确
B、错误
24、【判断题】微电子学的核心是集成电路技术。
A、正确
B、错误
25、【判断题】半导体指常温下导电性能介于固体与液体之间的材料。
A、正确
B、错误
26、【判断题】半导体指常温下介电常数介于导体与绝缘体之间的材料。
A、正确
B、错误
27、【填空题】焊接粘结中，硬质焊料一般包括（ ）（ ）（ ）
A、
28、【填空题】软质焊料一般包括（ ） （ ）
A、
29、【填空题】芯片贴装中晶粒座焊盘的尺寸要与（ ）的尺寸相匹配。
A、
30、【填空题】芯片贴装中（ ）的尺寸要与晶粒的尺寸相匹配。
A、
31、【填空题】芯片贴装是将芯片放置并黏着固定于（ ）或引脚架承载座上的工艺过程。
A、
32、【填空题】常用的贴装方法包括（ ）导电胶粘结法、玻璃胶粘结、焊接粘结。
A、
33、【填空题】（ ）划片技术，是一种非接触划片技术。
A、
阶段测验一 （１－４周内容）
1、【单选题】微电子学的核心是
A、集成电路技术
B、电子电路技术
C、微电子学
D、半导体物理学
2、【单选题】集成电路的生产以( ）为界限划分为前道工序和后道工序。
A、以晶圆划分为芯片
B、以晶圆完成测试
C、以晶圆完成磨片
D、以晶圆完成光刻
3、【单选题】( ) 是制造晶圆最常用的材料.
A、碳12
B、硅
C、锗
D、锡
4、【单选题】对晶圆进行背面减薄的技术称为 （ ）
A、磨片
B、切片
C、削薄
D、刮层
5、【单选题】晶圆贴膜的目的是（ ）
A、防止损伤晶圆表面
B、防止切割后的晶粒掉落
C、防止损伤电路层
D、提高光刻成功率
6、【单选题】将晶粒之间的间距增大，以求在贴片工艺的时候可以方便地取出每个晶粒的工艺称为（ ）
A、扩晶
B、展晶
C、增晶
D、划晶
7、【单选题】在芯片贴装中，采用导电胶粘结法，加入银浆的目的是
A、提高导热性
B、提高导电性
C、增加粘稠度
D、降低热膨胀系数
8、【单选题】芯片的成型一般在（ ）工艺之后。
A、打码
B、可靠性测试
C、包装
D、互连
9、【单选题】成型工艺是将芯片与( )包装起来的技术?
A、引脚
B、引线架
C、凸点
D、基板
10、【单选题】哪种封装在市场上占有率最高?
A、金属
B、塑料
C、陶瓷
D、有机玻璃
11、【单选题】（ ）是集成电路唯一不变的编码
A、型号
B、序列号
C、生产周期
D、测试号
12、【单选题】最靠近厂家标志的地方一般标（ ）
A、型号
B、序列号
C、生产周期
D、测试号
13、【单选题】倒装芯片技术中（ ）技术可以缓冲焊点受机械振动和热应力失配导致基板对芯片拉力作用引起的焊点裂纹和失效，提高可靠性。
A、芯片下填充
B、回流焊
C、热压焊
D、芯片减薄
14、【单选题】制作TAB引线图形的金属材料常用（ ），采用（ ）
A、铜箔，铝箔
B、铝箔，铜箔
C、金箔，铜箔
D、铜箔，金箔
15、【多选题】下列属于芯片封装技术涉及的领域有
A、物理
B、化学、化工
C、材料
D、机械电子
E、生物
16、【多选题】封装的功能包括
A、产生电能
B、信号传递
C、提供散热途径
D、结构支撑和保护
E、美观，提高产品档次
17、【多选题】集成电路的获得需要经历哪些过程？
A、设计
B、生产
C、封装
D、测试
E、授权
18、【多选题】在芯片贴装中，采用导电胶粘结法，加入银浆和氧化铝粉的目的是
A、提高导电性
B、提高导热性
C、降低热膨胀系数
D、增加导电胶的黏度
19、【多选题】激光打码机利用的是激光的（ ）特性
A、高能量
B、单色性
C、高密度
D、单向性
20、【多选题】芯片互连的方法有：
A、引线键合
B、共晶粘结
C、载带键合
D、倒装芯片
E、导电胶粘结
21、【判断题】封装第一层次是将芯片与基板或引脚架进行粘结固定，形成模组元件。
A、正确
B、错误
22、【判断题】封装技术的演进趋势包括：芯片尺寸越来越小，工作效率越来越高，引脚越来越多，对散热的要求越来越低。
A、正确
B、错误
23、【判断题】摩尔定律描述芯片上所集成的晶体管数目,每隔12个月就翻一番.
A、正确
B、错误
24、【判断题】硅晶圆的尺寸增大，为了保证硅圆片质量，圆片厚度相应变薄，给圆片切割带来了难度。
A、正确
B、错误
25、【判断题】在芯片贴装中，采用导电胶粘结法，加入氧化铝粉的目的是提高导热性
A、正确
B、错误
26、【判断题】焊接粘结中，硬质焊料一般包括金硅、金锡和金锗。
A、正确
B、错误
27、【判断题】焊接粘结中软质焊料一般包括锡铅，金锡。
A、正确
B、错误
28、【判断题】电镀工艺中镀层金属在阳极，待镀物质在阴极。
A、正确
B、错误
29、【判断题】切筋成型工序只在塑料封装工艺流程中需要。
A、正确
B、错误
30、【判断题】生产序列号是集成电路唯一不变的编码
A、正确
B、错误
31、【判断题】WB指引线键合技术
A、正确
B、错误
32、【判断题】FCB指载带键合技术
A、正确
B、错误
33、【判断题】TAB指倒装芯片技术
A、正确
B、错误
34、【判断题】凸点下金属层，主要起到黏附和扩散阻挡的作用。
A、正确
B、错误
阶段测试（５－６周内容）
1、【单选题】下列哪种封装可以用于直插式ｐｃｂ
A、ＳＯＣ
B、ＳＯＰ
C、ＣＳＰ
D、ＳＳＯＰ
2、【单选题】下列哪种封装不可以用于表面贴装工艺（ ）
A、BGA
B、ＤＩＰ
C、TＳＳＯＰ
D、ＳＯＩＣ
E、ＳＳＯＰ
F、ＴＳＯＰ
3、【单选题】柔性基板ＣＳＰ的垫片利用（ ）制成
A、聚酰亚胺
B、氮化铝
C、氧化铝
D、环氧树脂
4、【单选题】低温共晶焊料的成分为
A、６３Ｓｎ３７Ｐｂ
B、３７Ｓｎ６３Ｐｂ
C、１０Ｓｎ９０Ｐｂ
D、９０Ｓｎ１０Ｐｂ
5、【单选题】高温共晶焊料的成分为
A、１０Ｓｎ９０Ｐｂ
B、２０Ｓｎ８０Ｐｂ
C、６３Ｓｎ３７Ｐｂ
D、９０Ｓｎ１０Ｐｂ
6、【单选题】TBGA采用的基板为PI多层布线基板，焊球材料为
A、高熔点焊料合金
B、低熔点焊料合金
C、氧化铝合金
D、金铜合金
7、【单选题】称为载带球栅阵列的是
A、ＴＢＧＡ
B、CＢＧＡ
C、ＰＢＧＡ
D、ＣＣＧＡ
8、【单选题】在金属封装中，扁平式和腔体式封装采用（ ）的方法对管座和盖板进行封接。
A、平行封焊
B、再流焊
C、储能焊
D、激光焊
E、锡焊
9、【单选题】哪个不属于储能焊的特点
A、焊接基准面损伤小
B、焊接点冶金熔合，较为牢固
C、点对点焊接，效率高
D、较清洁
10、【单选题】哪个不属于陶瓷材料的特点：
A、导电导热性良好
B、抗拉强度较低
C、耐高温
D、高硬度
E、高熔点
F、极好的化学稳定性
11、【单选题】在陶瓷封装工艺中加入玻璃粉末的目的是：
A、增加硬度
B、调节陶瓷材料的热膨胀系数
C、增加粉末的黏度
D、提高烧结的温度
12、【多选题】下列哪种封装可以用于表面贴装工艺
A、ＳＳＯＰ
B、TSOP
C、SOIC
D、ＢＧＡ
E、ＣＳＰ
F、ＳＩＰ
13、【多选题】刚性ＣＳＰ的垫片可以利用（ ）制成
A、聚酰亚胺
B、氮化铝
C、氧化铝
D、环氧树脂
14、【多选题】符合气密性封装材料要求的有：
A、氧化铝
B、氮化铝
C、碳化硅
D、氧化铍
E、氧化铜
F、钨
G、钼
H、酚醛树脂
I、硅胶
J、可伐合金
15、【多选题】不属于气密性封装的材料有
A、酚醛树脂
B、硅胶
C、环氧树脂
D、氧化铝
E、氧化铜
F、可伐合金
16、【多选题】符合金属封装特点的是：
A、导电性良好
B、导热性良好
C、高硬度
D、密封性良好
E、工艺成熟
F、热膨胀系数较高
G、封装重量较重
17、【多选题】在金属封装中，平台式和圆形封装采用（ ）的方法对管座和盖板进行封接。
A、平行封焊
B、激光焊
C、储能焊
D、锡焊
E、再流焊
F、回流焊
18、【多选题】属于储能焊的特点是
A、焊接面损伤小
B、点对点焊接，效率高
C、不产生大面积高温
D、焊接点达到冶金熔合， 比较牢固
19、【判断题】引线框架ＣＳＰ封装类型由日本Fujitsu公司首次开发
A、正确
B、错误
20、【判断题】柔性ＣＳＰ封装类型由日本Fujitsu公司首次开发
A、正确
B、错误
21、【判断题】引线框架ＣＳＰ封装与传统的塑封工艺完全相同，只是采用的框架小一些、薄一些
A、正确
B、错误
22、【判断题】引线框架ＣＳＰ封装与陶瓷封装工艺完全相同，只是采用的框架小一些、薄一些
A、正确
B、错误
23、【判断题】晶圆级ＣＳＰ封装是在晶圆阶段完成大部分工艺的一种封装。
A、正确
B、错误
24、【判断题】CSP是BGA进一步微型化的产物，又称uBGA
A、正确
B、错误
25、【判断题】陶瓷封ＢＧＡ的焊球材料为高熔点共晶焊料合金
A、正确
B、错误
26、【判断题】塑封ＢＧＡ的焊球材料为高熔点共晶焊料合金
A、正确
B、错误
27、【判断题】在陶瓷的封装工艺中，加入玻璃粉末的目的是为了提高烧结的温度
A、正确
B、错误
28、【判断题】金属封装材料钨、钼具有与硅Si和砷化镓GaAs相近的热膨胀系数，且导热性很好，可用于芯片的支撑材料。
A、正确
B、错误
29、【判断题】金属封装材料钨，具有密度较大的缺点，不适合在航空航天产品中使用
A、正确
B、错误
30、【判断题】铜也是一种金属封装材料，但是纯铜机械性能较差。
A、正确
B、错误
阶段测试二（5-8周内容）
1、【单选题】表征材料在弹性极限内抵抗弯曲变形的能力是
A、弯曲模量
B、弹性模量
C、弯曲强度
D、拉伸力
E、屈服应力
2、【单选题】高分子聚合物的性质突变点所对应的温度称为
A、固化温度
B、后固化温度
C、玻璃化转化温度
D、玻璃化温度
3、【单选题】玻璃态转变为高弹态所对应的温度称为
A、固化温度
B、后固化温度
C、玻璃化转化温度
D、玻璃软化温度
4、【单选题】会影响热膨胀系数和玻璃化转变温度测试的试验因素不包括
A、测量技术
B、冷却速率
C、加热速率
D、测试的人员
5、【单选题】下列物质中，热导率最高的是
A、铜
B、铝
C、钨铜合金
D、氧化铝
E、砷化镓
F、硅
6、【单选题】下列物质中， 热膨胀系数最低的是
A、硅
B、氧化铝
C、铜
D、铝
E、金
7、【单选题】由液态聚合物树脂转变为凝胶状并最终变硬的过程，称为
A、固化
B、硬化
C、玻璃化
D、凝胶化
8、【单选题】哪个是描述熔体充满模具型腔的能力的表征量
A、螺旋流动长度
B、流变性
C、凝胶时间
D、固化时间
E、流淌速率
F、热导率
9、【单选题】在制作陶瓷基板的过程中，加入玻璃粉末是为了调整：
A、热膨胀系数
B、热导率
C、玻璃化转化温度
D、介电常数
10、【单选题】在高温共烧型的陶瓷基板中，无机材料通常为（ ）的氧化铝粉末与钙镁铝硅酸玻璃
A、9：1
B、1：9
C、1：3
D、3：1
E、8：1
F、1：8
11、【单选题】在低温共烧陶瓷基板中，无机材料为（ ）的陶瓷粉末与玻璃粉末
A、１：３
B、3：1
C、9：1
D、1：9
E、8：1
F、4：1
G、1：4
12、【多选题】会影响热膨胀系数和玻璃化转变温度的工艺因素包括：
A、不适当的成型工艺
B、二次固化条件
C、封装芯片的大小
D、封装材料
E、芯片键合的方式
F、芯片贴装的方式
13、【多选题】玻璃化转化温度的测试技术包括：
A、热机械分析（TMA）
B、差示扫描量热法（DSC）
C、动态机械分析（DMA）
D、介电方法
E、热板法
14、【多选题】测量热导率的方法包括：
A、瞬态平面热源法
B、保护热板法
C、激光导热仪
D、热机械分析（TMA）
E、差示扫描量热法（DSC）
F、动态机械分析（DMA）
G、介电方法
15、【多选题】哪些属于CCGA（陶瓷焊柱阵列）的特点
A、适合大器件尺寸应用领域
B、清洗较容易
C、焊柱高度较高
D、最薄型BGA封装形式，有利于芯片薄型化
E、芯片轻、小，自校准偏差较大
F、承受封装体和PCB基板材料之间热失配应力的能力较好
16、【多选题】哪些属于ＣBGA（陶瓷ＢＧＡ）的技术特点
A、对湿气不敏感，可靠性好、电、热性能优良
B、与陶瓷基板热膨胀系数匹配性好
C、与环氧树脂等基板热膨胀系数匹配性差
D、封装成本较低
E、连接芯片和元件可返修性较好
17、【多选题】有关BGA的说法正确的是：
A、称为针栅阵列封装
B、在基板下面按阵列方式引出球形引脚
C、在基板上面装配大规模集成电路（LSI）芯片
D、是LSI芯片的一种表面组装封装类型
E、BGA引脚短-电性能好、牢固-不易变形
18、【判断题】材料传递热量的能力可以用热导率来衡量
A、正确
B、错误
19、【判断题】对高热量耗散或长时间工作的器件来说，热膨胀系数是一个重要的封装参数。
A、正确
B、错误
20、【判断题】热硬化可能表征着封装材料在固化周期最后的固化程度。
A、正确
B、错误
21、【判断题】高温硬化也称后固化，是封装材料与固化过程相关的一个重要参数
A、正确
B、错误
22、【判断题】固化时间大约占总成型时间的70%，缩短固化时间通常要缩短凝胶时间。
A、正确
B、错误
23、【判断题】多注塑头设备能缩短流动时间和固化时间，从而提高塑封成型的生产能力。
A、正确
B、错误
24、【判断题】多数塑封设备要求塑封料流动时间为20～30s，然后在另外小于4min的时间内固化到一个可挤出的状态。
A、正确
B、错误
25、【判断题】BGA贴装及焊接工艺与当前其他类型元器件采用的SMT设备和工艺完全兼容。
A、正确
B、错误
26、【判断题】通常能达到所谓气密性封装的只有金属和玻璃封装，可以大大提高电路有源器件的可靠性。
A、正确
B、错误
27、【判断题】弯曲强度越大或模量越大说明材料不易变形.
A、正确
B、错误
28、【判断题】弯曲强度越大或模量越大说明材料很容易发生变形。
A、正确
B、错误
29、【判断题】强而韧的材料 , 拉伸破坏能大 , 使用性能也佳。
A、正确
B、错误
30、【判断题】弹性模量可视为衡量材料产生弹性变形难易程度的指标，其值越大，使材料发生一定弹性变形的应力也越大，即材料刚度越小。
A、正确
B、错误
集成电路封装技术期中考试
1、【单选题】常温下导电性能介于导体与绝缘体之间的材料
A、硅
B、锗
C、砷化镓
D、氮
E、铜
F、汞
2、【单选题】摩尔定律是（）年由（）提出的
A、1965,摩尔
B、1963,摩尔
C、1961,摩尔
D、1968,摩尔
E、1966,摩尔
F、1964,摩尔
3、【单选题】芯片贴片过程种使用硬质焊料的贴装方法称为
A、共晶粘贴法
B、焊接粘贴法
C、玻璃胶粘贴法
D、超声波焊接法
E、导电胶粘贴法
4、【单选题】芯片贴片过程种使用软质焊料的贴装方法称为
A、焊接粘贴法
B、导电胶粘贴法
C、玻璃胶粘贴法
D、共晶粘贴法
E、超声波焊接法
5、【单选题】导电胶种加入银粉的主要目的是
A、导热
B、导电
C、提高粘度
D、增加亮度
E、提高热导率
F、热膨胀系数的匹配
6、【单选题】金属封装除了良好的密封性外，还可以提供良好的
A、热屏蔽和电传导
B、热传导和电磁屏蔽
C、性价比
D、热匹配性
E、电导率
F、介电性
7、【单选题】下列不属于金属封装的材料有：
A、钼
B、铜
C、Kovar合金
D、氧化铍
E、氧化铝
F、氮化铝
8、【单选题】塑料封装的特点不包括
A、低成本
B、薄型化
C、工艺简单、适合自动化生产
D、具有良好的密封性
E、具有良好的电磁屏蔽性
F、具有良好的热传导性
9、【单选题】塑料封装的铸模材料不包括：
A、加速剂
B、硬化剂
C、酚醛树脂
D、高分子粘结剂
E、有机溶剂
10、【单选题】可以用于通孔插装的封装形式有
A、DIP
B、QFP
C、BGA
D、CDIP
E、PDIP
F、CSP
11、【单选题】属于QFP封装特点的是
A、适合于通孔安装
B、适合于表面贴装
C、适合于高频芯片
D、适合于塑料封装
E、芯片面积与封装面积之间的比值较大
12、【单选题】BAG封装的特点包括：
A、缩小了芯片的封装面积
B、引脚牢固
C、引脚长，增加了信号的传输路径
D、不支持倒装芯片
E、封装成品率降低
13、【多选题】集成电路的典型封装技术包括（ ）
A、DIP
B、QFP
C、BGA
D、GSP
E、PLGG
F、CBGA
G、TBGA
14、【多选题】有关封装技术的发展趋势下面说法正确的是:
A、芯片的特征尺寸越小
B、芯片的集成度越高
C、适应高发热
D、适应更多引脚
E、对使用环境的要求越严格
F、芯片特征尺寸越大，向着大芯片方向发展
15、【多选题】芯片封装的功能包括
A、电能传输
B、信号传递
C、结构支撑与保护
D、防止热量流失
E、美观
F、提高售卖价格
G、提高芯片的可靠性
16、【多选题】一块集成电路的获得包括：
A、设计
B、制造
C、封装
D、测试
17、【多选题】属于气密性封装的有
A、陶瓷封装
B、金属封装
C、玻璃封装
D、塑料封装
E、PQFP
F、CBGA
G、CDIP
H、PBGA
18、【多选题】塑料封装的材料包括：
A、加速剂
B、硬化剂
C、阻燃剂
D、耦合剂
E、催化剂
F、玻璃粉末
G、胶黏剂
19、【多选题】下列属于BGA封装的是
A、塑料球栅阵列
B、陶瓷球栅阵列
C、陶瓷圆柱栅格阵列
D、载带球栅阵列
20、【判断题】微电子技术以集成电路为核心的技术。
A、正确
B、错误
21、【判断题】摩尔定律描述了集成电路晶体管的数量每18个月翻两番。
A、正确
B、错误
22、【判断题】封装经历了从通孔插装到表面贴装的发展
A、正确
B、错误
23、【判断题】封装经历了从表面贴装到通孔插装到的发展
A、正确
B、错误
24、【判断题】化学式抛光是磨片的一种方法，简称CMP
A、正确
B、错误
25、【判断题】化学式抛光是划片的一种方法，简称CMP
A、正确
B、错误
26、【判断题】化学式抛光是磨片的一种方法，简称APE
A、正确
B、错误
27、【判断题】与塑料封装相比，陶瓷封装的工艺温度高，成本较高。
A、正确
B、错误
28、【判断题】塑料封装利用的是热固型高分子材料
A、正确
B、错误
29、【判断题】塑料封装中的环氧树脂属于热塑性材料
A、正确
B、错误
30、【判断题】热固性材料加热后可以熔融，从而再次利用。
A、正确
B、错误
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